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탄소나노튜브를 이용한 전계방출원의 제조방법

  • 기술번호 : KST2015132390
  • 담당센터 : 서울동부기술혁신센터
  • 전화번호 : 02-2155-3662
요약, Int. CL, CPC, 출원번호/일자, 출원인, 등록번호/일자, 공개번호/일자, 공고번호/일자, 국제출원번호/일자, 국제공개번호/일자, 우선권정보, 법적상태, 심사진행상태, 심판사항, 구분, 원출원번호/일자, 관련 출원번호, 기술이전 희망, 심사청구여부/일자, 심사청구항수의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 서지정보 표입니다.
요약 본 발명에 따른 탄소나노튜브(CNT)를 이용한 전계방출원의 제조방법은 금속 기판을 금속 에칭 용액에 침지하여 표면처리 하는 단계, 스크린 인쇄 방법에 따라 상기 탄소나노튜브 페이스트를 상기 금속 기판에 접착시켜 전계방출 에미터를 형성시키는 단계, 상기 전계방출 에미터가 형성된 금속 기판을 열처리하는 단계 및 상기 열처리된 금속 기판을 전기적 균질화 처리하는 단계를 포함한다.
Int. CL H01J 9/02 (2006.01) H01J 1/304 (2006.01)
CPC H01J 1/304(2013.01) H01J 1/304(2013.01) H01J 1/304(2013.01) H01J 1/304(2013.01) H01J 1/304(2013.01)
출원번호/일자 1020130006411 (2013.01.21)
출원인 고려대학교 산학협력단
등록번호/일자
공개번호/일자 10-2014-0094699 (2014.07.31) 문서열기
공고번호/일자
국제출원번호/일자
국제공개번호/일자
우선권정보
법적상태 거절
심사진행상태 수리
심판사항
구분 신규
원출원번호/일자
관련 출원번호
심사청구여부/일자 Y (2013.01.21)
심사청구항수 8

출원인

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번호 이름 국적 주소
1 고려대학교 산학협력단 대한민국 서울특별시 성북구

발명자

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번호 이름 국적 주소
1 이양두 대한민국 경기 광명시 광복로**번길
2 주병권 대한민국 서울 종로구
3 반채민 대한민국 충북 청주시 흥덕구
4 강병현 대한민국 충청남도 당진군

대리인

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번호 이름 국적 주소
1 특허법인엠에이피에스 대한민국 서울특별시 강남구 테헤란로*길 **, *층 (역삼동, 한동빌딩)

최종권리자

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번호 이름 국적 주소
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번호, 서류명, 접수/발송일자, 처리상태, 접수/발송일자의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 행정처리 표입니다.
번호 서류명 접수/발송일자 처리상태 접수/발송번호
1 [특허출원]특허출원서
[Patent Application] Patent Application
2013.01.21 수리 (Accepted) 1-1-2013-0055990-84
2 [출원서등 보정]보정서
[Amendment to Patent Application, etc.] Amendment
2013.01.22 수리 (Accepted) 1-1-2013-0060115-89
3 선행기술조사의뢰서
Request for Prior Art Search
2013.11.06 수리 (Accepted) 9-1-9999-9999999-89
4 선행기술조사보고서
Report of Prior Art Search
2013.12.17 수리 (Accepted) 9-1-2013-0103005-61
5 의견제출통지서
Notification of reason for refusal
2013.12.23 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2013-0888808-44
6 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information
2014.02.11 수리 (Accepted) 4-1-2014-5018243-16
7 [거절이유 등 통지에 따른 의견]의견(답변, 소명)서
[Opinion according to the Notification of Reasons for Refusal] Written Opinion(Written Reply, Written Substantiation)
2014.02.24 수리 (Accepted) 1-1-2014-0175707-06
8 [명세서등 보정]보정서
[Amendment to Description, etc.] Amendment
2014.02.24 보정승인간주 (Regarded as an acceptance of amendment) 1-1-2014-0175708-41
9 의견제출통지서
Notification of reason for refusal
2014.03.06 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2014-0164131-07
10 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information
2014.04.22 수리 (Accepted) 4-1-2014-5049934-62
11 [지정기간연장]기간연장(단축, 경과구제)신청서
[Designated Period Extension] Application of Period Extension(Reduction, Progress relief)
2014.04.30 수리 (Accepted) 1-1-2014-0414309-22
12 [대리인선임]대리인(대표자)에 관한 신고서
[Appointment of Agent] Report on Agent (Representative)
2014.05.27 수리 (Accepted) 1-1-2014-0497284-47
13 [거절이유 등 통지에 따른 의견]의견(답변, 소명)서
[Opinion according to the Notification of Reasons for Refusal] Written Opinion(Written Reply, Written Substantiation)
2014.06.09 수리 (Accepted) 1-1-2014-0535006-53
14 [명세서등 보정]보정서
[Amendment to Description, etc.] Amendment
2014.06.09 보정승인간주 (Regarded as an acceptance of amendment) 1-1-2014-0535007-09
15 거절결정서
Decision to Refuse a Patent
2014.08.01 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2014-0527117-26
16 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information
2019.10.10 수리 (Accepted) 4-1-2019-5210941-09
번호, 청구항의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 청구항 표입니다.
번호 청구항
1 1
탄소나노튜브(CNT)를 이용한 전계방출원의 제조방법에 있어서,금속 기판을 금속 에칭 용액에 침지하여 표면처리 하는 단계,스크린 인쇄 방법에 따라 상기 탄소나노튜브 페이스트를 상기 금속 기판에 접착시켜 전계방출 에미터를 형성시키는 단계,상기 전계방출 에미터가 형성된 금속 기판을 열처리하는 단계 및상기 열처리된 금속 기판을 전기적 균질화 처리하는 단계를 포함하는 탄소나노튜브를 이용한 전계방출원의 제조방법
2 2
제 1 항에 있어서,상기 금속 기판은 Cr, Fe, Ni 및 Co 중 하나 이상을 포함하는 단성분, 이성분 또는 삼성분의 합금으로 이루어진 것인 탄소나노튜브를 이용한 전계방출원의 제조방법
3 3
제 1 항에 있어서,상기 금속 기판은 Fe-Co-Ni 성분을 포함하는 KOVAR 합금 또는 Fe-Cr-Ni 성분을 포함하는 스테인레스강으로 이루어지는 것인 탄소나노튜브를 이용한 전계방출원의 제조방법
4 4
제 1 항에 있어서,상기 금속 에칭 용액은 FeCl3, HF, HNO3, H3PO4 및 크롬 부식액 중 하나 이상을 포함하는 것인 탄소나노튜브를 이용한 전계방출원의 제조방법
5 5
제 1 항에 있어서,상기 표면처리 하는 단계는 상기 금속 기판의 표면 거칠기 또는 요철을 증가시키는 것인 탄소나노튜브를 이용한 전계방출원의 제조방법
6 6
제 1 항에 있어서,상기 탄소나노튜브 페이스트는 탄소나노튜브, Ni 나노분말, TiO2 나노분말, 아크릴레이트 및 텍사놀을 포함하는 것인 탄소나노튜브를 이용한 전계방출원의 제조방법
7 7
제 1 항에 있어서,상기 탄소나노튜브 페이스트는 탄소나노튜브, 에틸셀룰로스 및 터피놀을 포함하는 것인 탄소나노튜브를 이용한 전계방출원의 제조방법
8 8
제 1 항에 있어서,상기 탄소나노튜브 페이스트는 탄소나노튜브, 아크릴레이트 및 텍사놀을 포함하는 것인 탄소나노튜브를 이용한 전계방출원의 제조방법
9 9
제 1 항에 있어서,상기 에미터가 형성된 금속 기판을 열처리하는 단계는,공기 중에 30~60분 동안 350~400도에서 열처리 하는 것인 탄소나노튜브를 이용한 전계방출원의 제조방법
10 10
제 1 항에 있어서,상기 열처리된 금속 기판을 전기적 균질화 처리하는 단계는,상기 금속 기판을 음극 기판으로 하고, 상기 금속 기판 및 양극 기판 사이를 스페이서를 이용하여 일정 간격이 유지되도록 정렬하여 전계방출 특성을 측정하는 단계를 더 포함하되,상기 스페이서는 유리 또는 세라믹인 것인 탄소나노튜브를 이용한 전계방출원의 제조방법
11 11
제 10 항에 있어서,상기 양극 기판은 금속 기판 또는 형광체가 도포된 투명전극 유리인 것인 탄소나노튜브를 이용한 전계방출원의 제조방법
12 12
제 1 항 내지 제 11 항 중 어느 한 항에 따른 제조방법에 의하여 제조된 전계방출원
지정국 정보가 없습니다
패밀리정보가 없습니다
순번, 연구부처, 주관기관, 연구사업, 연구과제의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 국가R&D 연구정보 정보 표입니다.
순번 연구부처 주관기관 연구사업 연구과제
1 지식경제부 ㈜효성 산업융합기술산업원천기술개발사업 고휘도 장수명 전계방출 나노소재 개발