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트랜지스터 및 상기 트랜지스터를 포함한 전자 장치

  • 기술번호 : KST2015135490
  • 담당센터 : 서울동부기술혁신센터
  • 전화번호 : 02-2155-3662
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요약, Int. CL, CPC, 출원번호/일자, 출원인, 등록번호/일자, 공개번호/일자, 공고번호/일자, 국제출원번호/일자, 국제공개번호/일자, 우선권정보, 법적상태, 심사진행상태, 심판사항, 구분, 원출원번호/일자, 관련 출원번호, 기술이전 희망, 심사청구여부/일자, 심사청구항수의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 서지정보 표입니다.
요약 트랜지스터 및 상기 트랜지스터를 포함한 전자 장치가 개시된다. 상기 트랜지스터는 불소계 물질을 포함하는 채널층-보호 영역을 포함한다.트랜지스터
Int. CL H01L 29/786 (2006.01.01) G02F 1/136 (2006.01.01)
CPC H01L 29/7869(2013.01) H01L 29/7869(2013.01) H01L 29/7869(2013.01) H01L 29/7869(2013.01) H01L 29/7869(2013.01)
출원번호/일자 1020090121407 (2009.12.08)
출원인 삼성전자주식회사, 서울대학교산학협력단
등록번호/일자 10-1615636-0000 (2016.04.20)
공개번호/일자 10-2011-0064701 (2011.06.15) 문서열기
공고번호/일자 (20160427) 문서열기
국제출원번호/일자
국제공개번호/일자
우선권정보
법적상태 등록
심사진행상태 수리
심판사항
구분 신규
원출원번호/일자
관련 출원번호
심사청구여부/일자 Y (2014.05.29)
심사청구항수 6

출원인

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번호 이름 국적 주소
1 삼성전자주식회사 대한민국 경기도 수원시 영통구
2 서울대학교산학협력단 대한민국 서울특별시 관악구

발명자

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번호 이름 국적 주소
1 이재철 대한민국 경기도 수원시 권선구
2 이창승 대한민국 경기도 용인시 처인구
3 오세정 대한민국 서울특별시 관악구
4 베나야드 아나스 모로코 경기도 용인시 기흥구
5 정재관 대한민국 서울특별시 강남구
6 이은하 대한민국 서울특별시 강남구
7 김상욱 대한민국 경기도 용인시 수지구

대리인

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번호 이름 국적 주소
1 리앤목특허법인 대한민국 서울 강남구 언주로 **길 **, *층, **층, **층, **층(도곡동, 대림아크로텔)

최종권리자

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번호 이름 국적 주소
1 삼성전자주식회사 경기도 수원시 영통구
2 서울대학교산학협력단 서울특별시 관악구
번호, 서류명, 접수/발송일자, 처리상태, 접수/발송일자의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 행정처리 표입니다.
번호 서류명 접수/발송일자 처리상태 접수/발송번호
1 [특허출원]특허출원서
[Patent Application] Patent Application		 2009.12.08 수리 (Accepted) 1-1-2009-0758256-17
2 [출원서등 보정]보정서
[Amendment to Patent Application, etc.] Amendment		 2010.08.13 수리 (Accepted) 1-1-2010-0521979-20
3 [출원인변경]권리관계변경신고서
[Change of Applicant] Report on Change of Proprietary Status		 2010.08.17 수리 (Accepted) 1-1-2010-5027986-24
4 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2011.09.27 수리 (Accepted) 4-1-2011-5195109-43
5 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2012.06.21 수리 (Accepted) 4-1-2012-5132663-40
6 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2013.01.14 수리 (Accepted) 4-1-2013-5007213-54
7 [심사청구]심사청구(우선심사신청)서
[Request for Examination] Request for Examination (Request for Preferential Examination)		 2014.05.29 수리 (Accepted) 1-1-2014-0511666-15
8 선행기술조사의뢰서
Request for Prior Art Search		 2015.03.11 수리 (Accepted) 9-1-9999-9999999-89
9 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2015.03.17 수리 (Accepted) 4-1-2015-5033829-92
10 선행기술조사보고서
Report of Prior Art Search		 2015.05.11 수리 (Accepted) 9-1-2015-0033446-86
11 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2015.05.13 수리 (Accepted) 4-1-2015-5062924-01
12 의견제출통지서
Notification of reason for refusal		 2015.07.13 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2015-0466815-57
13 [명세서등 보정]보정서
[Amendment to Description, etc.] Amendment		 2015.09.09 보정승인간주 (Regarded as an acceptance of amendment) 1-1-2015-0878683-77
14 [거절이유 등 통지에 따른 의견]의견(답변, 소명)서
[Opinion according to the Notification of Reasons for Refusal] Written Opinion(Written Reply, Written Substantiation)		 2015.09.09 수리 (Accepted) 1-1-2015-0878682-21
15 거절결정서
Decision to Refuse a Patent		 2016.01.12 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2016-0028109-14
16 [명세서등 보정]보정서(재심사)
Amendment to Description, etc(Reexamination)		 2016.01.25 보정승인 (Acceptance of amendment) 1-1-2016-0079504-84
17 [거절이유 등 통지에 따른 의견]의견(답변, 소명)서
[Opinion according to the Notification of Reasons for Refusal] Written Opinion(Written Reply, Written Substantiation)		 2016.01.25 수리 (Accepted) 1-1-2016-0079493-69
18 등록결정서
Decision to Grant Registration		 2016.02.04 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2016-0098559-10
19 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2019.05.13 수리 (Accepted) 4-1-2019-5093546-10
20 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2019.05.23 수리 (Accepted) 4-1-2019-5101798-31
21 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2019.08.02 수리 (Accepted) 4-1-2019-5154561-59
22 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2020.11.25 수리 (Accepted) 4-1-2020-5265458-48
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번호 청구항
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기판;Zn-함유 산화물을 포함한 채널층; 상기 채널층의 양단에 각각 접촉된 소오스 및 드레인; 상기 채널층에 대응하는 게이트; 및 상기 채널층과 상기 게이트를 절연시키는 게이트 절연층;을 포함하고,상기 채널층은 상기 기판과 인접한 제1면 및 상기 제1면에 대향되는 제2면을 포함하고, 상기 제2면 상에 불소계 물질을 포함하는 채널층-보호 영역이 존재하고,상기 불소계 물질을 포함하는 채널층-보호 영역이 불소계 물질-함유층을 포함하고,상기 불소계 물질-함유층 중 불소계 물질이 폴리플루오로비닐리덴, 플루오로올레핀, 폴리테트라플루오로에틸렌, 폴리헥사플루오로에틸렌, 플루오로에틸렌프로필렌, 퍼플루오로폴리에테르, 퍼플루오로페닐렌, 퍼플루오로비페닐렌, 퍼플루오로나프탈렌 및 이들 중 2 이상의 조합으로 이루어진 군으로부터 선택된 트랜지스터
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제15항에 있어서, 상기 불소계 물질-함유층 중 불소계 물질이 폴리테트라플루오로에틸렌인 트랜지스터
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제15항에 있어서, 상기 Zn-함유 산화물이 제1성분을 더 포함하고, 상기 제1성분은 Hf, Y, Ta, Zr, Ga, Al, In, Fe, Sc, Lu, Yb, Tm, Er, Ho, Y, Mn, Co, Ni, Ti, Ge, Cu, Mo, 및 이들 중 2 이상의 조합으로 이루어진 군으로부터 선택된 트랜지스터
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19 19
제15항에 있어서,상기 기판과 상기 채널층 사이에 상기 게이트가 개재되어 있는 트랜지스터
20 20
제15항에 있어서,상기 기판과 상기 게이트 사이에 상기 채널층이 개재되어 있는 트랜지스터
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제15항 내지 제17항, 제19항 및 제20항 중 어느 한 항의 트랜지스터를 포함한 전자 장치
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순번 패밀리번호 국가코드 국가명 종류
1 US08426852 US 미국 FAMILY
2 US20110133176 US 미국 FAMILY

DOCDB 패밀리 정보

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순번 패밀리번호 국가코드 국가명 종류
1 US2011133176 US 미국 DOCDBFAMILY
2 US8426852 US 미국 DOCDBFAMILY
국가 R&D 정보가 없습니다.