맞춤기술찾기

홈으로 가기
맞춤기술찾기
이전대상기술
프린트하기

이전대상기술

전자 소자 및 그 제조 방법

  • 기술번호 : KST2015137515
  • 담당센터 : 서울동부기술혁신센터
  • 전화번호 : 02-2155-3662
상담신청 PDF 받기
요약, Int. CL, CPC, 출원번호/일자, 출원인, 등록번호/일자, 공개번호/일자, 공고번호/일자, 국제출원번호/일자, 국제공개번호/일자, 우선권정보, 법적상태, 심사진행상태, 심판사항, 구분, 원출원번호/일자, 관련 출원번호, 기술이전 희망, 심사청구여부/일자, 심사청구항수의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 서지정보 표입니다.
요약 본 발명의 일실시예는, 그래핀(graphene)을 포함하는 탄소층; 상기 탄소층 상에 형성된 박막층; 상기 박막층 상에 형성된 채널층; 상기 박막층과 상기 채널층 사이에 형성되며, 상기 박막층과 상기 채널층 사이의 전류 흐름을 차단하는 전류 차단층; 및 상기 채널층 상에 형성된 소스 전극과 드레인 전극을 포함하는 것을 특징으로 하는 전자 소자를 제공한다.
Int. CL H01L 29/786 (2006.01.01)
CPC H01L 29/778(2013.01) H01L 29/778(2013.01) H01L 29/778(2013.01) H01L 29/778(2013.01) H01L 29/778(2013.01)
출원번호/일자 1020110088019 (2011.08.31)
출원인 서울대학교산학협력단
등록번호/일자 10-1217216-0000 (2012.12.24)
공개번호/일자
공고번호/일자 (20121231) 문서열기
국제출원번호/일자
국제공개번호/일자
우선권정보
법적상태 등록
심사진행상태 수리
심판사항
구분 신규
원출원번호/일자
관련 출원번호
심사청구여부/일자 Y (2011.08.31)
심사청구항수 26

출원인

번호, 이름, 국적, 주소의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 인명정보 - 출원인 표입니다.
번호 이름 국적 주소
1 서울대학교산학협력단 대한민국 서울특별시 관악구

발명자

번호, 이름, 국적, 주소의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 인명정보 - 발명자 표입니다.
번호 이름 국적 주소
1 이규철 대한민국 서울특별시 송파구
2 이철호 대한민국 서울특별시 동작구

대리인

번호, 이름, 국적, 주소의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 인명정보 - 대리인 표입니다.
번호 이름 국적 주소
1 홍장원 대한민국 서울특별시 강남구 테헤란로 **길 *, *층(역삼동, 삼흥역삼빌딩)(특허법인 하나)
2 안상희 대한민국 서울(특허법인 퇴사후 사무소변경 미신고)
3 남준욱 대한민국 경기도 성남시 분당구 대왕판교로***, A동 ***호(삼평동, 유스페이스*)(특허법인지담)
4 특허법인 하나 대한민국 서울특별시 강남구 테헤란로 **길 *, *층(역삼동, 삼흥역삼빌딩)

최종권리자

번호, 이름, 국적, 주소의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 인명정보 - 최종권리자 표입니다.
번호 이름 국적 주소
1 서울대학교산학협력단 서울특별시 관악구
번호, 서류명, 접수/발송일자, 처리상태, 접수/발송일자의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 행정처리 표입니다.
번호 서류명 접수/발송일자 처리상태 접수/발송번호
1 [특허출원]특허출원서
[Patent Application] Patent Application		 2011.08.31 수리 (Accepted) 1-1-2011-0681181-56
2 보정요구서
Request for Amendment		 2011.09.15 발송처리완료 (Completion of Transmission) 1-5-2011-0084002-04
3 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2011.09.27 수리 (Accepted) 4-1-2011-5195109-43
4 [출원서등 보정]보정서
[Amendment to Patent Application, etc.] Amendment		 2011.10.05 수리 (Accepted) 1-1-2011-0776522-27
5 [대리인선임]대리인(대표자)에 관한 신고서
[Appointment of Agent] Report on Agent (Representative)		 2011.10.24 수리 (Accepted) 1-1-2011-0828209-05
6 [대리인해임]대리인(대표자)에 관한 신고서
[Dismissal of Sub-agent] Report on Agent (Representative)		 2011.10.27 수리 (Accepted) 1-1-2011-0845035-01
7 [대리인선임]대리인(대표자)에 관한 신고서
[Appointment of Agent] Report on Agent (Representative)		 2012.05.11 수리 (Accepted) 1-1-2012-0376704-04
8 선행기술조사의뢰서
Request for Prior Art Search		 2012.08.21 수리 (Accepted) 9-1-9999-9999999-89
9 선행기술조사보고서
Report of Prior Art Search		 2012.09.21 수리 (Accepted) 9-1-2012-0073868-52
10 등록결정서
Decision to grant		 2012.10.11 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2012-0608099-45
11 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2013.01.14 수리 (Accepted) 4-1-2013-5007213-54
12 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2015.03.17 수리 (Accepted) 4-1-2015-5033829-92
13 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2015.05.13 수리 (Accepted) 4-1-2015-5062924-01
14 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2019.05.13 수리 (Accepted) 4-1-2019-5093546-10
15 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2019.05.23 수리 (Accepted) 4-1-2019-5101798-31
16 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2019.08.02 수리 (Accepted) 4-1-2019-5154561-59
번호, 청구항의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 청구항 표입니다.
번호 청구항
1 1
그래핀(graphene)을 포함하는 탄소층;상기 탄소층 상에 형성된 박막층;상기 박막층 상에 형성된 채널층;상기 박막층과 상기 채널층 사이에 형성되며, 상기 박막층과 상기 채널층 사이의 전류 흐름을 차단하는 전류 차단층; 및상기 채널층 상에 형성된 소스 전극과 드레인 전극을 포함하는 것을 특징으로 하는 전자 소자
2 2
제1항에 있어서,상기 탄소층에서 상측으로 성장된 복수의 미세 구조체를 더 포함하며,상기 박막층은 상기 미세 구조체를 피복하는 것을 특징으로 하는 전자 소자
3 3
제2항에 있어서,상기 미세 구조체는 미세 막대, 미세 바늘, 미세 튜브, 및 미세 벽으로 이루어진 군에서 선택되는 것을 특징으로 하는 전자 소자
4 4
제1항 내지 제3항 중 어느 한 항에 있어서,상기 탄소층의 하부에 위치한 기판을 더 포함하는 것을 특징으로 하는 전자 소자
5 5
제4항에 있어서,상기 기판과 상기 탄소층은 분리 가능한 것을 특징으로 하는 전자 소자
6 6
제1항 내지 제3항 중 어느 한 항에 있어서,상기 전류 차단층은 상기 채널층보다 밴드갭이 큰 물질 또는 절연체로 이루어지는 것을 특징으로 하는 전자 소자
7 7
제1항 내지 제3항 중 어느 한 항에 있어서,상기 채널층은 반도체 물질로 이루어지는 것을 특징으로 하는 전자 소자
8 8
제1항 내지 제3항 중 어느 한 항에 있어서,상기 채널층은 다층의 이종 구조로 형성되는 것을 특징으로 하는 전자 소자
9 9
제8항에 있어서,상기 채널층은 MgxZn1-xO와 ZnO의 쌍, AlxGa1-xN과 GaN의 쌍, AlxGa1-xAs와 GaAs의 쌍, 또는 Si와 Si1-xGex의 쌍 중 어느 하나의 쌍으로 이루어지는 것을 특징으로 하는 전자 소자
10 10
제1항 내지 제3항 중 어느 한 항에 있어서,상기 채널층 상에 쇼트키 접합을 이용하여 형성된 게이트 전극을 더 포함하는 것을 특징으로 하는 전자 소자
11 11
제1항 내지 제3항 중 어느 한 항에 있어서,상기 채널층 상에 형성된 게이트 유전체; 및상기 게이트 유전체 상에 형성된 게이트 전극을 더 포함하는 것을 특징으로 하는 전자 소자
12 12
제1항 내지 제3항 중 어느 한 항에 있어서,상기 박막층과 상기 전류 차단층은 단일한 층인 것을 특징으로 하는 전자 소자
13 13
제1항 내지 제3항 중 어느 한 항에 있어서,상기 채널층은 하나 이상의 도핑층을 포함하는 것을 특징으로 하는 전자 소자
14 14
그래핀(graphene)을 포함하는 탄소층을 마련하는 단계;상기 탄소층 상에 박막층을 형성하는 단계;상기 박막층 상에 전류 차단층을 형성하는 단계;상기 전류 차단층 상에 채널층을 형성하는 단계; 및상기 채널층 상에 소스 전극과 드레인 전극을 형성하는 단계를 포함하며,상기 전류 차단층은 상기 박막층과 상기 채널층 사이의 전류 흐름을 차단하는 것을 특징으로 하는 전자 소자의 제조 방법
15 15
제14항에 있어서,상기 박막층을 형성하는 단계는, 상기 탄소층 상에서 상측으로 복수의 미세 구조체를 성장시키는 단계를 포함하며,상기 박막층은 상기 미세 구조체를 피복하도록 형성되는 것을 특징으로 하는 전자 소자의 제조 방법
16 16
제15항에 있어서,상기 미세 구조체는 미세 막대, 미세 바늘, 미세 튜브, 및 미세 벽으로 이루어진 군에서 선택되는 것을 특징으로 하는 전자 소자의 제조 방법
17 17
제14항 내지 제16항 중 어느 한 항에 있어서,상기 탄소층을 마련하는 단계는, 기판 상에 상기 그래핀을 포함하는 탄소층을 마련하는 단계인 것인 전자 소자의 제조 방법
18 18
제15항에 있어서,상기 미세 구조체를 성장시키는 단계는,상기 탄소층 상에 데미지(damage)를 생성하는 단계; 및상기 데미지로부터 상기 미세 구조체를 상측으로 성장시키는 단계를 포함하는 것을 특징으로 하는 전자 소자의 제조 방법
19 19
제18항에 있어서,상기 데미지를 생성하는 단계는,상기 탄소층 상에 마스크층을 형성하는 단계;상기 마스크층을 패터닝하여 복수개의 개구부를 형성하는 단계; 및상기 개구부를 통해 상기 탄소층에 데미지를 생성하는 단계를 포함하는 것인 전자 소자의 제조 방법
20 20
제18항에 있어서,상기 데미지를 생성하는 단계는, 가스 플라즈마, 이온빔, 전자빔, 양성자빔, 및 중성자빔 중 하나 이상의 방법을 이용하는 단계인 것인 전자 소자의 제조 방법
21 21
제19항에 있어서,상기 개구부를 형성하는 단계는, 전자빔 리소그래피, 포토리소그래피, 레이저 간섭 리소그래피, 나노임프린트, 및 탬플릿 중 하나 이상의 방법을 이용하는 단계인 것인 전자 소자의 제조 방법
22 22
제14항 내지 제16항 중 어느 한 항에 있어서,상기 채널층은 다층의 이종 구조로 형성되는 것을 특징으로 하는 전자 소자의 제조 방법
23 23
제22항에 있어서,상기 채널층은 MgxZn1-xO와 ZnO의 쌍, AlxGa1-xN과 GaN의 쌍, AlxGa1-xAs와 GaAs의 쌍, 또는 Si와 Si1-xGex의 쌍 중 어느 하나의 쌍으로 이루어지는 것을 특징으로 하는 전자 소자의 제조 방법
24 24
제14항 내지 제16항 중 어느 한 항에 있어서,상기 채널층 상에 쇼트키 접합을 이용하여 게이트 전극을 형성하는 단계를 더 포함하는 것을 특징으로 하는 전자 소자의 제조 방법
25 25
제14항 내지 제16항 중 어느 한 항에 있어서,상기 채널층 상에 게이트 유전체를 형성하는 단계; 및상기 게이트 유전체 상에 게이트 전극을 형성하는 단계를 더 포함하는 것을 특징으로 하는 전자 소자의 제조 방법
26 26
제14항 내지 제16항 중 어느 한 항에 있어서,상기 박막층과 상기 전류 차단층은 단일한 층인 것을 특징으로 하는 전자 소자의 제조 방법
지정국 정보가 없습니다
순번, 패밀리번호, 국가코드, 국가명, 종류의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 패밀리정보 - 패밀리정보 표입니다.
순번 패밀리번호 국가코드 국가명 종류
1 US09666673 US 미국 FAMILY
2 US20150137114 US 미국 FAMILY
3 WO2013032268 WO 세계지적재산권기구(WIPO) FAMILY

DOCDB 패밀리 정보

순번, 패밀리번호, 국가코드, 국가명, 종류의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 패밀리정보 - DOCDB 패밀리 정보 표입니다.
순번 패밀리번호 국가코드 국가명 종류
1 US2015137114 US 미국 DOCDBFAMILY
2 US9666673 US 미국 DOCDBFAMILY
3 WO2013032268 WO 세계지적재산권기구(WIPO) DOCDBFAMILY
순번, 연구부처, 주관기관, 연구사업, 연구과제의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 국가R&D 연구정보 정보 표입니다.
순번 연구부처 주관기관 연구사업 연구과제
1 교육과학기술부 한국과학재단 창의적연구진흥사업 반도체 나노 막대 연구단