맞춤기술찾기

홈으로 가기
맞춤기술찾기
이전대상기술
프린트하기

이전대상기술

트랜지스터 및 이를 포함하는 전자소자

  • 기술번호 : KST2015135492
  • 담당센터 : 서울동부기술혁신센터
  • 전화번호 : 02-2155-3662
상담신청 PDF 받기
요약, Int. CL, CPC, 출원번호/일자, 출원인, 등록번호/일자, 공개번호/일자, 공고번호/일자, 국제출원번호/일자, 국제공개번호/일자, 우선권정보, 법적상태, 심사진행상태, 심판사항, 구분, 원출원번호/일자, 관련 출원번호, 기술이전 희망, 심사청구여부/일자, 심사청구항수의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 서지정보 표입니다.
요약 트랜지스터 및 이를 포함하는 전자소자에 관해 개시되어 있다. 개시된 트랜지스터는 게이트절연층과 게이트 사이에 전하 블로킹층(charge blocking layer)을 포함할 수 있다. 상기 전하 블로킹층에 의해 상기 게이트절연층과 상기 게이트 사이의 에너지 장벽(energy barrier)이 증가될 수 있다. 상기 트랜지스터는 산화물 반도체로 형성된 채널층을 포함하는 산화물 트랜지스터일 수 있다.
Int. CL H01L 29/786 (2006.01.01) G02F 1/136 (2006.01.01)
CPC H01L 29/7869(2013.01) H01L 29/7869(2013.01)
출원번호/일자 1020100099542 (2010.10.12)
출원인 삼성전자주식회사, 서울대학교산학협력단
등록번호/일자
공개번호/일자 10-2012-0037838 (2012.04.20) 문서열기
공고번호/일자
국제출원번호/일자
국제공개번호/일자
우선권정보
법적상태 거절
심사진행상태 수리
심판사항
구분 신규
원출원번호/일자
관련 출원번호
심사청구여부/일자 Y (2015.03.13)
심사청구항수 20

출원인

번호, 이름, 국적, 주소의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 인명정보 - 출원인 표입니다.
번호 이름 국적 주소
1 삼성전자주식회사 대한민국 경기도 수원시 영통구
2 서울대학교산학협력단 대한민국 서울특별시 관악구

발명자

번호, 이름, 국적, 주소의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 인명정보 - 발명자 표입니다.
번호 이름 국적 주소
1 권대웅 대한민국 서울특별시 서초구
2 박재철 대한민국 경기도 수원시 영통구
3 박병국 대한민국 서울특별시 서초구
4 김상완 대한민국 서울특별시 관악구
5 김장현 대한민국 서울특별시 관악구
6 장지수 대한민국 서울특별시 성동구

대리인

번호, 이름, 국적, 주소의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 인명정보 - 대리인 표입니다.
번호 이름 국적 주소
1 리앤목특허법인 대한민국 서울 강남구 언주로 **길 **, *층, **층, **층, **층(도곡동, 대림아크로텔)

최종권리자

번호, 이름, 국적, 주소의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 인명정보 - 최종권리자 표입니다.
번호 이름 국적 주소
최종권리자 정보가 없습니다
번호, 서류명, 접수/발송일자, 처리상태, 접수/발송일자의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 행정처리 표입니다.
번호 서류명 접수/발송일자 처리상태 접수/발송번호
1 [특허출원]특허출원서
[Patent Application] Patent Application		 2010.10.12 수리 (Accepted) 1-1-2010-0659500-22
2 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2011.09.27 수리 (Accepted) 4-1-2011-5195109-43
3 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2012.06.21 수리 (Accepted) 4-1-2012-5132663-40
4 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2013.01.14 수리 (Accepted) 4-1-2013-5007213-54
5 [심사청구]심사청구(우선심사신청)서
[Request for Examination] Request for Examination (Request for Preferential Examination)		 2015.03.13 수리 (Accepted) 1-1-2015-0249117-71
6 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2015.03.17 수리 (Accepted) 4-1-2015-5033829-92
7 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2015.05.13 수리 (Accepted) 4-1-2015-5062924-01
8 의견제출통지서
Notification of reason for refusal		 2016.06.21 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2016-0448427-68
9 [명세서등 보정]보정서
[Amendment to Description, etc.] Amendment		 2016.08.22 보정승인간주 (Regarded as an acceptance of amendment) 1-1-2016-0816143-37
10 [거절이유 등 통지에 따른 의견]의견(답변, 소명)서
[Opinion according to the Notification of Reasons for Refusal] Written Opinion(Written Reply, Written Substantiation)		 2016.08.22 수리 (Accepted) 1-1-2016-0816142-92
11 거절결정서
Decision to Refuse a Patent		 2016.10.27 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2016-0774184-71
12 [명세서등 보정]보정서(재심사)
Amendment to Description, etc(Reexamination)		 2016.11.28 보정각하 (Rejection of amendment) 1-1-2016-1165443-61
13 [거절이유 등 통지에 따른 의견]의견(답변, 소명)서
[Opinion according to the Notification of Reasons for Refusal] Written Opinion(Written Reply, Written Substantiation)		 2016.11.28 수리 (Accepted) 1-1-2016-1165442-15
14 보정각하결정서
Decision of Rejection for Amendment		 2016.12.02 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2016-0873531-66
15 거절결정서
Decision to Refuse a Patent		 2016.12.02 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2016-0873532-12
16 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2019.05.13 수리 (Accepted) 4-1-2019-5093546-10
17 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2019.05.23 수리 (Accepted) 4-1-2019-5101798-31
18 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2019.08.02 수리 (Accepted) 4-1-2019-5154561-59
19 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2020.11.25 수리 (Accepted) 4-1-2020-5265458-48
번호, 청구항의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 청구항 표입니다.
번호 청구항
1 1
산화물 반도체를 포함하는 채널층; 상기 채널층의 양단에 각각 접촉된 소오스 및 드레인; 상기 채널층에 대응하는 게이트; 상기 채널층과 상기 게이트 사이에 구비된 게이트절연층; 및 상기 게이트절연층과 상기 게이트 사이에 구비된 전하 블로킹층(charge blocking layer);을 포함하고, 상기 전하 블로킹층에 의해 상기 게이트절연층과 상기 게이트 사이의 에너지 장벽(energy barrier)이 증가되는 트랜지스터
2 2
제 1 항에 있어서, 상기 채널층은 ZnO 계열 산화물을 포함하는 트랜지스터
3 3
제 2 항에 있어서, 상기 ZnO 계열 산화물은 Hf, Y, Ta, Zr, Ti, Cu, Ni, Cr, In, Ga, Al, Sn, 및 Mg 중 적어도 하나를 더 포함하는 트랜지스터
4 4
제 3 항에 있어서, 상기 ZnO 계열 산화물은 HfInZnO 인 트랜지스터
5 5
제 1 항에 있어서, 상기 게이트절연층은 실리콘 산화물층 및 실리콘 질화물층 중 적어도 하나를 포함하는 트랜지스터
6 6
제 1 항에 있어서, 상기 게이트절연층은 상기 채널층 측으로부터 순차 배열되는 실리콘 산화물층 및 실리콘 질화물층을 포함하는 트랜지스터
7 7
제 1 내지 6 항 중 어느 한 항에 있어서, 상기 전하 블로킹층은 산화물층을 포함하는 트랜지스터
8 8
제 7 항에 있어서, 상기 전하 블로킹층은 실리콘 산화물, 알루미늄 산화물, 하프늄 산화물, 지르코늄 산화물, 이트륨 산화물 및 탄탈륨 산화물 중 적어도 하나를 포함하는 트랜지스터
9 9
제 1 항에 있어서, 상기 전하 블로킹층은 20～150 nm 의 두께를 갖는 트랜지스터
10 10
제 1 항에 있어서, 상기 게이트는 상기 채널층 위에 구비된 트랜지스터
11 11
제 1 항에 있어서, 상기 게이트는 상기 채널층 아래에 구비된 트랜지스터
12 12
청구항 1에 기재된 트랜지스터를 포함하는 평판표시장치
13 13
산화물 반도체를 포함하는 채널층; 상기 채널층의 양단에 각각 접촉된 소오스 및 드레인; 상기 채널층에 대응하는 게이트; 및 상기 채널층과 상기 게이트 사이에 구비된 것으로, 상기 채널층 측으로부터 순차 배열되는 제1산화물층, 질화물층 및 제2산화물층을 포함하는 게이트절연층;을 구비하는 트랜지스터
14 14
제 13 항에 있어서, 상기 채널층은 ZnO 계열 산화물을 포함하는 트랜지스터
15 15
제 14 항에 있어서, 상기 ZnO 계열 산화물은 Hf, Y, Ta, Zr, Ti, Cu, Ni, Cr, In, Ga, Al, Sn, 및 Mg 중 적어도 하나를 더 포함하는 트랜지스터
16 16
제 13 항에 있어서, 상기 제1산화물층은 실리콘 산화물을 포함하는 트랜지스터
17 17
제 13 항에 있어서, 상기 질화물층은 실리콘 질화물을 포함하는 트랜지스터
18 18
제 13 항에 있어서, 상기 제2산화물층은 실리콘 산화물, 알루미늄 산화물, 하프늄 산화물, 지르코늄 산화물, 이트륨 산화물 및 탄탈륨 산화물 중 적어도 하나를 포함하는 트랜지스터
19 19
제 13 항에 있어서, 상기 제2산화물층은 상기 질화물층과 상기 게이트 사이의 에너지 장벽을 높이는 물질을 포함하는 트랜지스터
20 20
제 13 항에 있어서, 상기 제1산화물층은 20～150 nm 의 두께를 갖는 트랜지스터
21 21
제 13 항에 있어서, 상기 질화물층은 50～250 nm 의 두께를 갖는 트랜지스터
22 22
제 13 항에 있어서, 상기 제2산화물층은 20～150 nm 의 두께를 갖는 트랜지스터
23 23
제 13 항에 있어서, 상기 게이트는 상기 채널층 위에 구비된 트랜지스터
24 24
제 13 항에 있어서, 상기 게이트는 상기 채널층 아래에 구비된 트랜지스터
25 25
청구항 13에 기재된 트랜지스터를 포함하는 평판표시장치
지정국 정보가 없습니다
순번, 패밀리번호, 국가코드, 국가명, 종류의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 패밀리정보 - 패밀리정보 표입니다.
순번 패밀리번호 국가코드 국가명 종류
1 US09123817 US 미국 FAMILY
2 US20120085998 US 미국 FAMILY

DOCDB 패밀리 정보

순번, 패밀리번호, 국가코드, 국가명, 종류의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 패밀리정보 - DOCDB 패밀리 정보 표입니다.
순번 패밀리번호 국가코드 국가명 종류
1 US2012085998 US 미국 DOCDBFAMILY
2 US9123817 US 미국 DOCDBFAMILY
국가 R&D 정보가 없습니다.