요약 | 금속 전극 및 상기 전극과 일체화되어 전극 표면에 돌출된 탄소나노튜브를 포함하는 전계전자방출원, 이를 포함하는 전계전자방출소자 및 이의 제조방법이 제시된다. |
---|---|
Int. CL | H01J 9/02 (2006.01) B82Y 40/00 (2011.01) C01B 31/02 (2006.01) H01J 1/304 (2006.01) |
CPC | H01J 1/304(2013.01) H01J 1/304(2013.01) H01J 1/304(2013.01) H01J 1/304(2013.01) H01J 1/304(2013.01) H01J 1/304(2013.01) H01J 1/304(2013.01) |
출원번호/일자 | 1020090001602 (2009.01.08) |
출원인 | 삼성전자주식회사, 고려대학교 산학협력단 |
등록번호/일자 | 10-1605131-0000 (2016.03.15) |
공개번호/일자 | 10-2010-0082219 (2010.07.16) 문서열기 |
공고번호/일자 | (20160321) 문서열기 |
국제출원번호/일자 | |
국제공개번호/일자 | |
우선권정보 | |
법적상태 | 소멸 |
심사진행상태 | 수리 |
심판사항 | |
구분 | 신규 |
원출원번호/일자 | |
관련 출원번호 | |
심사청구여부/일자 | Y (2014.01.07) |
심사청구항수 | 19 |
번호 | 이름 | 국적 | 주소 |
---|---|---|---|
1 | 삼성전자주식회사 | 대한민국 | 경기도 수원시 영통구 |
2 | 고려대학교 산학협력단 | 대한민국 | 서울특별시 성북구 |
번호 | 이름 | 국적 | 주소 |
---|---|---|---|
1 | 손윤철 | 대한민국 | 경기도 화성 |
2 | 김용철 | 대한민국 | 서울특별시 서초구 |
3 | 허정나 | 대한민국 | 경기도 용인시 기흥구 |
4 | 조우성 | 대한민국 | 서울특별시 성북구 |
5 | 주병권 | 대한민국 | 서울특별시 종로구 |
번호 | 이름 | 국적 | 주소 |
---|---|---|---|
1 | 리앤목특허법인 | 대한민국 | 서울 강남구 언주로 **길 **, *층, **층, **층, **층(도곡동, 대림아크로텔) |
번호 | 이름 | 국적 | 주소 |
---|---|---|---|
1 | 고려대학교 산학협력단 | 서울특별시 성북구 | |
2 | 삼성전자주식회사 | 경기도 수원시 영통구 |
번호 | 서류명 | 접수/발송일자 | 처리상태 | 접수/발송번호 |
---|---|---|---|---|
1 | [특허출원]특허출원서 [Patent Application] Patent Application |
2009.01.08 | 수리 (Accepted) | 1-1-2009-0011877-85 |
2 | 출원인정보변경(경정)신고서 Notification of change of applicant's information |
2009.06.09 | 수리 (Accepted) | 4-1-2009-5111177-32 |
3 | 출원인정보변경(경정)신고서 Notification of change of applicant's information |
2010.08.12 | 수리 (Accepted) | 4-1-2010-5149278-93 |
4 | 출원인정보변경(경정)신고서 Notification of change of applicant's information |
2012.06.21 | 수리 (Accepted) | 4-1-2012-5132663-40 |
5 | [심사청구]심사청구(우선심사신청)서 [Request for Examination] Request for Examination (Request for Preferential Examination) |
2014.01.07 | 수리 (Accepted) | 1-1-2014-0016737-25 |
6 | 출원인정보변경(경정)신고서 Notification of change of applicant's information |
2014.02.11 | 수리 (Accepted) | 4-1-2014-5018243-16 |
7 | 출원인정보변경(경정)신고서 Notification of change of applicant's information |
2014.04.22 | 수리 (Accepted) | 4-1-2014-5049934-62 |
8 | 선행기술조사의뢰서 Request for Prior Art Search |
2014.06.03 | 수리 (Accepted) | 9-1-9999-9999999-89 |
9 | 선행기술조사보고서 Report of Prior Art Search |
2014.07.10 | 수리 (Accepted) | 9-1-2014-0057279-74 |
10 | 의견제출통지서 Notification of reason for refusal |
2014.12.24 | 발송처리완료 (Completion of Transmission) | 9-5-2014-0882917-17 |
11 | [거절이유 등 통지에 따른 의견]의견(답변, 소명)서 [Opinion according to the Notification of Reasons for Refusal] Written Opinion(Written Reply, Written Substantiation) |
2015.02.24 | 수리 (Accepted) | 1-1-2015-0181286-06 |
12 | [명세서등 보정]보정서 [Amendment to Description, etc.] Amendment |
2015.02.24 | 보정승인간주 (Regarded as an acceptance of amendment) | 1-1-2015-0181287-41 |
13 | 의견제출통지서 Notification of reason for refusal |
2015.07.21 | 발송처리완료 (Completion of Transmission) | 9-5-2015-0487134-10 |
14 | [명세서등 보정]보정서 [Amendment to Description, etc.] Amendment |
2015.09.21 | 보정승인간주 (Regarded as an acceptance of amendment) | 1-1-2015-0915271-83 |
15 | [거절이유 등 통지에 따른 의견]의견(답변, 소명)서 [Opinion according to the Notification of Reasons for Refusal] Written Opinion(Written Reply, Written Substantiation) |
2015.09.21 | 수리 (Accepted) | 1-1-2015-0915270-37 |
16 | 등록결정서 Decision to grant |
2015.12.25 | 발송처리완료 (Completion of Transmission) | 9-5-2015-0900436-15 |
17 | 출원인정보변경(경정)신고서 Notification of change of applicant's information |
2019.10.10 | 수리 (Accepted) | 4-1-2019-5210941-09 |
번호 | 청구항 |
---|---|
1 |
1 금속 전극; 및 상기 금속 전극과 일체화되어 금속 전극 내부로부터 금속 전극 표면에 돌출된 탄소나노튜브;를 포함하며, 상기 전극이 핵산을 포함하는 전계전자방출원 |
2 |
2 삭제 |
3 |
3 제 1 항에 있어서, 상기 전극 내부에 포함된 탄소나노튜브의 일부 또는 전부가 핵산으로 피복된 전계전자방출원 |
4 |
4 제 1 항에 있어서, 상기 전극이 도금층인 전계전자방출원 |
5 |
5 제 1 항에 있어서, 상기 금속 전극이 Sc, Ti, V, Cr, Mn, Fe, Co, Ni, Cu, Zn, Pd, Ag, Au, Hg, Pt, Ta, Mo, Zr, Ta, Mg, Sn, Ge, Y, Nb, Tc, Ru, Rh, Lu, Hf, W, Re, Os, Ir, Lr, Rf, Db, Sg, Bh, Hs, Mt, Ds, Rg 및 Uub로 이루어진 군에서 선택된 하나 이상의 금속을 포함하는 전계전자방출원 |
6 |
6 제 1 항에 있어서, 상기 금속 전극이 P, B, N, C, O 및 H로 이루어진 군에서 선택된 하나 이상의 원소를 추가적으로 포함하는 전계전자방출원 |
7 |
7 제 1 항에 있어서, 상기 핵산이 DNA, cDNA, cpDNA, msDNA, mtDNA, RNA, mRNA, tRNA, GNA, LNA, PNA, 및 TNA로 이루어진 군에서 선택된 하나 이상인 복합재료를 포함하는 전계전자방출원 |
8 |
8 제 1 항에 있어서, 상기 핵산이 아데닌(A), 구아닌(G), 티민(T), 시토신(C), 및우라실(U)로 이루어진 군에서 선택된 하나 이상의 염기를 포함하는 전계전자방출원 |
9 |
9 제 1 항에 있어서, 상기 탄소나노튜브가 단일벽 탄소나노튜브, 이중벽 탄소나노튜브, 다중벽 탄소나노튜브, 금속성 탄소나노튜브 및 반도체성 탄소나노튜브로 이루어진 군에서 선택된 하나 이상인 전계전자방출원 |
10 |
10 제 1 항에 있어서, 상기 탄소나노튜브의 함량이 0 |
11 |
11 제 1 항에 있어서, 상기 금속 전극의 하단면에 형성된 하부 전극을 추가로 포함하는 전계전자방출원 |
12 |
12 제 1 항 및 제 3 항 내지 제 11 항 중 어느 한 항에 따른 전계 전자 방출원을 포함하는 전계 전자 방출 소자 |
13 |
13 제1항 및 제3항 내지 제11항 중 어느 한 항에 따른 전계전자방출원 제조방법으로서, 도금액에 기판을 침지시키는 단계; 상기 침지된 기판 상의 일부 또는 전부에 도금층을 형성하는 단계; 및 선택적으로 상기 도금층의 표면에 노출된 핵산을 제거하는 단계;를 포함하며, 상기 도금액이 탄소나노튜브, 핵산 및 금속이온을 포함하는 전계전자방출원 제조방법 |
14 |
14 제 13 항에 있어서, 상기 도금층의 형성이 전해도금 또는 무전해도금에 의하여 수행되는 전계전자방출원 제조방법 |
15 |
15 제 13 항에 있어서, 상기 도금액이 환원제를 추가적으로 포함하는 전계전자방출원 제조방법 |
16 |
16 제 13 항에 있어서, 상기 도금액에 포함된 탄소나노튜브의 일부 또는 전부가 핵산에 의하여 피복되어 있는 전계전자방출원 제조방법 |
17 |
17 제 13 항에 있어서, 상기 금속이온이 Sc, Ti, V, Cr, Mn, Fe, Co, Ni, Cu, Zn, Pd, Ag, Au, Hg, Pt, Ta, Mo, Zr, Ta, Mg, Sn, Ge, Y, Nb, Tc, Ru, Rh, Lu, Hf, W, Re, Os, Ir, Lr, Rf, Db, Sg, Bh, Hs, Mt, Ds, Rg 및 Uub로 이루어진 군에서 선택된 하나 이상의 금속의 이온인 전계전자방출원 제조방법 |
18 |
18 제 13 항에 있어서, 상기 핵산이 DNA, cDNA, cpDNA, msDNA, mtDNA, RNA, mRNA, tRNA, GNA, LNA, PNA, 및 TNA로 이루어진 군에서 선택된 하나 이상인 전계전자방출원 제조방법 |
19 |
19 제 13 항에 있어서, 상기 탄소나노튜브가 단일벽 탄소나노튜브, 이중벽 탄소나노튜브, 다중벽 탄소나노튜브, 금속성 탄소나노튜브 및 반도체성 탄소나노튜브로 이루어진 군에서 선택된 하나 이상인 전계전자방출원 제조방법 |
20 |
20 제 13 항에 있어서, 상기 핵산의 제거가 소성, 에칭, 화학반응, 및 탈착으로 이루어진 군에서 선택되는 하나 이상의 방법에 의하여 수행되는 전계전자방출원 제조방법 |
지정국 정보가 없습니다 |
---|
순번 | 패밀리번호 | 국가코드 | 국가명 | 종류 |
---|---|---|---|---|
1 | US08593049 | US | 미국 | FAMILY |
2 | US20100171407 | US | 미국 | FAMILY |
순번 | 패밀리번호 | 국가코드 | 국가명 | 종류 |
---|---|---|---|---|
1 | US2010171407 | US | 미국 | DOCDBFAMILY |
2 | US8593049 | US | 미국 | DOCDBFAMILY |
국가 R&D 정보가 없습니다. |
---|
특허 등록번호 | 10-1605131-0000 |
---|
표시번호 | 사항 |
---|---|
1 |
출원 연월일 : 20090108 출원 번호 : 1020090001602 공고 연월일 : 20160321 공고 번호 : 특허결정(심결)연월일 : 20151225 청구범위의 항수 : 19 유별 : H01J 1/304 발명의 명칭 : 전계전자방출원, 이를 포함하는 전계전자방출소자 및 이의 제조방법 존속기간(예정)만료일 : |
순위번호 | 사항 |
---|---|
1 |
(권리자) 삼성전자주식회사 경기도 수원시 영통구... |
1 |
(권리자) 고려대학교 산학협력단 서울특별시 성북구... |
제 1 - 3 년분 | 금 액 | 786,000 원 | 2016년 03월 16일 | 납입 |
제 4 년분 | 금 액 | 458,000 원 | 2019년 02월 20일 | 납입 |
제 5 년분 | 금 액 | 458,000 원 | 2020년 02월 25일 | 납입 |
번호 | 서류명 | 접수/발송일자 | 처리상태 | 접수/발송번호 |
---|---|---|---|---|
1 | [특허출원]특허출원서 | 2009.01.08 | 수리 (Accepted) | 1-1-2009-0011877-85 |
2 | 출원인정보변경(경정)신고서 | 2009.06.09 | 수리 (Accepted) | 4-1-2009-5111177-32 |
3 | 출원인정보변경(경정)신고서 | 2010.08.12 | 수리 (Accepted) | 4-1-2010-5149278-93 |
4 | 출원인정보변경(경정)신고서 | 2012.06.21 | 수리 (Accepted) | 4-1-2012-5132663-40 |
5 | [심사청구]심사청구(우선심사신청)서 | 2014.01.07 | 수리 (Accepted) | 1-1-2014-0016737-25 |
6 | 출원인정보변경(경정)신고서 | 2014.02.11 | 수리 (Accepted) | 4-1-2014-5018243-16 |
7 | 출원인정보변경(경정)신고서 | 2014.04.22 | 수리 (Accepted) | 4-1-2014-5049934-62 |
8 | 선행기술조사의뢰서 | 2014.06.03 | 수리 (Accepted) | 9-1-9999-9999999-89 |
9 | 선행기술조사보고서 | 2014.07.10 | 수리 (Accepted) | 9-1-2014-0057279-74 |
10 | 의견제출통지서 | 2014.12.24 | 발송처리완료 (Completion of Transmission) | 9-5-2014-0882917-17 |
11 | [거절이유 등 통지에 따른 의견]의견(답변, 소명)서 | 2015.02.24 | 수리 (Accepted) | 1-1-2015-0181286-06 |
12 | [명세서등 보정]보정서 | 2015.02.24 | 보정승인간주 (Regarded as an acceptance of amendment) | 1-1-2015-0181287-41 |
13 | 의견제출통지서 | 2015.07.21 | 발송처리완료 (Completion of Transmission) | 9-5-2015-0487134-10 |
14 | [명세서등 보정]보정서 | 2015.09.21 | 보정승인간주 (Regarded as an acceptance of amendment) | 1-1-2015-0915271-83 |
15 | [거절이유 등 통지에 따른 의견]의견(답변, 소명)서 | 2015.09.21 | 수리 (Accepted) | 1-1-2015-0915270-37 |
16 | 등록결정서 | 2015.12.25 | 발송처리완료 (Completion of Transmission) | 9-5-2015-0900436-15 |
17 | 출원인정보변경(경정)신고서 | 2019.10.10 | 수리 (Accepted) | 4-1-2019-5210941-09 |
기술정보가 없습니다 |
---|
과제고유번호 | 1345096808 |
---|---|
세부과제번호 | 과C6A1602 |
연구과제명 | BK21정보기술사업단 |
성과구분 | 출원 |
부처명 | 교육과학기술부 |
연구관리전문기관명 | 한국연구재단 |
연구주관기관명 | 고려대학교 |
성과제출연도 | 2009 |
연구기간 | 200603~201302 |
기여율 | 1 |
연구개발단계명 | 응용연구 |
6T분류명 | IT(정보기술) |
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