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전계전자방출원, 이를 포함하는 전계전자방출소자 및 이의 제조방법

  • 기술번호 : KST2015134296
  • 담당센터 : 서울동부기술혁신센터
  • 전화번호 : 02-2155-3662
요약, Int. CL, CPC, 출원번호/일자, 출원인, 등록번호/일자, 공개번호/일자, 공고번호/일자, 국제출원번호/일자, 국제공개번호/일자, 우선권정보, 법적상태, 심사진행상태, 심판사항, 구분, 원출원번호/일자, 관련 출원번호, 기술이전 희망, 심사청구여부/일자, 심사청구항수의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 서지정보 표입니다.
요약 금속 전극 및 상기 전극과 일체화되어 전극 표면에 돌출된 탄소나노튜브를 포함하는 전계전자방출원, 이를 포함하는 전계전자방출소자 및 이의 제조방법이 제시된다.
Int. CL H01J 9/02 (2006.01) B82Y 40/00 (2011.01) C01B 31/02 (2006.01) H01J 1/304 (2006.01)
CPC H01J 1/304(2013.01) H01J 1/304(2013.01) H01J 1/304(2013.01) H01J 1/304(2013.01) H01J 1/304(2013.01) H01J 1/304(2013.01) H01J 1/304(2013.01)
출원번호/일자 1020090001602 (2009.01.08)
출원인 삼성전자주식회사, 고려대학교 산학협력단
등록번호/일자 10-1605131-0000 (2016.03.15)
공개번호/일자 10-2010-0082219 (2010.07.16) 문서열기
공고번호/일자 (20160321) 문서열기
국제출원번호/일자
국제공개번호/일자
우선권정보
법적상태 소멸
심사진행상태 수리
심판사항
구분 신규
원출원번호/일자
관련 출원번호
심사청구여부/일자 Y (2014.01.07)
심사청구항수 19

출원인

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번호 이름 국적 주소
1 삼성전자주식회사 대한민국 경기도 수원시 영통구
2 고려대학교 산학협력단 대한민국 서울특별시 성북구

발명자

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번호 이름 국적 주소
1 손윤철 대한민국 경기도 화성
2 김용철 대한민국 서울특별시 서초구
3 허정나 대한민국 경기도 용인시 기흥구
4 조우성 대한민국 서울특별시 성북구
5 주병권 대한민국 서울특별시 종로구

대리인

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번호 이름 국적 주소
1 리앤목특허법인 대한민국 서울 강남구 언주로 **길 **, *층, **층, **층, **층(도곡동, 대림아크로텔)

최종권리자

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번호 이름 국적 주소
1 고려대학교 산학협력단 서울특별시 성북구
2 삼성전자주식회사 경기도 수원시 영통구
번호, 서류명, 접수/발송일자, 처리상태, 접수/발송일자의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 행정처리 표입니다.
번호 서류명 접수/발송일자 처리상태 접수/발송번호
1 [특허출원]특허출원서
[Patent Application] Patent Application
2009.01.08 수리 (Accepted) 1-1-2009-0011877-85
2 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information
2009.06.09 수리 (Accepted) 4-1-2009-5111177-32
3 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information
2010.08.12 수리 (Accepted) 4-1-2010-5149278-93
4 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information
2012.06.21 수리 (Accepted) 4-1-2012-5132663-40
5 [심사청구]심사청구(우선심사신청)서
[Request for Examination] Request for Examination (Request for Preferential Examination)
2014.01.07 수리 (Accepted) 1-1-2014-0016737-25
6 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information
2014.02.11 수리 (Accepted) 4-1-2014-5018243-16
7 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information
2014.04.22 수리 (Accepted) 4-1-2014-5049934-62
8 선행기술조사의뢰서
Request for Prior Art Search
2014.06.03 수리 (Accepted) 9-1-9999-9999999-89
9 선행기술조사보고서
Report of Prior Art Search
2014.07.10 수리 (Accepted) 9-1-2014-0057279-74
10 의견제출통지서
Notification of reason for refusal
2014.12.24 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2014-0882917-17
11 [거절이유 등 통지에 따른 의견]의견(답변, 소명)서
[Opinion according to the Notification of Reasons for Refusal] Written Opinion(Written Reply, Written Substantiation)
2015.02.24 수리 (Accepted) 1-1-2015-0181286-06
12 [명세서등 보정]보정서
[Amendment to Description, etc.] Amendment
2015.02.24 보정승인간주 (Regarded as an acceptance of amendment) 1-1-2015-0181287-41
13 의견제출통지서
Notification of reason for refusal
2015.07.21 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2015-0487134-10
14 [명세서등 보정]보정서
[Amendment to Description, etc.] Amendment
2015.09.21 보정승인간주 (Regarded as an acceptance of amendment) 1-1-2015-0915271-83
15 [거절이유 등 통지에 따른 의견]의견(답변, 소명)서
[Opinion according to the Notification of Reasons for Refusal] Written Opinion(Written Reply, Written Substantiation)
2015.09.21 수리 (Accepted) 1-1-2015-0915270-37
16 등록결정서
Decision to grant
2015.12.25 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2015-0900436-15
17 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information
2019.10.10 수리 (Accepted) 4-1-2019-5210941-09
번호, 청구항의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 청구항 표입니다.
번호 청구항
1 1
금속 전극; 및 상기 금속 전극과 일체화되어 금속 전극 내부로부터 금속 전극 표면에 돌출된 탄소나노튜브;를 포함하며, 상기 전극이 핵산을 포함하는 전계전자방출원
2 2
삭제
3 3
제 1 항에 있어서, 상기 전극 내부에 포함된 탄소나노튜브의 일부 또는 전부가 핵산으로 피복된 전계전자방출원
4 4
제 1 항에 있어서, 상기 전극이 도금층인 전계전자방출원
5 5
제 1 항에 있어서, 상기 금속 전극이 Sc, Ti, V, Cr, Mn, Fe, Co, Ni, Cu, Zn, Pd, Ag, Au, Hg, Pt, Ta, Mo, Zr, Ta, Mg, Sn, Ge, Y, Nb, Tc, Ru, Rh, Lu, Hf, W, Re, Os, Ir, Lr, Rf, Db, Sg, Bh, Hs, Mt, Ds, Rg 및 Uub로 이루어진 군에서 선택된 하나 이상의 금속을 포함하는 전계전자방출원
6 6
제 1 항에 있어서, 상기 금속 전극이 P, B, N, C, O 및 H로 이루어진 군에서 선택된 하나 이상의 원소를 추가적으로 포함하는 전계전자방출원
7 7
제 1 항에 있어서, 상기 핵산이 DNA, cDNA, cpDNA, msDNA, mtDNA, RNA, mRNA, tRNA, GNA, LNA, PNA, 및 TNA로 이루어진 군에서 선택된 하나 이상인 복합재료를 포함하는 전계전자방출원
8 8
제 1 항에 있어서, 상기 핵산이 아데닌(A), 구아닌(G), 티민(T), 시토신(C), 및우라실(U)로 이루어진 군에서 선택된 하나 이상의 염기를 포함하는 전계전자방출원
9 9
제 1 항에 있어서, 상기 탄소나노튜브가 단일벽 탄소나노튜브, 이중벽 탄소나노튜브, 다중벽 탄소나노튜브, 금속성 탄소나노튜브 및 반도체성 탄소나노튜브로 이루어진 군에서 선택된 하나 이상인 전계전자방출원
10 10
제 1 항에 있어서, 상기 탄소나노튜브의 함량이 0
11 11
제 1 항에 있어서, 상기 금속 전극의 하단면에 형성된 하부 전극을 추가로 포함하는 전계전자방출원
12 12
제 1 항 및 제 3 항 내지 제 11 항 중 어느 한 항에 따른 전계 전자 방출원을 포함하는 전계 전자 방출 소자
13 13
제1항 및 제3항 내지 제11항 중 어느 한 항에 따른 전계전자방출원 제조방법으로서, 도금액에 기판을 침지시키는 단계; 상기 침지된 기판 상의 일부 또는 전부에 도금층을 형성하는 단계; 및 선택적으로 상기 도금층의 표면에 노출된 핵산을 제거하는 단계;를 포함하며, 상기 도금액이 탄소나노튜브, 핵산 및 금속이온을 포함하는 전계전자방출원 제조방법
14 14
제 13 항에 있어서, 상기 도금층의 형성이 전해도금 또는 무전해도금에 의하여 수행되는 전계전자방출원 제조방법
15 15
제 13 항에 있어서, 상기 도금액이 환원제를 추가적으로 포함하는 전계전자방출원 제조방법
16 16
제 13 항에 있어서, 상기 도금액에 포함된 탄소나노튜브의 일부 또는 전부가 핵산에 의하여 피복되어 있는 전계전자방출원 제조방법
17 17
제 13 항에 있어서, 상기 금속이온이 Sc, Ti, V, Cr, Mn, Fe, Co, Ni, Cu, Zn, Pd, Ag, Au, Hg, Pt, Ta, Mo, Zr, Ta, Mg, Sn, Ge, Y, Nb, Tc, Ru, Rh, Lu, Hf, W, Re, Os, Ir, Lr, Rf, Db, Sg, Bh, Hs, Mt, Ds, Rg 및 Uub로 이루어진 군에서 선택된 하나 이상의 금속의 이온인 전계전자방출원 제조방법
18 18
제 13 항에 있어서, 상기 핵산이 DNA, cDNA, cpDNA, msDNA, mtDNA, RNA, mRNA, tRNA, GNA, LNA, PNA, 및 TNA로 이루어진 군에서 선택된 하나 이상인 전계전자방출원 제조방법
19 19
제 13 항에 있어서, 상기 탄소나노튜브가 단일벽 탄소나노튜브, 이중벽 탄소나노튜브, 다중벽 탄소나노튜브, 금속성 탄소나노튜브 및 반도체성 탄소나노튜브로 이루어진 군에서 선택된 하나 이상인 전계전자방출원 제조방법
20 20
제 13 항에 있어서, 상기 핵산의 제거가 소성, 에칭, 화학반응, 및 탈착으로 이루어진 군에서 선택되는 하나 이상의 방법에 의하여 수행되는 전계전자방출원 제조방법
지정국 정보가 없습니다
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순번 패밀리번호 국가코드 국가명 종류
1 US08593049 US 미국 FAMILY
2 US20100171407 US 미국 FAMILY

DOCDB 패밀리 정보

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순번 패밀리번호 국가코드 국가명 종류
1 US2010171407 US 미국 DOCDBFAMILY
2 US8593049 US 미국 DOCDBFAMILY
국가 R&D 정보가 없습니다.