기술이전플랫폼 Tech-Bridge-이전대상기술

맞춤기술찾기

홈으로 가기

맞춤기술찾기

이전대상기술

프린트하기

이전대상기술

준 면발광 수직형 유기발광 트랜지스터 및 그 제조 방법

기술번호 : KST2015135595
담당센터 : 서울동부기술혁신센터
전화번호 : 02-2155-3662

상담신청 PDF 받기

상세정보
공개전문
공고전문
등록사항
통합행정정보
기술정보
과제정보
관련기술
심판사항

서지정보
인명정보
행정처리
청구항
지정국
패밀리정보
국가R&D 연구정보

이전 슬라이드 보기 다음 슬라이드 보기

요약, Int. CL, CPC, 출원번호/일자, 출원인, 등록번호/일자, 공개번호/일자, 공고번호/일자, 국제출원번호/일자, 국제공개번호/일자, 우선권정보, 법적상태, 심사진행상태, 심판사항, 구분, 원출원번호/일자, 관련 출원번호, 기술이전 희망, 심사청구여부/일자, 심사청구항수의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 서지정보 표입니다.
요약	유기발광 트랜지스터(organic light-emitting transistor)는, 어레이 형태로 배열된 복수 개의 개구부를 갖는 그물형(mesh-type) 소스 전극을 포함할 수 있다. 상기 그물형 소스 전극은 유기발광 트랜지스터의 게이트 전극 및 드레인 전극 사이에 위치할 수도 있다. 그물형 소스 전극이 적용된 유기발광 트랜지스터는, 유기발광 트랜지스터의 가장 큰 한계인 선발광(line emission) 문제를 해결하고 유기발광 다이오드(organic light-emitting diode)와 유사한 수준의 준 면발광(quasi-surface emission)을 확보할 수 있으며, 유기발광 다이오드 보다 높은 개구율, 휘도 및 발광효율을 달성할 수 있다. 나아가, 추가적인 구동 박막 트랜지스터(driving thin-film transistor)를 필요로 하지 않으므로 생산원가를 절감할 수 있다.
Int. CL	H01L 51/05 (2006.01.01) H01L 51/40 (2006.01.01) H01L 29/786 (2006.01.01)
CPC	H01L 51/5296(2013.01) H01L 51/5296(2013.01)
출원번호/일자	1020130007683 (2013.01.23)
출원인	서울대학교산학협력단
등록번호/일자	10-1427776-0000 (2014.08.01)
공개번호/일자	10-2014-0094970 (2014.07.31) 문서열기
공고번호/일자	(20140812) 문서열기
국제출원번호/일자
국제공개번호/일자
우선권정보
법적상태	등록
심사진행상태	수리
심판사항
구분	신규
원출원번호/일자
관련 출원번호
심사청구여부/일자	Y (2013.01.23)
심사청구항수	20

출원인

번호, 이름, 국적, 주소의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 인명정보 - 출원인 표입니다.
번호	이름	국적	주소
1	서울대학교산학협력단	대한민국	서울특별시 관악구

발명자

번호, 이름, 국적, 주소의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 인명정보 - 발명자 표입니다.
번호	이름	국적	주소
1	이신두	대한민국	서울 동작구
2	김민회	대한민국	서울 강동구
3	금창민	대한민국	경기 군포시 광정로 **,

대리인

번호, 이름, 국적, 주소의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 인명정보 - 대리인 표입니다.
번호	이름	국적	주소
1	김영철	대한민국	서울특별시 종로구 종로길 , *층 케이씨엘특허법률사무소 (수송동, 석탄회관빌딩)
2	김 순 영	대한민국	서울특별시 종로구 종로길 , *층 케이씨엘특허법률사무소 (수송동, 석탄회관빌딩)

최종권리자

번호, 이름, 국적, 주소의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 인명정보 - 최종권리자 표입니다.
번호	이름	국적	주소
1	서울대학교산학협력단		서울특별시 관악구

번호, 서류명, 접수/발송일자, 처리상태, 접수/발송일자의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 행정처리 표입니다.
번호	서류명	접수/발송일자	처리상태	접수/발송번호
1	[특허출원]특허출원서 [Patent Application] Patent Application	2013.01.23	수리 (Accepted)	1-1-2013-0067932-72
2	선행기술조사의뢰서 Request for Prior Art Search	2013.10.07	수리 (Accepted)	9-1-9999-9999999-89
3	선행기술조사보고서 Report of Prior Art Search	2013.11.20	수리 (Accepted)	9-1-2013-0098270-24
4	의견제출통지서 Notification of reason for refusal	2014.01.22	발송처리완료 (Completion of Transmission)	9-5-2014-0048559-35
5	[거절이유 등 통지에 따른 의견]의견(답변, 소명)서 [Opinion according to the Notification of Reasons for Refusal] Written Opinion(Written Reply, Written Substantiation)	2014.03.20	수리 (Accepted)	1-1-2014-0266935-11
6	[명세서등 보정]보정서 [Amendment to Description, etc.] Amendment	2014.03.20	보정승인간주 (Regarded as an acceptance of amendment)	1-1-2014-0266934-65
7	등록결정서 Decision to grant	2014.07.28	발송처리완료 (Completion of Transmission)	9-5-2014-0509134-81
8	출원인정보변경(경정)신고서 Notification of change of applicant's information	2015.03.17	수리 (Accepted)	4-1-2015-5033829-92
9	출원인정보변경(경정)신고서 Notification of change of applicant's information	2015.05.13	수리 (Accepted)	4-1-2015-5062924-01
10	출원인정보변경(경정)신고서 Notification of change of applicant's information	2019.05.13	수리 (Accepted)	4-1-2019-5093546-10
11	출원인정보변경(경정)신고서 Notification of change of applicant's information	2019.05.23	수리 (Accepted)	4-1-2019-5101798-31
12	출원인정보변경(경정)신고서 Notification of change of applicant's information	2019.08.02	수리 (Accepted)	4-1-2019-5154561-59
13	출원인정보변경(경정)신고서 Notification of change of applicant's information	2020.11.25	수리 (Accepted)	4-1-2020-5265458-48

번호, 청구항의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 청구항 표입니다.
번호	청구항
1	1 어레이 형태로 배열된 복수 개의 개구부를 갖는 그물형 소스 전극;상기 그물형 소스 전극상에 위치하는 절연막;상기 그물형 소스 전극 및 상기 절연막상에 위치하는 반도체 층; 및상기 반도체 층상에 위치하는 유기 발광층을 포함하되,상기 복수 개의 개구부는 상기 절연막을 마스크로 이용하여 형성된 것을 특징으로 하는 유기발광 트랜지스터
2	2 제 1항에 있어서,게이트 전극 및 드레인 전극을 더 포함하되, 상기 그물형 소스 전극은 상기 게이트 전극상에 위치하며,상기 드레인 전극은 상기 유기 발광층상에 위치하는 것을 특징으로 하는 유기발광 트랜지스터
3	3 제 2항에 있어서,상기 게이트 전극 및 상기 그물형 소스 전극 사이에 위치하는 게이트 절연막을 더 포함하는 것을 특징으로 하는 유기발광 트랜지스터
4	4 삭제
5	5 제 1항에 있어서,상기 절연막은 광 수지 물질로 이루어진 것을 특징으로 하는 유기발광 트랜지스터
6	6 제 2항에 있어서,상기 드레인 전극은 어레이 형태로 배열된 복수 개의 개구부를 포함하는 것을 특징으로 하는 유기발광 트랜지스터
7	7 제 2항에 있어서,상기 게이트 전극은 어레이 형태로 배열된 복수 개의 개구부를 포함하는 것을 특징으로 하는 유기발광 트랜지스터
8	8 제 1항에 있어서,상기 복수 개의 개구부 각각은, 원, 타원 또는 다각형 형상인 것을 특징으로 하는 유기발광 트랜지스터
9	9 제 8항에 있어서,상기 복수 개의 개구부 각각의 폭은 200 ㎛ 이하인 것을 특징으로 하는 유기발광 트랜지스터
10	10 제 8항에 있어서,상기 복수 개의 개구부 사이의 간격은 200 ㎛ 이하인 것을 특징으로 하는 유기발광 트랜지스터
11	11 제 1항에 있어서,상기 복수 개의 개구부는, 상기 그물형 소스 전극을 관통하도록 형성되며 2차원 어레이 형태로 배열된 복수 개의 홀 형태인 것을 특징으로 하는 유기발광 트랜지스터
12	12 제 1항에 있어서,상기 복수 개의 개구부는, 상기 그물형 소스 전극을 관통하며 상기 그물형 전극의 한쪽 측면까지 연장되고, 일 방향으로 배열된 복수 개의 띠 형태인 것을 특징으로 하는 유기발광 트랜지스터
13	13 전극층을 형성하는 단계;상기 전극층상에 절연막을 형성하는 단계;상기 절연막을 마스크로 이용하여 상기 전극층을 패터닝하여, 어레이 형태로 배열된 복수 개의 개구부를 갖는 그물형 소스 전극을 형성하는 단계;상기 그물형 소스 전극 및 상기 절연막상에 반도체 층을 형성하는 단계; 및상기 반도체 층상에 유기 발광층을 형성하는 단계를 포함하는 것을 특징으로 하는 유기발광 트랜지스터의 제조 방법
14	14 제 13항에 있어서,상기 전극층을 형성하는 단계 전에, 게이트 전극을 형성하는 단계; 및 상기 게이트 전극상에 게이트 절연막을 형성하는 단계를 더 포함하되, 상기 그물형 소스 전극은 상기 게이트 절연막상에 위치하는 것을 특징으로 하는 유기발광 트랜지스터의 제조 방법
15	15 제 13항에 있어서,상기 유기 발광층상에 드레인 전극을 형성하는 단계를 더 포함하는 것을 특징으로 하는 유기발광 트랜지스터의 제조 방법
16	16 제 13항에 있어서,상기 절연막은 광 수지 물질로 이루어지며,상기 그물형 소스 전극을 형성하는 단계는, 상기 전극층상에 상기 광 수지 물질을 형성하는 단계; 상기 광 수지 물질의 미리 결정된 영역에 자외선을 조사하는 단계;상기 광 수지 물질에서 자외선이 조사된 영역을 제거하는 단계; 및상기 광 수지 물질을 식각 마스크로 이용하여 상기 전극층을 식각하는 단계를 포함하는 것을 특징으로 하는 유기발광 트랜지스터의 제조 방법
17	17 제 13항에 있어서,상기 복수 개의 개구부 각각은, 원, 타원 또는 다각형 형상인 것을 특징으로 하는 유기발광 트랜지스터의 제조 방법
18	18 제 17항에 있어서,상기 복수 개의 개구부 각각의 폭은 200 ㎛ 이하인 것을 특징으로 하는 유기발광 트랜지스터의 제조 방법
19	19 제 17항에 있어서,상기 복수 개의 개구부 사이의 간격은 200 ㎛ 이하인 것을 특징으로 하는 유기발광 트랜지스터의 제조 방법
20	20 제 13항에 있어서,상기 복수 개의 개구부는, 상기 그물형 소스 전극을 관통하도록 형성되며 2차원 어레이 형태로 배열된 복수 개의 홀 형태인 것을 특징으로 하는 유기발광 트랜지스터의 제조 방법
21	21 제 13항에 있어서,상기 복수 개의 개구부는, 상기 그물형 소스 전극을 관통하며 상기 그물형 전극의 한쪽 측면까지 연장되고, 일 방향으로 배열된 복수 개의 띠 형태인 것을 특징으로 하는 유기발광 트랜지스터의 제조 방법

순번, 패밀리번호, 국가코드, 국가명, 종류의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 패밀리정보 - 패밀리정보 표입니다.
순번	패밀리번호	국가코드	국가명	종류
1	EP02760060	EP	유럽특허청(EPO)	FAMILY
2	JP26143179	JP	일본	FAMILY
3	US20140203249	US	미국	FAMILY

DOCDB 패밀리 정보

순번, 패밀리번호, 국가코드, 국가명, 종류의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 패밀리정보 - DOCDB 패밀리 정보 표입니다.
순번	패밀리번호	국가코드	국가명	종류
1	EP2760060	EP	유럽특허청(EPO)	DOCDBFAMILY
2	JP2014143179	JP	일본	DOCDBFAMILY
3	US2014203249	US	미국	DOCDBFAMILY

순번, 연구부처, 주관기관, 연구사업, 연구과제의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 국가R&D 연구정보 정보 표입니다.
순번	연구부처	주관기관	연구사업	연구과제
1	교육과학기술부	서울대학교 산학협력단	중견연구자지원사업·도약연구지원사업	나노네트워크전극 기반의 고 발광 수직 유기발광 전계효과 트랜지스터 개발

본 등록정보는 참고용으로 법적증빙자료로 사용할 수 없습니다.
데이터 이관에 따른 소요기간(1일)으로 인하여 등록원부와 일부 차이가 발생할 수 있으며, 일부 정보(부기, 상세 주소 등)를 제공하지 않고 있습니다.
법적증빙자료로 활용하시거나 더 자세한 정보를 보시려면 등록원부를 발급받아 사용하시기 바랍니다.

이전대상기술 뷰 페이지 등록사항 > 특허 등록번호 표입니다.
특허 등록번호	10-1427776-0000

권리란

표시번호, 사항의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 등록사항 > 권리란 표입니다.
표시번호	사항
1	출원 연월일 : 20130123 출원 번호 : 1020130007683 공고 연월일 : 20140812 공고 번호 : 특허결정(심결)연월일 : 20140728 청구범위의 항수 : 20 유별 : H01L 51/05 발명의 명칭 : 준 면발광 수직형 유기발광 트랜지스터 및 그 제조 방법 존속기간(예정)만료일 :

특허권자란

순위번호, 사항의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 등록사항 > 특허권자란 표입니다.
순위번호	사항
1	(권리자) 서울대학교산학협력단 서울특별시 관악구...

등록료란

순위번호, 사항의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 등록사항 > 등록료란 표입니다.
제 1 - 3 년분	금 액	412,500 원	2014년 08월 04일	납입
제 4 - 6 년분	금 액	957,600 원	2016년 02월 24일	납입
제 7 년분	금 액	442,900 원	2020년 08월 20일	납입

본 '원본보기 서비스'는 참고용이므로, 일부 오류 및 누락이 발생할 수 있습니다.
정확한 서류를 확인하시려면 해당 웹사이트에서 조회하시기 바랍니다. (특허로 바로가기: http://www.patent.go.kr)
해당 서비스는 점검으로 인해 매주 일요일 00:00 ~ 02:00까지 이용이 중단됩니다.

번호, 서류명, 접수/발송일자, 처리상태, 접수/발송번호의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 통합행정정보 > 등록료란 표입니다.
번호	서류명	접수/발송일자	처리상태	접수/발송번호
1	[특허출원]특허출원서	2013.01.23	수리 (Accepted)	1-1-2013-0067932-72
2	선행기술조사의뢰서	2013.10.07	수리 (Accepted)	9-1-9999-9999999-89
3	선행기술조사보고서	2013.11.20	수리 (Accepted)	9-1-2013-0098270-24
4	의견제출통지서	2014.01.22	발송처리완료 (Completion of Transmission)	9-5-2014-0048559-35
5	[거절이유 등 통지에 따른 의견]의견(답변, 소명)서	2014.03.20	수리 (Accepted)	1-1-2014-0266935-11
6	[명세서등 보정]보정서	2014.03.20	보정승인간주 (Regarded as an acceptance of amendment)	1-1-2014-0266934-65
7	등록결정서	2014.07.28	발송처리완료 (Completion of Transmission)	9-5-2014-0509134-81
8	출원인정보변경(경정)신고서	2015.03.17	수리 (Accepted)	4-1-2015-5033829-92
9	출원인정보변경(경정)신고서	2015.05.13	수리 (Accepted)	4-1-2015-5062924-01
10	출원인정보변경(경정)신고서	2019.05.13	수리 (Accepted)	4-1-2019-5093546-10
11	출원인정보변경(경정)신고서	2019.05.23	수리 (Accepted)	4-1-2019-5101798-31
12	출원인정보변경(경정)신고서	2019.08.02	수리 (Accepted)	4-1-2019-5154561-59
13	출원인정보변경(경정)신고서	2020.11.25	수리 (Accepted)	4-1-2020-5265458-48


과제고유번호	1711001239
세부과제번호	2011-0028422
연구과제명	나노네트워크전극 기반의 고 발광 수직 유기발광 전계효과 트랜지스터 개발
성과구분	출원
부처명	미래창조과학부
연구관리전문기관명
연구주관기관명
성과제출연도	2013
연구기간	201109~201608
기여율	1
연구개발단계명	응용연구
6T분류명	IT(정보기술)

특허성과

[1020130007683]	준 면발광 수직형 유기발광 트랜지스터 및 그 제조 방법	새창보기
[1020120140102]	입자 자기조립을 이용한 네트워크 전극 제작 방법	새창보기

중요키워드

이전대상기술 뷰 페이지 관련기술 표
[KST2015135198][서울대학교]	금속 산화물층의 제조 방법, 상기 방법을 이용하여 제조한 박막 트랜지스터 기판 및 그 제조 방법	새창보기
[KST2015160563][서울대학교]	박막트랜지스터 및 그 제조방법	새창보기
[KST2015160944][서울대학교]	박막 트랜지스터의 제조 방법	새창보기
[KST2016017371][서울대학교]	높은 전계 효과 이동도를 가지는 BaSnO3 박막 트랜지스터 및 그의 제조 방법(BaSnO3 thin film transistor with high field-effect mobility and producing method thereof)	새창보기
[KST2014050359][서울대학교]	라운딩된 게이트를 갖는 박막 트랜지스터의 제조방법	새창보기
[KST2015135675][서울대학교]	박막 트랜지스터 및 그 제조 방법	새창보기
[KST2014058499][서울대학교]	높은 전하 이동도를 갖는 산화물 반도체 제조 시스템 및 방법	새창보기
[KST2015161038][서울대학교]	저온 화학기상증착법에 의한 게이트 산화막의 형성방법 및이를 이용한 다결정 실리콘 박막 트랜지스터 제조방법	새창보기
[KST2015160829][서울대학교]	유기 박막 트랜지스터 및 그 제조 방법	새창보기
[KST2015159438][서울대학교]	박막 트랜지스터 및 이를 포함한 평판 표시 장치	새창보기
[KST2015159551][서울대학교]	광감지용 유기 박막 트랜지스터	새창보기
[KST2019001518][서울대학교]	인돌린 유도체 및 이를 포함하는 유기 전자 소자	새창보기
[KST2021009914][서울대학교]	이차원 물질로 이루어진 게이트 절연막을 포함하는 전계 효과 트랜지스터	새창보기
[KST2015158809][서울대학교]	유기 박막 트랜지스터 및 그의 제조방법	새창보기
[KST2015160840][서울대학교]	박막 트랜지스터, 그의 제조 방법 및 박막 트랜지스터를구비하는 평판 표시 장치	새창보기
[KST2015137536][서울대학교]	Ｚｎ화합물 반도체 및 이를 포함하는 박막 트랜지스터	새창보기
[KST2014037060][서울대학교]	미세결정 실리콘 박막의 형성 방법	새창보기
[KST2015160901][서울대학교]	하부 게이트를 갖는 다결정 실리콘 박막 트랜지스터 및 그제조방법	새창보기
[KST2015159833][서울대학교]	금속 유도 수직 결정화를 이용한 비정질 실리콘 박막의결정화 방법 및 이를 이용한 다결정 박막 트랜지스터의제조방법	새창보기
[KST2015159535][서울대학교]	박막트랜지스터 및 그 제조방법과 이를 포함한평판표시장치	새창보기
[KST2015158955][서울대학교]	풀 스윙 유기 반도체 회로	새창보기
[KST2015137515][서울대학교]	전자 소자 및 그 제조 방법	새창보기
[KST2015137036][서울대학교]	박막 트랜지스터 및 그 제조 방법	새창보기
[KST2017000132][서울대학교]	유기 반도체 물질 및 이를 포함하는 유기 반도체 소자(Material for organic semiconductor and organic semiconductor comprising the same)	새창보기
[KST2015160135][서울대학교]	금속유도 측면 결정화를 이용한 하부 게이트 구조를 갖는다결정 실리콘 박막 트랜지스터 및 그의 제조방법	새창보기
[KST2015160655][서울대학교]	금속 유도 측면 결정화를 이용한 다결정 실리콘 박막트랜지스터 및 그의 제조방법	새창보기
[KST2015158876][서울대학교]	비대칭 듀얼 게이트를 갖는 박막 트랜지스터 및 그 제조방법	새창보기
[KST2015160959][서울대학교]	다결정 실리콘 박막트랜지스터의 제조 방법	새창보기
[KST2016015198][서울대학교]	고성능 산화물 박막트랜지스터의 제조방법 및 이에 따라 제조된 고성능 산화물 박막트랜지스터(PREPARATION METHOD FOR OXIDE THIN FILM TRANSISTOR WITH HIGH PERFORMANCE AND OXIDE THIN FILM TRANSISTOR MANUFACTURED THEREWITH)	새창보기
[KST2015159797][서울대학교]	유기 전자 소자 및 그 제조방법	새창보기

의뢰할 수요기술을 선택합니다

담당자명, 주소, 이메일, 연락처, 내용, 파일선택의 정보를 제공하는 도입희망기술 뷰 페이지 의뢰하기 입력표입니다.
담당자명		활동구분※필수입력항목
이메일		연락처	- -
내용
파일선택	파일선택

기술이전 상담신청 드립니다.
기업명
신청자 성명		직책
연락처	- -
이메일	@
상담희망전담센터	※ 사업장(본점) 소재지가 속한 지역의 기술혁신센터를 지정해주세요.