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탄소나노튜브(CNT)를 이용한 전계방출원의 제조방법에 있어서,금속 기판을 금속 에칭 용액에 침지하여 표면처리 하는 단계,스크린 인쇄 방법에 따라 상기 탄소나노튜브 페이스트를 상기 금속 기판에 접착시켜 전계방출 에미터를 형성시키는 단계,상기 전계방출 에미터가 형성된 금속 기판을 열처리하는 단계 및상기 열처리된 금속 기판을 전기적 균질화 처리하는 단계를 포함하는 탄소나노튜브를 이용한 전계방출원의 제조방법
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제 1 항에 있어서,상기 금속 기판은 Cr, Fe, Ni 및 Co 중 하나 이상을 포함하는 단성분, 이성분 또는 삼성분의 합금으로 이루어진 것인 탄소나노튜브를 이용한 전계방출원의 제조방법
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제 1 항에 있어서,상기 금속 기판은 Fe-Co-Ni 성분을 포함하는 KOVAR 합금 또는 Fe-Cr-Ni 성분을 포함하는 스테인레스강으로 이루어지는 것인 탄소나노튜브를 이용한 전계방출원의 제조방법
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제 1 항에 있어서,상기 금속 에칭 용액은 FeCl3, HF, HNO3, H3PO4 및 크롬 부식액 중 하나 이상을 포함하는 것인 탄소나노튜브를 이용한 전계방출원의 제조방법
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제 1 항에 있어서,상기 표면처리 하는 단계는 상기 금속 기판의 표면 거칠기 또는 요철을 증가시키는 것인 탄소나노튜브를 이용한 전계방출원의 제조방법
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제 1 항에 있어서,상기 탄소나노튜브 페이스트는 탄소나노튜브, Ni 나노분말, TiO2 나노분말, 아크릴레이트 및 텍사놀을 포함하는 것인 탄소나노튜브를 이용한 전계방출원의 제조방법
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제 1 항에 있어서,상기 탄소나노튜브 페이스트는 탄소나노튜브, 에틸셀룰로스 및 터피놀을 포함하는 것인 탄소나노튜브를 이용한 전계방출원의 제조방법
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제 1 항에 있어서,상기 탄소나노튜브 페이스트는 탄소나노튜브, 아크릴레이트 및 텍사놀을 포함하는 것인 탄소나노튜브를 이용한 전계방출원의 제조방법
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제 1 항에 있어서,상기 에미터가 형성된 금속 기판을 열처리하는 단계는,공기 중에 30~60분 동안 350~400도에서 열처리 하는 것인 탄소나노튜브를 이용한 전계방출원의 제조방법
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제 1 항에 있어서,상기 열처리된 금속 기판을 전기적 균질화 처리하는 단계는,상기 금속 기판을 음극 기판으로 하고, 상기 금속 기판 및 양극 기판 사이를 스페이서를 이용하여 일정 간격이 유지되도록 정렬하여 전계방출 특성을 측정하는 단계를 더 포함하되,상기 스페이서는 유리 또는 세라믹인 것인 탄소나노튜브를 이용한 전계방출원의 제조방법
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제 10 항에 있어서,상기 양극 기판은 금속 기판 또는 형광체가 도포된 투명전극 유리인 것인 탄소나노튜브를 이용한 전계방출원의 제조방법
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제 1 항 내지 제 11 항 중 어느 한 항에 따른 제조방법에 의하여 제조된 전계방출원
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