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질화물계 반도체 이종접합 반도체 소자 및 그 제조방법

기술번호 : KST2015068225
담당센터 : 서울동부기술혁신센터
전화번호 : 02-2155-3662

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요약, Int. CL, CPC, 출원번호/일자, 출원인, 등록번호/일자, 공개번호/일자, 공고번호/일자, 국제출원번호/일자, 국제공개번호/일자, 우선권정보, 법적상태, 심사진행상태, 심판사항, 구분, 원출원번호/일자, 관련 출원번호, 기술이전 희망, 심사청구여부/일자, 심사청구항수의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 서지정보 표입니다.
요약	본 발명은 반도체 소자에 관한 것으로 특히, 질화물계 반도체 이종접합 반도체 소자 및 그 제조방법에 관한 것이다. 이러한 본 발명은, 질화물 반도체 버퍼층; 상기 버퍼층 상에 위치하는 장벽층; 상기 장벽층 상에 위치하는 캡층; 상기 캡층 상에 위치하는 소스 전극 및 드레인 전극; 상기 캡층 상의 소스 전극 및 드레인 전극 사이에 위치하는 갈륨을 포함하는 유전체 층; 및 상기 캡층 상의 상기 소스 전극 및 드레인 전극 사이에 위치하는 게이트 전극을 포함하여 구성된다.
Int. CL	H01L 29/778 (2006.01.01) H01L 29/66 (2006.01.01) H01L 29/20 (2006.01.01) H01L 21/02 (2006.01.01)
CPC	H01L 29/778(2013.01) H01L 29/778(2013.01) H01L 29/778(2013.01) H01L 29/778(2013.01) H01L 29/778(2013.01)
출원번호/일자	1020120062601 (2012.06.12)
출원인	엘지전자 주식회사, 서울대학교산학협력단
등록번호/일자
공개번호/일자	10-2013-0138992 (2013.12.20) 문서열기
공고번호/일자
국제출원번호/일자
국제공개번호/일자
우선권정보
법적상태	취하
심사진행상태	수리
심판사항
구분	신규
원출원번호/일자
관련 출원번호
심사청구여부/일자	N
심사청구항수	20

출원인

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번호	이름	국적	주소
1	엘지전자 주식회사	대한민국	서울특별시 영등포구
2	서울대학교산학협력단	대한민국	서울특별시 관악구

발명자

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번호	이름	국적	주소
1	장태훈	대한민국	서울 서초구
2	석오균	대한민국	서울 관악구
3	한민구	대한민국	서울 관악구

대리인

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번호	이름	국적	주소
1	김용인	대한민국	서울특별시 송파구 올림픽로 ** (잠실현대빌딩 *층)(특허법인(유한)케이비케이)

최종권리자

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번호	이름	국적	주소
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번호	서류명	접수/발송일자	처리상태	접수/발송번호
1	[특허출원]특허출원서 [Patent Application] Patent Application	2012.06.12	수리 (Accepted)	1-1-2012-0465533-58
2	보정요구서 Request for Amendment	2012.06.18	발송처리완료 (Completion of Transmission)	1-5-2012-0075115-88
3	[출원서등 보정]보정서 [Amendment to Patent Application, etc.] Amendment	2012.06.28	수리 (Accepted)	1-1-2012-0516674-62
4	출원인정보변경(경정)신고서 Notification of change of applicant's information	2013.01.14	수리 (Accepted)	4-1-2013-5007213-54
5	[대리인사임]대리인(대표자)에 관한 신고서 [Resignation of Agent] Report on Agent (Representative)	2014.12.01	수리 (Accepted)	1-1-2014-1163319-92
6	출원인정보변경(경정)신고서 Notification of change of applicant's information	2015.03.17	수리 (Accepted)	4-1-2015-5033829-92
7	출원인정보변경(경정)신고서 Notification of change of applicant's information	2015.05.13	수리 (Accepted)	4-1-2015-5062924-01
8	출원인정보변경(경정)신고서 Notification of change of applicant's information	2015.05.22	수리 (Accepted)	4-1-2015-5068349-97
9	출원인정보변경(경정)신고서 Notification of change of applicant's information	2019.05.13	수리 (Accepted)	4-1-2019-5093546-10
10	출원인정보변경(경정)신고서 Notification of change of applicant's information	2019.05.23	수리 (Accepted)	4-1-2019-5101798-31
11	출원인정보변경(경정)신고서 Notification of change of applicant's information	2019.08.02	수리 (Accepted)	4-1-2019-5154561-59
12	출원인정보변경(경정)신고서 Notification of change of applicant's information	2020.05.28	수리 (Accepted)	4-1-2020-5118228-40

번호, 청구항의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 청구항 표입니다.
번호	청구항
1	1 질화물 반도체 버퍼층;상기 버퍼층 상에 위치하는 장벽층;상기 장벽층 상에 위치하는 캡층;상기 캡층 상에 위치하는 소스 전극 및 드레인 전극;상기 캡층 상의 소스 전극 및 드레인 전극 사이에 위치하는 갈륨을 포함하는 유전체 층; 및 상기 캡층 상의 상기 소스 전극 및 드레인 전극 사이에 위치하는 게이트 전극을 포함하여 구성되는 것을 특징으로 하는 질화물계 반도체 이종접합 반도체 소자
2	2 제 1항에 있어서, 상기 갈륨을 포함하는 유전체층은, 갈륨 산화물인 것을 특징으로 하는 질화물계 반도체 이종접합 반도체 소자
3	3 제 1항에 있어서, 상기 갈륨을 포함하는 유전체층은, 두께가 실질적으로 일정한 것을 특징으로 하는 질화물계 반도체 이종접합 반도체 소자
4	4 제 1항에 있어서, 상기 게이트 전극은, 상기 갈륨을 포함하는 유전체층 상에 위치하는 것을 특징으로 하는 질화물계 반도체 이종접합 반도체 소자
5	5 제 4항에 있어서, 상기 갈륨을 포함하는 유전체층의 두께는 1 내지 100 nm인 것을 특징으로 하는 질화물계 반도체 이종접합 반도체 소자
6	6 제 1항에 있어서, 상기 갈륨을 포함하는 유전체층은, 상기 캡층과 접촉하는 것을 특징으로 하는 질화물계 반도체 이종접합 반도체 소자
7	7 제 1항에 있어서, 상기 버퍼층의 일단부와 타단부가 드러나도록 하는 개구부가 형성된 것을 특징으로 하는 질화물계 반도체 이종접합 반도체 소자
8	8 제 7항에 있어서, 상기 소스 전극 및 드레인 전극은, 상기 개구부로부터 상기 캡층 상에 연장되어 위치하는 것을 특징으로 하는 질화물계 반도체 이종접합 반도체 소자
9	9 제 8항에 있어서, 상기 갈륨을 포함하는 유전체층은, 상기 개구부로부터 상기 캡층 상에 연장되는 소스 전극 및 드레인 전극의 적어도 일부를 덮는 것을 특징으로 하는 질화물계 반도체 이종접합 반도체 소자
10	10 기판 상에 질화물 반도체 버퍼층을 형성하는 단계;상기 버퍼층 상에 장벽층을 형성하는 단계;상기 장벽층 상에 캡층을 형성하는 단계;상기 캡층 상의 일측과 타측에 각각 소스 전극 및 드레인 전극을 형성하는 단계;상기 캡층 상의 상기 소스 전극 및 드레인 전극 사이에 갈륨을 포함하는 유전체층을 형성하는 단계; 및상기 캡층 상의 상기 소스 전극 및 드레인 전극 사이에 게이트 전극을 형성하는 단계를 포함하여 구성되는 것을 특징으로 하는 질화물계 반도체 이종접합 반도체 소자의 제조 방법
11	11 제 10항에 있어서, 상기 갈륨을 포함하는 유전체층은, 갈륨 산화물인 것을 특징으로 하는 질화물계 반도체 이종접합 반도체 소자의 제조 방법
12	12 제 10항에 있어서, 상기 갈륨을 포함하는 유전체층은, 스퍼터 방법에 의하여 형성된 것을 특징으로 하는 질화물계 반도체 이종접합 반도체 소자의 제조 방법
13	13 제 12항에 있어서, 스퍼터 방법은, 150 W 이하의 조건에서 형성되는 것을 특징으로 하는 질화물계 반도체 이종접합 반도체 소자의 제조 방법
14	14 제 10항에 있어서, 상기 장벽층 상에 캡층을 형성하는 단계 이후에는, 상기 버퍼층의 일단부와 타단부가 드러나도록 상기 캡층으로부터 상기 버퍼층의 일부까지 개구부를 형성하는 단계를 더 포함하는 것을 특징으로 하는 질화물계 반도체 이종접합 반도체 소자의 제조 방법
15	15 제 14항에 있어서, 상기 소스 전극 및 드레인 전극을 형성하는 단계는, 상기 개구부로부터 상기 캡층 상까지 연장되도록 형성하는 것을 특징으로 하는 질화물계 반도체 이종접합 반도체 소자의 제조 방법
16	16 제 15항에 있어서, 상기 갈륨을 포함하는 유전체층을 형성하는 단계는, 상기 개구부로부터 상기 캡층 상까지 연장된 소스 전극 및 드레인 전극을 덮도록 형성하는 것을 특징으로 하는 질화물계 반도체 이종접합 반도체 소자의 제조 방법
17	17 제 16항에 있어서, 상기 소스 전극 및 드레인 전극의 일부가 드러나도록 상기 갈륨을 포함하는 유전체층의 일부를 제거하는 단계를 더 포함하는 것을 특징으로 하는 질화물계 반도체 이종접합 반도체 소자의 제조 방법
18	18 제 10항에 있어서, 상기 갈륨을 포함하는 유전체층을 형성하는 단계는, 산소를 첨가하여 형성하는 것을 특징으로 하는 질화물계 반도체 이종접합 반도체 소자의 제조 방법
19	19 제 10항에 있어서, 상기 갈륨을 포함하는 유전체층을 형성하는 단계는, 상기 게이트 전극을 형성하는 단계 이후에 수행되는 것을 특징으로 하는 질화물계 반도체 이종접합 반도체 소자의 제조 방법
20	20 제 10항에 있어서, 상기 갈륨을 포함하는 유전체층의 두께는 1 내지 100 nm인 것을 특징으로 하는 질화물계 반도체 이종접합 반도체 소자의 제조 방법

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번호, 서류명, 접수/발송일자, 처리상태, 접수/발송번호의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 통합행정정보 > 등록료란 표입니다.
번호	서류명	접수/발송일자	처리상태	접수/발송번호
1	[특허출원]특허출원서	2012.06.12	수리 (Accepted)	1-1-2012-0465533-58
2	보정요구서	2012.06.18	발송처리완료 (Completion of Transmission)	1-5-2012-0075115-88
3	[출원서등 보정]보정서	2012.06.28	수리 (Accepted)	1-1-2012-0516674-62
4	출원인정보변경(경정)신고서	2013.01.14	수리 (Accepted)	4-1-2013-5007213-54
5	[대리인사임]대리인(대표자)에 관한 신고서	2014.12.01	수리 (Accepted)	1-1-2014-1163319-92
6	출원인정보변경(경정)신고서	2015.03.17	수리 (Accepted)	4-1-2015-5033829-92
7	출원인정보변경(경정)신고서	2015.05.13	수리 (Accepted)	4-1-2015-5062924-01
8	출원인정보변경(경정)신고서	2015.05.22	수리 (Accepted)	4-1-2015-5068349-97
9	출원인정보변경(경정)신고서	2019.05.13	수리 (Accepted)	4-1-2019-5093546-10
10	출원인정보변경(경정)신고서	2019.05.23	수리 (Accepted)	4-1-2019-5101798-31
11	출원인정보변경(경정)신고서	2019.08.02	수리 (Accepted)	4-1-2019-5154561-59
12	출원인정보변경(경정)신고서	2020.05.28	수리 (Accepted)	4-1-2020-5118228-40


기술번호	KST2015068225
자료제공기관	NTB
기술공급기관	서울대학교
기술명	질화물계 반도체 이종접합 반도체 소자 및 그 제조방법
기술개요	본 발명은 반도체 소자에 관한 것으로 특히, 질화물계 반도체 이종접합 반도체 소자 및 그 제조방법에 관한 것이다. 이러한 본 발명은, 질화물 반도체 버퍼층; 상기 버퍼층 상에 위치하는 장벽층; 상기 장벽층 상에 위치하는 캡층; 상기 캡층 상에 위치하는 소스 전극 및 드레인 전극; 상기 캡층 상의 소스 전극 및 드레인 전극 사이에 위치하는 갈륨을 포함하는 유전체 층; 및 상기 캡층 상의 상기 소스 전극 및 드레인 전극 사이에 위치하는 게이트 전극을 포함하여 구성된다.
개발상태
기술의 우수성
응용분야
시장규모 및 동향
희망거래유형
사업화적용실적
도입시고려사항


과제고유번호	1345196654
세부과제번호	과C6A1604
연구과제명	정보기술사업단
성과구분	출원
부처명	교육과학기술부
연구관리전문기관명	한국연구재단
연구주관기관명	서울대학교
성과제출연도	2012
연구기간	200603~201302
기여율	1
연구개발단계명	기타
6T분류명	IT(정보기술)

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