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탄소나노튜브 전계방출원의 제조 방법

  • 기술번호 : KST2015133008
  • 담당센터 : 서울동부기술혁신센터
  • 전화번호 : 02-2155-3662
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요약, Int. CL, CPC, 출원번호/일자, 출원인, 등록번호/일자, 공개번호/일자, 공고번호/일자, 국제출원번호/일자, 국제공개번호/일자, 우선권정보, 법적상태, 심사진행상태, 심판사항, 구분, 원출원번호/일자, 관련 출원번호, 기술이전 희망, 심사청구여부/일자, 심사청구항수의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 서지정보 표입니다.
요약 탄소나노튜브 전계방출원 제조 방법이 개시되며, 상기 탄소나노튜브 전계방출원 제조 방법은 (a) 핫플레이트 상에 구멍이 패터닝된 기판을 위치하는 단계; (b) 상기 구멍이 패터닝된 기판 상에 탄소나노튜브 박막을 형성하는 단계; (c) 상기 핫플레이트를 제거하고, 상기 탄소나노튜브 박막 상에 금속 호일을 부착하는 단계; (d) 상기 (a), (b), 및 (c) 단계를 수행한 기판을 회전시켜, 상기 구멍을 상부에 노출시키는 단계; (e) 상기 구멍이 패터닝된 기판을 점성이 있는 물질로 표면처리 하는 단계; 및 (f) 상기 점성이 있는 물질을 탈착하여, 상기 탄소나노튜브 박막의 표면을 활성화 하는 단계를 포함한다.
Int. CL H01J 9/02 (2006.01) H01J 35/04 (2006.01) B82B 3/00 (2006.01)
CPC H01J 9/02(2013.01) H01J 9/02(2013.01) H01J 9/02(2013.01) H01J 9/02(2013.01) H01J 9/02(2013.01)
출원번호/일자 1020120015498 (2012.02.15)
출원인 고려대학교 산학협력단
등록번호/일자 10-1282122-0000 (2013.06.28)
공개번호/일자
공고번호/일자 (20130704) 문서열기
국제출원번호/일자
국제공개번호/일자
우선권정보
법적상태 등록
심사진행상태 수리
심판사항
구분 신규
원출원번호/일자
관련 출원번호
심사청구여부/일자 Y (2012.02.15)
심사청구항수 7

출원인

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번호 이름 국적 주소
1 고려대학교 산학협력단 대한민국 서울특별시 성북구

발명자

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번호 이름 국적 주소
1 주병권 대한민국 서울 종로구
2 이양두 대한민국 경기 광명시 광복로**번길
3 빈슨 말레이지아 서울 성북구
4 이근수 대한민국 서울 송파구

대리인

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번호 이름 국적 주소
1 특허법인엠에이피에스 대한민국 서울특별시 강남구 테헤란로*길 **, *층 (역삼동, 한동빌딩)

최종권리자

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번호 이름 국적 주소
1 고려대학교 산학협력단 서울특별시 성북구
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번호 서류명 접수/발송일자 처리상태 접수/발송번호
1 [특허출원]특허출원서
[Patent Application] Patent Application		 2012.02.15 수리 (Accepted) 1-1-2012-0122679-15
2 선행기술조사의뢰서
Request for Prior Art Search		 2013.02.04 수리 (Accepted) 9-1-9999-9999999-89
3 선행기술조사보고서
Report of Prior Art Search		 2013.03.06 수리 (Accepted) 9-1-2013-0011894-32
4 등록결정서
Decision to grant		 2013.06.18 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2013-0415163-33
5 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2014.02.11 수리 (Accepted) 4-1-2014-5018243-16
6 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2014.04.22 수리 (Accepted) 4-1-2014-5049934-62
7 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2019.10.10 수리 (Accepted) 4-1-2019-5210941-09
번호, 청구항의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 청구항 표입니다.
번호 청구항
1 1
탄소나노튜브 전계방출원 제조 방법에 있어서,(a) 핫플레이트 상에 구멍이 패터닝된 기판을 위치하는 단계;(b) 상기 구멍이 패터닝된 기판 상에 탄소나노튜브 박막을 형성하는 단계;(c) 상기 핫플레이트를 제거하고, 상기 탄소나노튜브 박막 상에 금속 호일을 부착하는 단계;(d) 상기 (a), (b), 및 (c) 단계를 수행한 기판을 회전시켜, 상기 구멍을 상부에 노출시키는 단계;(e) 상기 구멍이 패터닝된 기판을 점성이 있는 물질로 표면처리 하는 단계; 및(f) 상기 점성이 있는 물질을 탈착하여, 상기 탄소나노튜브 박막의 표면을 활성화 하는 단계를 포함하는 탄소나노튜브 전계방출원 제조 방법
2 2
제 1항에 있어서,상기 기판에 패터닝된 구멍의 지름은 상기 탄소나노튜브 박막을 형성할 때 생성되는 탄소나노튜브 길이의 1/2인 탄소나노튜브 전계방출원 제조 방법
3 3
제 1항에 있어서,상기 (b) 단계는 스프레이 공정을 통해 탄소나노튜브 박막을 형성하는 탄소나노튜브 전계방출원 제조 방법
4 4
제 1항에 있어서,상기 (c) 단계는 상기 탄소나노튜브 박막 상에 상기 금속 호일 부착시 실버 페이스트를 이용하는 탄소나노튜브 전계방출원 제조 방법
5 5
제 1항에 있어서,상기 (d) 단계는 최하부에 상기 금속 호일이 위치하고, 상기 금속 호일 상에 탄소나노튜브 박막, 및 상기 구멍이 패터닝된 기판이 순차적으로 위치하도록 하는 탄소나노튜브 전계방출원 제조 방법
6 6
제 1항에 있어서,상기 (e) 단계는 표면처리 하는 물질로 PDMS(polydimethylsiloxane)를 이용하는 탄소나노튜브 전계방출원 제조 방법
7 7
제 1항에 있어서,상기 (f) 단계의 수행에 따라 상기 구멍을 통해 노출된 탄소나노튜브는 기판과 수직 방향으로 배열되는 것인 탄소나노튜브 전계방출원 제조 방법
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순번 연구부처 주관기관 연구사업 연구과제
1 한국산업기술평가관리원 (주)효성 산업원천기술개발사업 [2차년도]나노소재기반 멀티엑스선원 및 단층합성영상 시스템 기술 개발(고휘도 장수면 전계방출 나노소재 개발)