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질화물계 반도체 층;상기 질화물계 반도체 층 상면의 일 측에 형성된 소스 전극;상기 질화물계 반도체 층 상면의 타 측에 상기 소스 전극과 이격 형성된 드레인 전극;상기 질화물계 반도체 층 상면에 상기 소스 전극과 드레인 전극 사이에 형성된 Ga2O3를 포함하는 스택(stack)층; 및상기 스택층의 상면에 형성되는 게이트를 포함하는 것을 특징으로 하는 질화물계 반도체 소자
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제 1 항에 있어서,상기 스택층은, Al2O3층 및 Ga2O3층이 교번적으로 적층된 스택(stack) 구조로 형성된 것을 특징으로 하는 질화물계 반도체 소자
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제 2 항에 있어서,상기 스택층은, 상기 질화물계 반도체 층 상에 형성된 제 1 Al2O3층; 상기 제 1 Al2O3층 상에 형성된 Ga2O3층; 및 상기 층 상에 형성된 제 2 Al2O3층;을 포함하는 것을 특징으로 하는 질화물계 반도체 소자
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제 2 항에 있어서,상기 스택층의 최하부층 및 최상부층은 Al2O3층으로 구성되는 것을 특징으로 하는 질화물계 반도체 소자
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제 1 항에 있어서,상기 소스 전극 및 드레인 전극은 Ti, Al, Ni 및 Au 중 하나 이상으로 이루어지며, 상기 게이트 전극은 Ni, Pt, Ir, Pd, Mo 및 Au 중 하나 이상으로 이루어지는 것을 특징으로 하는 질화물계 반도체 소자
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제 1 항에 있어서, 상기 질화물계 반도체 층은,절연성의 기판;상기 기판 상면에 형성되며 제1질화물계 반도체의 에피구조를 성장시키기 위해 형성되는 전이층;상기 전이층 상면에 형성되며 제1질화물계 반도체인 버퍼층; 상기 버퍼층 상면에 형성되며 상기 버퍼층과의 사이에 2차원 전자 가스층을 형성하는 AlGaN층; 및 상기 AlGaN층 상면에 형성되는 GaN층;을 포함하는 것을 특징으로 하는 질화물계 반도체 소자
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제 5 항에 있어서,상기 전이층은 AlN으로 형성되며,상기 버퍼층은 GaN으로 형성되는 것을 특징으로 하는 질화물계 반도체 소자
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제 1 항에 있어서,상기 스택층이 형성되기 이전에, 30:1 buffered oxide etchant로 GaN층(150)의 표면이 세정하는 것을 특징으로 하는 질화물계 반도체 소자
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제 2 항에 있어서, 상기 스택층의 Al2O3층 및 Ga2O3층은 2nm의 두께로 형성되는 것을 특징으로 하는 질화물계 반도체 소자
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제 1 항에 있어서, 상기 버퍼층은, 1
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제 1 항에 있어서, 상기 AlGaN층의 Al : Ga : N의 함량 비율은 23 : 77 : 100인 것을 특징으로 하는 질화물계 반도체 소자
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제 1 항에 있어서, 상기 스택층은 상온에서의 RF-스퍼터링(RF-sputtering)에 의하여 형성되는 것을 특징으로 하는 것을 특징으로 하는 질화물계 반도체 소자
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제 12 항에 있어서, 상기 RF-스퍼터링은 Ar 분위기에서 수행되는 것을 특징으로 하는 질화물계 반도체 소자
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