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수증기 어닐링을 이용한 질화물계 반도체 소자의 제조 방법

기술번호 : KST2015136236
담당센터 : 서울동부기술혁신센터
전화번호 : 02-2155-3662

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요약, Int. CL, CPC, 출원번호/일자, 출원인, 등록번호/일자, 공개번호/일자, 공고번호/일자, 국제출원번호/일자, 국제공개번호/일자, 우선권정보, 법적상태, 심사진행상태, 심판사항, 구분, 원출원번호/일자, 관련 출원번호, 기술이전 희망, 심사청구여부/일자, 심사청구항수의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 서지정보 표입니다.
요약	질화물계 반도체 제작 방법이 제공된다. 본 발명에 의한 제작 방법은, 표면에 GaN을 포함하는 질화물계 반도체 층을 형성하는 단계, 상기 질화물계 반도체 층 상면의 일 측에 형성된 소스 전극을 형성하고, 타 측에 드레인 전극을 형성하는 단계, 상기 질화물계 반도체 층에 수증기 어닐링(annealing) 처리를 수행하는 단계 및 상기 어닐링 처리된 질화물계 반도체 층 상면에 게이트 전극을 형성하는 단계를 포함한다.
Int. CL	H01L 29/66 (2006.01.01) H01L 29/20 (2006.01.01) H01L 21/324 (2017.01.01)
CPC	H01L 29/66462(2013.01) H01L 29/66462(2013.01) H01L 29/66462(2013.01)
출원번호/일자	1020120132757 (2012.11.22)
출원인	서울대학교산학협력단
등록번호/일자
공개번호/일자	10-2014-0065825 (2014.05.30) 문서열기
공고번호/일자
국제출원번호/일자
국제공개번호/일자
우선권정보
법적상태	포기
심사진행상태	수리
심판사항
구분	신규
원출원번호/일자
관련 출원번호
심사청구여부/일자	Y (2012.11.22)
심사청구항수	10

출원인

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번호	이름	국적	주소
1	서울대학교산학협력단	대한민국	서울특별시 관악구

발명자

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번호	이름	국적	주소
1	한민구	대한민국	서울특별시 강남구
2	석오균	대한민국	서울특별시 관악구
3	안우진	대한민국	서울특별시 관악구

대리인

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번호	이름	국적	주소
1	이건주	대한민국	서울 종로구 명륜동가 *- 미화빌딩 이건주특허법률사무소
2	김정훈	대한민국	서울 종로구 명륜동가 *- 미화빌딩 (이건주특허법률사무소)

최종권리자

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번호	이름	국적	주소
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번호, 서류명, 접수/발송일자, 처리상태, 접수/발송일자의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 행정처리 표입니다.
번호	서류명	접수/발송일자	처리상태	접수/발송번호
1	[특허출원]특허출원서 [Patent Application] Patent Application	2012.11.22	수리 (Accepted)	1-1-2012-0962533-27
2	보정요구서 Request for Amendment	2012.12.03	발송처리완료 (Completion of Transmission)	1-5-2012-0143493-49
3	[출원서등 보정]보정서 [Amendment to Patent Application, etc.] Amendment	2013.01.03	수리 (Accepted)	1-1-2013-0005001-59
4	출원인정보변경(경정)신고서 Notification of change of applicant's information	2013.01.14	수리 (Accepted)	4-1-2013-5007213-54
5	의견제출통지서 Notification of reason for refusal	2013.10.31	발송처리완료 (Completion of Transmission)	9-5-2013-0754726-45
6	[명세서등 보정]보정서 [Amendment to Description, etc.] Amendment	2013.12.30	보정승인간주 (Regarded as an acceptance of amendment)	1-1-2013-1202114-54
7	[거절이유 등 통지에 따른 의견]의견(답변, 소명)서 [Opinion according to the Notification of Reasons for Refusal] Written Opinion(Written Reply, Written Substantiation)	2013.12.30	수리 (Accepted)	1-1-2013-1202113-19
8	등록결정서 Decision to grant	2014.02.17	발송처리완료 (Completion of Transmission)	9-5-2014-0112635-43
9	출원인정보변경(경정)신고서 Notification of change of applicant's information	2015.03.17	수리 (Accepted)	4-1-2015-5033829-92
10	출원인정보변경(경정)신고서 Notification of change of applicant's information	2015.05.13	수리 (Accepted)	4-1-2015-5062924-01
11	출원인정보변경(경정)신고서 Notification of change of applicant's information	2019.05.13	수리 (Accepted)	4-1-2019-5093546-10
12	출원인정보변경(경정)신고서 Notification of change of applicant's information	2019.05.23	수리 (Accepted)	4-1-2019-5101798-31
13	출원인정보변경(경정)신고서 Notification of change of applicant's information	2019.08.02	수리 (Accepted)	4-1-2019-5154561-59

번호, 청구항의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 청구항 표입니다.
번호	청구항
1	1 표면에 GaN을 포함하는 질화물계 반도체 층을 형성하는 단계;상기 질화물계 반도체 층 상면의 일 측에 형성된 소스 전극을 형성하고, 타 측에 드레인 전극을 형성하는 단계; 상기 질화물계 반도체 층에 수증기 어닐링(annealing) 처리를 수행하는 단계; 및상기 어닐링 처리된 질화물계 반도체 층 상면에 게이트 전극을 형성하는 단계;를 포함하는 질화물계 반도체 제작 방법
2	2 제 1 항에 있어서,상기 소스 전극 및 드레인 전극은 Ti, Al, Ni 및 Au 중 하나 이상으로 이루어지며, 상기 게이트 전극은 Ni, Pt, Ir, Pd, Mo 및 Au 중 하나 이상으로 이루어지는 것을 특징으로 하는 질화물계 반도체 제작 방법
3	3 제 1 항에 있어서, 상기 질화물계 반도체 층을 형성하는 단계는,절연성의 기판을 마련하는 단계;상기 기판 상면에 제1질화물계 반도체인 버퍼층을 형성하는 단계; 상기 버퍼층과의 사이에 2차원 전자 가스층을 형성하도록 상기 버퍼층 상면에 AlGaN층을 형성하는 단계; 및 상기 AlGaN층 상면에 GaN층을 형성하는 단계;를 포함하는 것을 특징으로 하는 질화물계 반도체 제작 방법
4	4 제 3 항에 있어서,상기 버퍼층은 GaN으로 형성되는 것을 특징으로 하는 질화물계 반도체 제작 방법
5	5 제 3 항에 있어서,상기 절연성의 기판을 마련하는 단계 이후, 상기 기판 상면에 제1질화물계 반도체인 버퍼층을 형성하는 단계 이전에, 상기 기판 상면에, 제1질화물계 반도체의 에피구조를 성장시키기 위한 전이층을 형성하는 단계;를 더 포함하는 질화물계 반도체 제작 방법
6	6 제 5 항에 있어서,상기 전이층은 AlN으로 형성하는 것을 특징으로 하는 질화물계 반도체 제작 방법
7	7 제 3 항에 있어서, 상기 버퍼층은, 4μm의 두께로 형성되고,상기 AlGaN층은 20nm의 두게로 형성되고,상기 GaN층은 3nm의 두께로 형성되는 것을 특징으로 하는 질화물계 반도체 제작 방법
8	8 제 3 항에 있어서, 상기 AlGaN층의 Al : Ga : N의 함량 비율은 23 : 77 : 100인 것을 특징으로 하는 질화물계 반도체 제작 방법
9	9 제 1 항에 있어서,상기 질화물계 반도체 층에 수증기 어닐링(annealing) 처리를 수행하는 단계 이전에, 상기 수증기 어닐링 처리된 질화물계 반도체에 메사 공정을 수행하여 메사 구조를 형성하는 단계;를 더 포함하는 질화물계 반도체 제작 방법
10	10 제 9 항에 있어서,상기 메사 구조를 형성하는 단계는, 유도코일플라즈마(ICP) 식각기를 이용하여 Cl2와 BCl3 분위기에서 상기 수증기 어닐링 처리된 질화물계 반도체의 일부를 250nm 식각하는 것을 특징으로 하는 질화물계 반도체 제작 방법

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정확한 서류를 확인하시려면 해당 웹사이트에서 조회하시기 바랍니다. (특허로 바로가기: http://www.patent.go.kr)
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번호, 서류명, 접수/발송일자, 처리상태, 접수/발송번호의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 통합행정정보 > 등록료란 표입니다.
번호	서류명	접수/발송일자	처리상태	접수/발송번호
1	[특허출원]특허출원서	2012.11.22	수리 (Accepted)	1-1-2012-0962533-27
2	보정요구서	2012.12.03	발송처리완료 (Completion of Transmission)	1-5-2012-0143493-49
3	[출원서등 보정]보정서	2013.01.03	수리 (Accepted)	1-1-2013-0005001-59
4	출원인정보변경(경정)신고서	2013.01.14	수리 (Accepted)	4-1-2013-5007213-54
5	의견제출통지서	2013.10.31	발송처리완료 (Completion of Transmission)	9-5-2013-0754726-45
6	[명세서등 보정]보정서	2013.12.30	보정승인간주 (Regarded as an acceptance of amendment)	1-1-2013-1202114-54
7	[거절이유 등 통지에 따른 의견]의견(답변, 소명)서	2013.12.30	수리 (Accepted)	1-1-2013-1202113-19
8	등록결정서	2014.02.17	발송처리완료 (Completion of Transmission)	9-5-2014-0112635-43
9	출원인정보변경(경정)신고서	2015.03.17	수리 (Accepted)	4-1-2015-5033829-92
10	출원인정보변경(경정)신고서	2015.05.13	수리 (Accepted)	4-1-2015-5062924-01
11	출원인정보변경(경정)신고서	2019.05.13	수리 (Accepted)	4-1-2019-5093546-10
12	출원인정보변경(경정)신고서	2019.05.23	수리 (Accepted)	4-1-2019-5101798-31
13	출원인정보변경(경정)신고서	2019.08.02	수리 (Accepted)	4-1-2019-5154561-59


과제고유번호	1345196654
세부과제번호	과C6A1604
연구과제명	정보기술사업단
성과구분	출원
부처명	교육과학기술부
연구관리전문기관명	한국연구재단
연구주관기관명	서울대학교
성과제출연도	2012
연구기간	200603~201302
기여율	1
연구개발단계명	기타
6T분류명	IT(정보기술)

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