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절연 기판을 구비하는 기판 구비 단계;상기 기판 상부에 게이트 전극을 형성하는 게이트 전극 형성 단계;상기 기판 및 상기 게이트 전극 상부에 게이트 절연막을 형성하는 게이트 절연막 형성 단계;상기 게이트 절연막 상부에 반도체층을 증착시키는 반도체층 형성 단계;상기 반도체층 상부에 양성 포토레지스트 및 게이트 전극에 대응하여 패턴이 형성된 마스크를 이용한 사진식각공정으로 보호층을 형성하는 제 1 사진식각단계; 및상기 보호층 및 상기 반도체층 상부에 음성 포토레지스트 및 상기 마스크를 이용한 사진식각공정으로 상기 보호층의 일부가 노출되도록 소스/드레인 전극을 형성하는 제 2 사진식각단계를 포함하는 것을 특징으로 하는 박막 트랜지스터의 제조 방법
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제 1 항에 있어서,상기 제 1 사진식각단계는상기 반도체층 상부에 보호물질을 증착시키는 보호물질층 형성 단계;상기 보호물질층 상부에 양성 포토레지스트층을 도포하는 양성 포토레지스트층 형성 단계;상기 마스크를 통해, 상기 양성 포토레지스트층에 대하여 노광하여, 상기 양성 포토레지스트층을 패터닝하는 양성 포토레지스트층 패터닝 단계;상기 패터닝된 양성 포토레지스트층을 식각 마스크로 하여 상기 보호물질층을 식각하여 패터닝된 상기 보호층을 형성하는 보호층 형성 단계; 및상기 패터닝된 양성 포토레지스트층을 제거하는 양성 포토레지스트층 제거 단계를 포함하는 것을 특징으로 하는 박막 트랜지스터의 제조 방법
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제 2 항에 있어서,상기 보호층 형성 단계에서, 상기 식각은 상기 보호물질층 하부의 상기 반도체층에까지 이루어지는 것을 특징으로 하는 박막 트랜지스터의 제조 방법
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제 2 항에 있어서,상기 보호물질층은 금속-산화물(Metal-Oxide)로 이루어지는 것을 특징으로 하는 박막 트랜지스터의 제조 방법
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제 4 항에 있어서,상기 보호물질층은 산화 알루미늄, 산화 구리, 산화 니켈, 산화 마그네슘 및 산화 지르코니아로 이루어진 군에서 선택된 어느 하나로 이루어진 것을 특징으로 하는 박막 트랜지스터의 제조 방법
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제 2 항에 있어서,상기 보호물질층 형성 단계는 상기 반도체층 상부에 금속 물질을 증착한 후, 상기 금속 물질에 대하여 화학기상증착에 의한 산화 또는 열처리(Thermal Annealing)를 하여, 금속-산화물층을 형성하는 것을 특징으로 하는 박막 트랜지스터의 제조 방법
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제 2 항에 있어서,상기 보호물질층 형성 단계는 화학 기상 증착법 또는 물리 기상 증착법 중 어느 하나로 행하여 지는 것을 특징으로 하는 박막 트랜지스터의 제조 방법
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제 2 항에 있어서,상기 보호물질층 형성 단계는 상기 반도체층에 대하여 플라즈마 처리를 한 후 상기 보호물질층을 증착하는 것을 특징으로 하는 박막 트랜지스터의 제조 방법
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제 1 항에 있어서,상기 제 2 사진식각단계는상기 보호층 및 상기 반도체층 상부에 소스/드레인 전극 물질을 증착시키는 소스/드레인 전극 물질층 형성 단계;상기 소스/드레인 전극 물질층 상부에 음성 포토레지스트층을 도포하는 음성 포토레지스트층 형성 단계;상기 마스크를 통해, 상기 음성 포토레지스트층에 대하여 노광하여, 상기 음성 포토레지스트층을 패터닝하는 음성 포토레지스트층 패터닝 단계;상기 패터닝된 음성 포토레지스트층을 식각 마스크로 하여 상기 소스/드레인 전극 물질층을 식각하여 패터닝된 상기 소스/드레인 전극을 형성하는 소스/드레인 전극 형성 단계; 및상기 패터닝된 음성 포토레지스트층을 제거하는 음성 포토레지스트층 제거 단계를 포함하는 것을 특징으로 하는 박막 트랜지스터의 제조 방법
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제 9 항에 있어서,상기 소스/드레인 전극 물질층 형성 단계 이전에, 상기 보호층 및 상기 반도체층 상부에 비정질 실리콘층을 더 증착하는 비정질 실리콘층 형성 단계를 더 포함하며, 상기 비정질 실리콘층은 상기 소스/드레인 전극 형성 단계에서, 상기 패터닝된 음성 포토레지스트층을 식각 마스크로 하여 상기 소스/드레인 전극 물질층과 함께 식각되어, 오믹 컨택층으로 형성되는 것을 특징으로 하는 박막 트랜지스터의 제조 방법
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제 1 항에 있어서,상기 제 2 사진식각단계는, 상기 제 1 사진식각단계에서보다 큰 광량을 이용하여 사진식각공정을 실시하여, 상기 소스/드레인 전극이 상기 보호층의 상부의 일부에 겹치도록 형성되는 것을 특징으로 하는 박막 트랜지스터의 제조 방법
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제 1 항에 있어서,상기 반도체층 형성 단계는 상기 반도체층을 증착하기 이전에 상기 게이트 절연막에 대하여 플라즈마 처리를 하는 것을 특징으로 하는 박막 트랜지스터의 제조 방법
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제 1 항에 있어서,상기 반도체층은 산화아연(ZnO)에 인듐(In)과 갈륨(Ga)이 도핑되어 형성된 비정질의 IGZO 반도체층인 것을 특징으로 하는 박막 트랜지스터의 제조 방법
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절연 기판을 구비하는 기판 구비 단계;상기 기판 상부에 게이트 전극을 형성하는 게이트 전극 형성 단계;상기 기판 및 상기 게이트 전극 상부에 게이트 절연막을 형성하는 게이트 절연막 형성 단계;상기 게이트 절연막 상부에 음성 포토레지스트 및 게이트 전극에 대응하여 패턴이 형성된 마스크를 이용한 사진식각공정으로 상기 게이트 전극 상부의 상기 게이트 절연막이 노출되도록 소스/드레인 전극을 형성하는 제 3 사진식각 단계;상기 소스/드레인 전극 및 상기 게이트 절연막 상부에 반도체층을 증착시키는 반도체층 형성 단계; 및상기 반도체층 상부에 양성 포토레지스트 및 상기 마스크를 이용한 사진식각공정으로 보호층을 형성하는 제 4 사진식각 단계를 포함하는 것을 특징으로 하는 박막 트랜지스터의 제조 방법
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제 14 항에 있어서,제 3 사진식각 단계는상기 게이트 절연막 상부에 소스/드레인 전극 물질을 증착시키는 소스/드레인 전극 물질층 형성 단계;상기 소스/드레인 전극 물질층 상부에 음성 포토레지스트층을 도포하는 음성 포토레지스트층 형성 단계;상기 마스크를 통해, 상기 음성 포토레지스트층에 대하여 노광하여, 상기 음성 포토레지스트층을 패터닝 하는 음성 포토레지스트층 패터닝 단계;상기 패터닝된 음성 음성 포토레지스트층을 식각 마스크로 하여 상기 소스/드레인 전극 물질층을 식각하여 패터닝된 상기 소스/드레인 전극을 형성하는 소스/드레인 전극 형성 단계; 및상기 패터닝된 음성 포토레지스트층을 제거하는 음성 포토레지스트층 제거 단계를 포함하는 것을 특징으로 하는 박막 트랜지스터의 제조 방법
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제 14 항에 있어서,상기 제 4 사진식각 단계는상기 반도체층 상부에 보호물질을 증착시키는 보호물질층 형성 단계;상기 보호물질층 상부에 양성 포토레지스트층을 도포하는 양성 포토레지스트층 형성 단계;상기 마스크를 통해, 상기 양성 포토레지스트층에 대하여 노광하여, 상기 양성 포토레지스트층을 패터닝하는 양성 포토레지스트층 패터닝 단계;상기 패터닝된 양성 포토레지스트층을 식각 마스크로 하여 상기 보호물질층을 식각하여 패터닝된 상기 보호층을 형성하는 보호층 형성 단계; 및상기 패터닝된 양성 포토레지스트층을 제거하는 양성 포토레지스트층 제거 단계를 포함하는 것을 특징으로 하는 박막 트랜지스터의 제조 방법
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제 14 항에 있어서,제 3 사진식각 단계는, 상기 제 4 사진식각 단계에서보다 큰 광량을 이용하여 사진식각공정을 실시하여, 상기 보호층이 상기 소스/드레인 전극의 상부의 일부에 겹치도록 형성되는 것을 특징으로 하는 박막 트랜지스터의 제조 방법
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제 1 항 내지 제 17 항 중 어느 하나의 항에 따라 제조되어 지는 것을 특징으로 하는 박막 트랜지스터
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