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랜덤텔레그래프 노이즈 영향을 억제하기 위한 반도체 소자에서의 읽기 방법

  • 기술번호 : KST2015136214
  • 담당센터 : 서울동부기술혁신센터
  • 전화번호 : 02-2155-3662
요약, Int. CL, CPC, 출원번호/일자, 출원인, 등록번호/일자, 공개번호/일자, 공고번호/일자, 국제출원번호/일자, 국제공개번호/일자, 우선권정보, 법적상태, 심사진행상태, 심판사항, 구분, 원출원번호/일자, 관련 출원번호, 기술이전 희망, 심사청구여부/일자, 심사청구항수의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 서지정보 표입니다.
요약 본 발명은 반도체 소자에서의 읽기 방법에 관한 것이다. 상기 읽기 방법은, 읽기동작(Read Operation)에서 제어전극에 읽기전압(Read Pulse 또는 Read Voltage)을 인가하기 전의 대기상태에서 들어가고 있는 전압에 0 V가 아닌 전압을 제어전극에 인가하여 트랩에 전하를 채우거나 비우는 단계; 트랩에 전하를 채우거나 비운 상태에서 읽기 동작을 위한 읽기 전압을 인가하는 단계;를 구비하여, RTN 효과를 억제한다. 상기 대기전압 상태에서 제어 전극에 인가되는 전압은 통과 전압과 동일하거나, 0 V 보다 크거나 작은 전압인 것이 바람직하다. 본 발명에 따른 읽기 방법에 의하여, 읽기 동작을 위한 전압 인가전에 통과(pass) 전압을 유지하거나 0 Volt 보다 높거나 낮은 전압을 인가함으로써, RTN 에 의한 비트라인 전류의 랜덤한 특성을 줄일 수 있게 되고, 이로 인해 소자의 문턱 전압의 산포를 개선할 수 있게 된다.
Int. CL G11C 16/26 (2006.01.01) G11C 16/34 (2006.01.01) G11C 16/04 (2006.01.01)
CPC G11C 16/26(2013.01) G11C 16/26(2013.01) G11C 16/26(2013.01)
출원번호/일자 1020120132532 (2012.11.21)
출원인 서울대학교산학협력단
등록번호/일자
공개번호/일자 10-2014-0065244 (2014.05.29) 문서열기
공고번호/일자
국제출원번호/일자
국제공개번호/일자
우선권정보
법적상태 거절
심사진행상태 수리
심판사항
구분 신규
원출원번호/일자
관련 출원번호
심사청구여부/일자 Y (2017.11.21)
심사청구항수 2

출원인

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번호 이름 국적 주소
1 서울대학교산학협력단 대한민국 서울특별시 관악구

발명자

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번호 이름 국적 주소
1 이종호 대한민국 서울 서초구
2 정민규 대한민국 서울특별시 관악구

대리인

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번호 이름 국적 주소
1 이지연 대한민국 서울특별시 관악구 남부순환로 ****, ***호 제니스국제특허법률사무소 (봉천동, 청동빌딩)

최종권리자

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번호 서류명 접수/발송일자 처리상태 접수/발송번호
1 [특허출원]특허출원서
[Patent Application] Patent Application
2012.11.21 수리 (Accepted) 1-1-2012-0961023-86
2 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information
2013.01.14 수리 (Accepted) 4-1-2013-5007213-54
3 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information
2015.03.17 수리 (Accepted) 4-1-2015-5033829-92
4 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information
2015.05.13 수리 (Accepted) 4-1-2015-5062924-01
5 [심사청구]심사청구(우선심사신청)서
[Request for Examination] Request for Examination (Request for Preferential Examination)
2017.11.21 수리 (Accepted) 1-1-2017-1160608-71
6 선행기술조사의뢰서
Request for Prior Art Search
2018.06.11 수리 (Accepted) 9-1-9999-9999999-89
7 선행기술조사보고서
Report of Prior Art Search
2018.07.10 수리 (Accepted) 9-1-2018-0034698-56
8 의견제출통지서
Notification of reason for refusal
2019.04.30 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2019-0310129-24
9 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information
2019.05.13 수리 (Accepted) 4-1-2019-5093546-10
10 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information
2019.05.23 수리 (Accepted) 4-1-2019-5101798-31
11 [명세서등 보정]보정서
[Amendment to Description, etc.] Amendment
2019.07.01 보정승인간주 (Regarded as an acceptance of amendment) 1-1-2019-0673368-41
12 [거절이유 등 통지에 따른 의견]의견(답변, 소명)서
[Opinion according to the Notification of Reasons for Refusal] Written Opinion(Written Reply, Written Substantiation)
2019.07.01 수리 (Accepted) 1-1-2019-0673367-06
13 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information
2019.08.02 수리 (Accepted) 4-1-2019-5154561-59
14 의견제출통지서
Notification of reason for refusal
2019.11.29 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2019-0864058-74
15 [지정기간연장]기간연장(단축, 경과구제)신청서
[Designated Period Extension] Application of Period Extension(Reduction, Progress relief)
2020.01.29 무효 (Invalidation) 1-1-2020-0092437-01
16 보정요구서
Request for Amendment
2020.02.05 발송처리완료 (Completion of Transmission) 1-5-2020-0019920-90
17 무효처분통지서
Notice for Disposition of Invalidation
2020.03.09 발송처리완료 (Completion of Transmission) 1-5-2020-0037322-18
18 거절결정서
Decision to Refuse a Patent
2020.03.11 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2020-0184100-57
번호, 청구항의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 청구항 표입니다.
번호 청구항
1 1
반도체 소자에서의 읽기 방법에 있어서, 읽기 동작을 위한 읽기 전압을 인가하기 전의 대기 전압 상태에서 0 V가 아닌 전압을 제어 전극에 인가하여 트랩에 전하를 채우거나 비우는 단계;트랩에 전하를 채우거나 비운 상태에서 읽기 동작을 위한 읽기 전압을 인가하는 단계;를 구비하여, RTN(Random Telegraph Noise)에 의한 읽기전류 변화를 억제하는 것을 특징으로 하는 반도체 소자에서의 읽기 방법
2 2
제1항에 있어서, 상기 대기 전압 상태에서 제어 전극에 인가되는 전압은 크기에 있어 0 V 보다 크거나 작은 펄스 전압인 것을 특징으로 하는 반도체 소자에서의 읽기 방법
3 3
제1항에 있어서, 상기 반도체 소자는 게이트에 해당하는 제어 전극을 포함하는 비휘발성 메모리 셀 소자인 것을 특징으로 하는 반도체 소자에서의 읽기 방법
4 4
반도체 바디에 일렬로 배치된 다수 개의 비휘발성 메모리 셀 소자들과 상기 다수 개의 비휘발성 메모리 셀 소자들의 양단에 배치된 1개 이상의 스위칭 소자를 구비하는 셀 스트링에서의 읽기 방법에 있어서, (a) 상기 다수 개의 비휘발성 메모리 셀 소자들의 제어전극에 통과(pass) 전압을 일정시간 인가하는 단계;(b) 상기 (a) 단계에 이어서, 읽기 동작이 필요한 특정 비휘발성 메모리 셀 소자의 제어전극에 상기 통과전압보다 크기가 작은 읽기 전압을 바로 일정시간 인가한 후, 읽기 전압을 인가하여 읽기 동작을 수행하는 단계;를 구비하는 것을 특징으로 하는 셀 스트링에서의 읽기 방법
5 5
반도체 바디에 일렬로 배치된 다수 개의 비휘발성 메모리 셀 소자들과 상기 다수 개의 비휘발성 메모리 셀 소자들의 양단에 배치된 1개 이상의 스위칭 소자를 구비하는 셀 스트링에서의 읽기 방법에 있어서, (a) 상기 다수 개의 비휘발성 메모리 셀 소자들의 제어전극에 통과(pass) 전압을 일정시간 인가하는 단계;(b) 상기 (a) 단계에 이어서, 상기 통과 전압보다는 크기가 작고 읽기 전압보다는 크기가 큰 임의의 전압을 바로 일정시간 인가한 후, 읽기 전압을 일정시간 인가하는 단계;를 구비하는 것을 특징으로 하는 셀 스트링에서의 읽기 방법
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