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상호 접촉하는 부분을 가지는 것으로 제1물질층과 제2물질층을 구비하는 전자소자를 제조하는 방법에 있어서,
기판의 일면에 소정 패턴의 그루브를 형성하는 단계;
상기 그루브에 제1전자물질을 채워 넣어 제1물질층을 형성하는 단계;
상기 기판 일면 위에, 상기 제1물질층과 접촉되는 부분을 가지는 것으로, 상기 제1전자물질에 비해 산화가 용이한 제2전자물질로 소정 패턴의 제2물질층을 형성하는 단계;를 포함하여,
제1전자물질에 비해 상대적으로 산화가 용이한 제2전자물질로 형성되는 제2물질층이 기판 상에 먼저 형성되어 있는 상기 제1물질층에 의해 보호되도록 하여, 제1물질층과 제2물질층 사이의 접촉부분에 제2전자물질에 의한 산화막 발생을 억제하는 것을 특징으로 하는 전자 소자의 제조방법
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제 1 항에 있어서,
상기 제1전자물질은 도전성물질이며, 상기 제2전자물질은 강자성물질인 것을 특징으로 하는 전자 소자의 제조 방법
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제 1 항 또는 제 2 항에 있어서,
상기 제1물질층을 형성하는 단계는 제1물질층의 표면이 상기 기판의 표면과 실질적으로 일치시키는 것을 특징으로 하는 전자 소자의 제조방법
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제 1 항 또는 제 2 항에 있어서,
상기 제2물질층은 외부에 굴곡을 가지지 않는 직선적이며 평판한 구조를 가지는 것을 특징으로 하는 전자 소자의 제조 방법
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5
제 1 항 또는 제 2 항에 있어서,
상기 그루브를 형성하는 단계는 상호 마주 대하는 적어도 한 조의 그루브를 형성하며, 상기 제1물질층을 형성하는 단계는 상기 한 조의 그루브에 제1전자물질을 채워 넣는 것을 특징으로 하는 전자 소자의 제조 방법
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제 1 항 또는 제 2 항에 있어서,
상기 그루브를 형성하는 단계:는 상기 그루브에 대응하는 개구부를 가지는 마스크 층을 형성하는 단계;와 개구부에 노출된 기판의 표면을 소정 깊이 식각하는 단계;를 포함하는 것을 특징으로 하는 전자 소자의 제조 방법
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제 1 항 또는 제 2 항에 있어서,
상기 제1물질층을 형성하는 단계는:
상기 그루브에 대응하는 개구부를 가지는 희생층을 형성하는 단계;
제1전자물질을 상기 희생층과 희생층의 개구부에 노출된 상기 기판의 그루브에 증착하는 단계;
상기 희생층을 제거하여 상기 그루브 내에 상기 제1전자물질에 의한 제1물질층을 얻는 단계;를 포함하는 것을 특징으로 하는 전자 소자의 제조 방법
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제 1 항 또는 제 2 항에 기재된 전자 소자의 제조 방법을 포함하는 메모리 소자의 제조 방법
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제 3 항에 기재된 전자 소자의 제조 방법을 포함하는 메모리 소자의 제조 방법
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10
일면에 그루브가 형성되는 기판;
제1전자물질에 의해 상기 그루브 내에 형성되는 제1물질층; 그리고
상기 제1물질층에 접촉하도록 제2전자물질에 의해 상기 기판 위에 형성되는 것으로 제1전자물질에 비해 산화가 용이한 제2전자물질로 형성된 제2물질층;을 구비하는 전자 소자
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11
제 10 항에 있어서,
상기 그루브는 상기 기판에 복 수개 마련되며, 상기 제2물질층은 인접한 두 그루브의 제1물질층들에 그 양측 저면이 접촉되는 것을 특징으로 하는 전자 소자
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12
제 10 항에 있어서,
상기 제1물질층의 표면은 상기 기판의 표면과 실질적으로 일치하는 것을 특징으로 하는 전자 소자
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13
제 10 항 내지 제 12 항 중의 어느 한 항에 있어서,
상기 제1물질층은 전극이며, 상기 제2물질층은 강자성층인 것을 특징으로 하는 전자 소자
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14
제 13 항에 있어서,
상기 제2물질층은 전체적으로 평탄한 저면과 상면을 구비하는 것을 특징으로 하는 전자 소자
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