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전계 방출 소자, 페이스트 제조방법 및 박막 형성방법

  • 기술번호 : KST2015133471
  • 담당센터 : 서울동부기술혁신센터
  • 전화번호 : 02-2155-3662
요약, Int. CL, CPC, 출원번호/일자, 출원인, 등록번호/일자, 공개번호/일자, 공고번호/일자, 국제출원번호/일자, 국제공개번호/일자, 우선권정보, 법적상태, 심사진행상태, 심판사항, 구분, 원출원번호/일자, 관련 출원번호, 기술이전 희망, 심사청구여부/일자, 심사청구항수의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 서지정보 표입니다.
요약 본 발명은 전계 방출 소자 및 전계 방출 소자 제조방법에 대해 개시한다. 특히, 본 발명의 일 실시예에 따른 전계 방출 소자는 기판; 및 복수의 시트(sheet) 층을 가지고 상기 기판 상면에 비스듬한 각도를 가지고 배향되거나 수직 배향된 복수의 2차원 나노물질을 포함하는 페이스트(paste)로 제작된 박막을 포함한다.
Int. CL H01J 9/02 (2006.01) H01J 1/304 (2006.01)
CPC H01J 1/304(2013.01) H01J 1/304(2013.01)
출원번호/일자 1020130146616 (2013.11.28)
출원인 고려대학교 산학협력단
등록번호/일자 10-1564456-0000 (2015.10.23)
공개번호/일자 10-2015-0062064 (2015.06.05) 문서열기
공고번호/일자 (20151029) 문서열기
국제출원번호/일자
국제공개번호/일자
우선권정보
법적상태 등록
심사진행상태 수리
심판사항
구분 신규
원출원번호/일자
관련 출원번호
심사청구여부/일자 Y (2013.11.28)
심사청구항수 8

출원인

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번호 이름 국적 주소
1 고려대학교 산학협력단 대한민국 서울특별시 성북구

발명자

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번호 이름 국적 주소
1 이철진 대한민국 서울특별시 강북구
2 송예난 중국 서울 성북구
3 윤기남 대한민국 서울 성북구

대리인

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번호 이름 국적 주소
1 특허법인엠에이피에스 대한민국 서울특별시 강남구 테헤란로*길 **, *층 (역삼동, 한동빌딩)

최종권리자

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번호 이름 국적 주소
1 고려대학교 산학협력단 대한민국 서울특별시 성북구
번호, 서류명, 접수/발송일자, 처리상태, 접수/발송일자의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 행정처리 표입니다.
번호 서류명 접수/발송일자 처리상태 접수/발송번호
1 [특허출원]특허출원서
[Patent Application] Patent Application
2013.11.28 수리 (Accepted) 1-1-2013-1090754-15
2 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information
2014.02.11 수리 (Accepted) 4-1-2014-5018243-16
3 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information
2014.04.22 수리 (Accepted) 4-1-2014-5049934-62
4 선행기술조사의뢰서
Request for Prior Art Search
2014.06.03 수리 (Accepted) 9-1-9999-9999999-89
5 선행기술조사보고서
Report of Prior Art Search
2014.07.10 수리 (Accepted) 9-1-2014-0054357-12
6 의견제출통지서
Notification of reason for refusal
2014.09.30 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2014-0674700-49
7 [명세서등 보정]보정서
[Amendment to Description, etc.] Amendment
2014.11.26 보정승인간주 (Regarded as an acceptance of amendment) 1-1-2014-1145523-88
8 [거절이유 등 통지에 따른 의견]의견(답변, 소명)서
[Opinion according to the Notification of Reasons for Refusal] Written Opinion(Written Reply, Written Substantiation)
2014.11.26 수리 (Accepted) 1-1-2014-1145522-32
9 의견제출통지서
Notification of reason for refusal
2015.03.30 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2015-0213295-48
10 [거절이유 등 통지에 따른 의견]의견(답변, 소명)서
[Opinion according to the Notification of Reasons for Refusal] Written Opinion(Written Reply, Written Substantiation)
2015.06.01 수리 (Accepted) 1-1-2015-0528080-92
11 [명세서등 보정]보정서
[Amendment to Description, etc.] Amendment
2015.06.01 보정승인간주 (Regarded as an acceptance of amendment) 1-1-2015-0528087-11
12 등록결정서
Decision to grant
2015.10.16 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2015-0714331-67
13 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information
2019.10.10 수리 (Accepted) 4-1-2019-5210941-09
번호, 청구항의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 청구항 표입니다.
번호 청구항
1 1
전계 방출 소자에 있어서, 기판; 및복수의 시트(sheet) 층을 가지는 복수의 2차원 나노물질을 포함하는 페이스트(paste)로 제작된 박막을 포함하되,각각의 2차원 나노물질은 상기 페이스트의 제조과정을 통해 상기 기판 상면에 비스듬한 각도를 가지고 배향되거나 수직 배향되는 것이고,상기 페이스트는 상기 2차원 나노물질을 초음파 처리하여 임의의 간격으로 분산시킨 후, 각각의 2차원 나노물질 간 공간을 채우는 충전제, 및 2차원 나노물질과 충전제를 서로 결합시키는 결합제에 의하여 혼합된 것인 전계 방출 소자
2 2
삭제
3 3
삭제
4 4
삭제
5 5
제 1 항에 있어서, 상기 결합제는 그 자체로 접착성을 가지거나 열처리 등의 추가 공정을 통하여 접착성을 가지게 되는 물질인 것인 전계 방출 소자
6 6
제 1 항에 있어서,상기 박막은 상기 페이스트가 기설정된 패턴을 가진 스크린 마스크를 통해 프린팅됨에 따라 형성되는 전계 방출 소자
7 7
제 1 항에 있어서,상기 2차원 나노물질은 적어도 하나 이상의 테두리 면을 가지고, 상기 테두리 면에 상기 시트 층의 적층 구조가 나타나는 전계 방출 소자
8 8
제 1 항에 있어서,상기 복수의 시트 층은 그래핀(Graphene), 보론 나이트라이드(BN), 및 이황화 몰리브덴(MoS2) 중 어느 하나가 적층되어 형성되는 전계 방출 소자
9 9
전계 방출 소자에서 기판 상에 형성되는 박막을 위한 페이스트(paste)를 제조하는 방법에 있어서, 소정의 용매 내에서 복수의 2차원 나노물질에 대하여 초음파 처리를 수행하는 단계; 및복수의 2차원 나노물질, 각각의 2차원 나노물질 간 공간을 채우는 충전제, 및 상기 2차원 나노물질과 상기 충전제를 서로 결합시키는 결합제를 혼합하는 단계를 포함하고, 상기 각각의 2차원 나노물질은 복수의 시트(sheet) 층을 가지고, 상기 페이스트의 제조과정을 통해 상기 기판 상면에 비스듬한 각도를 가지고 배향되거나 수직 배향되는 것인, 페이스트 제조방법
10 10
제 9 항에 있어서,상기 혼합하는 단계는 상기 초음파 처리를 수행하는 단계 이후에 상기 충전제 추가 및 건조 공정을 수행하는 단계; 및 상기 건조 공정을 수행하는 단계 이후에 상기 결합제를 추가하는 단계를 포함하는 페이스트 제조방법
11 11
전계 방출 소자의 기판 상에 박막을 형성하는 방법에 있어서, 복수의 2차원 나노물질을 포함하는 페이스트를 주입하는 단계; 및기설정된 패턴을 가진 스크린 마스크를 통해 상기 페이스트를 통과시키는 단계를 포함하고, 각각의 2차원 나노물질은 복수의 시트(sheet) 층을 가지고, 상기 페이스트의 제조과정을 통해 상기 기판 상면에 비스듬한 각도를 가지고 배향되거나 수직 배향되는 것인, 박막 형성방법
지정국 정보가 없습니다
패밀리정보가 없습니다
국가 R&D 정보가 없습니다.