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CNT(Carbon nanotube) 전계 전자 방출원의 제조 방법에 있어서,(a) 전도성 기판상에 포토레지스트층을 적층시키는 단계(b) 상기 포토레지스트층에 미리 설정된 형상의 패터닝을 수행하여, 상기 전도성 기판의 일부를 노출시키는 단계,(c) 상기 전도성 기판의 노출된 영역에 전기영동방법에 따라 CNT 막을 형성시키는 단계,(d) 상기 전도성 기판상의 상기 포토레지스트층을 제거하는 단계 및(e) 상기 포토레지스트층이 제거된 영역에 도금층을 형성하는 단계를 포함하고,상기 (e) 단계는,상기 전도성 기판을 팔라듐(Pd) 용액에 소정 시간 침지시키는 단계 및상기 전도성 기판을 무전해 금속 도금액에 소정 시간 침지시키는 단계를 포함하는 CNT 전계 전자 방출원의 제조 방법
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제 1 항에 있어서,상기 (b) 단계는, 상기 전도성 기판의 노출된 영역의 너비가 80㎛~300㎛의 값을 갖도록 패터닝을 수행하는 것인 CNT 전계 전자 방출원의 제조 방법
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제 1 항에 있어서,상기 (c) 단계는,(c1) CNT가 분산된 용액에 상기 전도성 기판을 작업전극으로서 침지시키는 단계,(c2) 상기 CNT가 분산된 용액에 상대전극을 침지시키는 단계 및(c3) 상기 작업전극에 양전압을 인가하고, 상기 상대전극에 음전압을 인가하는 단계를 포함하는 CNT 전계 전자 방출원의 제조 방법
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제 3 항에 있어서,상기 CNT가 분산된 용액은 CNT와 물이 포함된 용액에 SDS(sodium dodecyl sulfate) 또는 RNA (Ribonucleic acid)를 첨가한 후 분산과정을 거쳐 생성한 것인 CNT 전계 전자 방출원의 제조 방법
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제 1 항에 있어서,상기 무전해 금속 도금액은 Ni, Cu, Ag, Au, Mo, Ti, Fe, Co, Zn, W, Pt, Pd 및 Sn 중 하나 이상을 금속이온으로서 포함하는 것인 CNT 전계 전자 방출원의 제조 방법
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제 1 항 내지 제 3 항, 및 제6항 중 어느 한 항에 있어서,(f) 상기 도금층이 형성된 전도성 기판에 열처리를 수행하는 단계를 더 포함하는 CNT 전계 전자 방출원의 제조 방법
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CNT(Carbon nanotube) 전계 전자 방출원에 있어서, 전도성 기판,상기 전도성 기판 상에 전기영동방법에 따라 형성된 CNT 막 및상기 CNT 막 사이에 무전해 도금 반응에 따라 형성된 도금층을 포함하되,상기 CNT 막은 상기 전도성 기판상에 적층한 포토레지스트층에 미리 설정된 형상을 패터닝하고, 패터닝에 따라 노출된 상기 전도성 기판의 영역에 결합되도록 형성된 것이고,상기 도금층은 상기 CNT 막의 상기 전도성 기판에 대한 결합을 지지하는 것으로, 상기 포토레지스트층이 제거된 후 상기 전도성 기판을 팔라듐(Pd) 용액에 소정시간 침지시켜 상기 전도성 기판을 활성화시킨 상태에서 형성된 것인 CNT 전계 전자 방출원
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X-선 발생 장치에 있어서,청구항 9의 CNT 전계 전자 방출원 또는 청구항 1의 제조 방법에 따라 제조된 CNT 전계 전자 방출원을 포함하고, 상기 CNT 전계 전자 방출원에 음전압을 인가하여 전자를 방출시키는 음극부 및전자와 충돌시에 X-선을 발생시키는 금속 타겟을 포함하고, 양전압을 인가하여 상기 음극부에서 방출된 전자를 상기 금속 타겟으로 유도하는 양극부를 포함하는 X-선 발생 장치
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제 10 항에 있어서,상기 음극부는 상기 CNT 전계 전자 방출원의 CNT 층을 통해 방출된 전자를 가속시키는 금속 메쉬 전극 및상기 금속 메쉬 전극을 통과한 전자를 집속시키는 금속 집속 렌즈를 포함하는 X-선 발생 장치
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