1 |
1
기판을 마련하는 단계;상기 기판상에 상기 기판과의 전위(dislocation)를 방지하기 위한 버퍼층을 형성하는 단계;상기 버퍼층상에 스페이서를 형성하는 단계;상기 스페이서상에, 상기 스페이서와 이종접합 구조를 형성하기 위한 장벽층을 형성하는 단계;상기 장벽층상에 보호층을 형성하는 단계; 및 상기 보호층상에 RF 스퍼터링을 통한 HfO2층을 형성하는 단계;를 포함하는 질화물계 반도체 제작 방법
|
2 |
2
제 1 항에 있어서,상기 보호층을 형성하는 단계 및 상기 HfO2층을 형성하는 단계 사이에, 상기 보호층의 일부 영역 상에 소스 전극을 형성하는 단계; 및상기 보호층의 다른 일부 영역 상에 드레인 전극을 형성하는 단계;를 더 포함하는 것을 특징으로 하는 질화물계 반도체 제작 방법
|
3 |
3
제 2 항에 있어서,상기 HfO2층을 형성하는 단계는, 상기 HfO2층을 상기 보호층 상에서, 상기 소스 전극 및 상기 드레인 전극을 제외한 부분에 형성하는 것을 특징으로 하는 질화물계 반도체 제작 방법
|
4 |
4
제 2 항에 있어서,상기 HfO2층상에 게이트 전극을 형성하는 단계;를 더 포함하는 질화물계 반도체 제작 방법
|
5 |
5
제 4 항에 있어서,상기 소스 전극 및 드레인 전극은 Ti, Al, Ni 및 Au 중 하나 이상으로 이루어지며, 상기 게이트 전극은 Ni, Pt, Ir, Pd, Mo 및 Au 중 하나 이상으로 이루어지는 것을 특징으로 하는 질화물계 반도체 제작 방법
|
6 |
6
제 1 항에 있어서,상기 버퍼층은 GaN으로 형성되는 것을 특징으로 하는 질화물계 반도체 제작 방법
|
7 |
7
제 6 항에 있어서,상기 절연성의 기판을 마련하는 단계 이후, 상기 기판 상면에 버퍼층을 형성하는 단계 이전에, 상기 기판 상면에, 제1질화물계 반도체의 에피구조를 성장시키기 위한 전이층을 형성하는 단계;를 더 포함하는 질화물계 반도체 제작 방법
|
8 |
8
제 7 항에 있어서,상기 전이층은 AlN으로 형성하는 것을 특징으로 하는 질화물계 반도체 제작 방법
|
9 |
9
제 1 항에 있어서,상기 스페이서 및 상기 보호층은 각각 GaN을 포함하고, 상기 장벽층은 AlGaN을 포함하는 것을 특징으로 하는 질화물계 반도체 제작 방법
|
10 |
10
제 9 항에 있어서, 상기 장벽층의 Al : Ga : N의 함량 비율은 23 : 77 : 100인 것을 특징으로 하는 질화물계 반도체 제작 방법
|
11 |
11
제 1 항에 있어서, 상기 버퍼층은, 3
|
12 |
12
제 1 항에 있어서,상기 보호층을 형성하는 단계 이후, 메사 공정을 수행하여 메사 구조를 형성하는 단계;를 더 포함하는 질화물계 반도체 제작 방법
|
13 |
13
제 12 항에 있어서,상기 메사 구조를 형성하는 단계는, 유도코일플라즈마(ICP) 식각기를 이용하여 Cl2분위기에서 질화물계 반도체의 일부를 식각하는 것을 특징으로 하는 질화물계 반도체 제작 방법
|