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Ｚｎ화합물 반도체 및 이를 포함하는 박막 트랜지스터

기술번호 : KST2015137536
담당센터 : 서울동부기술혁신센터
전화번호 : 02-2155-3662

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요약, Int. CL, CPC, 출원번호/일자, 출원인, 등록번호/일자, 공개번호/일자, 공고번호/일자, 국제출원번호/일자, 국제공개번호/일자, 우선권정보, 법적상태, 심사진행상태, 심판사항, 구분, 원출원번호/일자, 관련 출원번호, 기술이전 희망, 심사청구여부/일자, 심사청구항수의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 서지정보 표입니다.
요약	Zn 화합물 반도체 및 이를 포함하는 박막 트랜지스터를 제공한다. 개시된 Zn 화합물 반도체는 Cl을 첨가됨으로써 Zn 화합물 반도체 내에 캐리어 농도를 적절한 수준으로 제어할 수 있다.
Int. CL	H01L 29/786 (2006.01.01)
CPC	H01L 29/24(2013.01) H01L 29/24(2013.01)
출원번호/일자	1020120117503 (2012.10.22)
출원인	삼성전자주식회사, 서울대학교산학협력단
등록번호/일자
공개번호/일자	10-2014-0050993 (2014.04.30) 문서열기
공고번호/일자
국제출원번호/일자
국제공개번호/일자
우선권정보
법적상태	거절
심사진행상태	수리
심판사항
구분	신규
원출원번호/일자
관련 출원번호
심사청구여부/일자	Y (2017.03.24)
심사청구항수	12

출원인

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번호	이름	국적	주소
1	삼성전자주식회사	대한민국	경기도 수원시 영통구
2	서울대학교산학협력단	대한민국	서울특별시 관악구

발명자

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번호	이름	국적	주소
1	류명관	대한민국	경기 용인시 수지구
2	손경석	대한민국	서울 성동구
3	한승우	대한민국	서울 관악구

대리인

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번호	이름	국적	주소
1	리앤목특허법인	대한민국	서울 강남구 언주로 길 , 층, 층, 층, *층(도곡동, 대림아크로텔)

최종권리자

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번호	이름	국적	주소
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번호, 서류명, 접수/발송일자, 처리상태, 접수/발송일자의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 행정처리 표입니다.
번호	서류명	접수/발송일자	처리상태	접수/발송번호
1	[특허출원]특허출원서 [Patent Application] Patent Application	2012.10.22	수리 (Accepted)	1-1-2012-0859919-53
2	출원인정보변경(경정)신고서 Notification of change of applicant's information	2013.01.14	수리 (Accepted)	4-1-2013-5007213-54
3	출원인정보변경(경정)신고서 Notification of change of applicant's information	2015.03.17	수리 (Accepted)	4-1-2015-5033829-92
4	출원인정보변경(경정)신고서 Notification of change of applicant's information	2015.05.13	수리 (Accepted)	4-1-2015-5062924-01
5	[심사청구]심사청구(우선심사신청)서 [Request for Examination] Request for Examination (Request for Preferential Examination)	2017.03.24	수리 (Accepted)	1-1-2017-0292182-06
6	선행기술조사의뢰서 Request for Prior Art Search	2017.07.12	수리 (Accepted)	9-1-9999-9999999-89
7	선행기술조사보고서 Report of Prior Art Search	2017.08.09	수리 (Accepted)	9-1-2017-0026745-37
8	의견제출통지서 Notification of reason for refusal	2018.08.20	발송처리완료 (Completion of Transmission)	9-5-2018-0563495-41
9	거절결정서 Decision to Refuse a Patent	2019.01.29	발송처리완료 (Completion of Transmission)	9-5-2019-0069339-17
10	출원인정보변경(경정)신고서 Notification of change of applicant's information	2019.05.13	수리 (Accepted)	4-1-2019-5093546-10
11	출원인정보변경(경정)신고서 Notification of change of applicant's information	2019.05.23	수리 (Accepted)	4-1-2019-5101798-31
12	출원인정보변경(경정)신고서 Notification of change of applicant's information	2019.08.02	수리 (Accepted)	4-1-2019-5154561-59
13	출원인정보변경(경정)신고서 Notification of change of applicant's information	2020.11.25	수리 (Accepted)	4-1-2020-5265458-48

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번호	청구항
1	1 Zn 화합물 반도체에 있어서,상기 Zn 화합물 반도체는 Zn 및 질소로 구성되며, 상기 Zn 화합물 반도체는 Cl을 더 포함하는 Zn 화합물 반도체
2	2 제 1항에 있어서, 상기 Zn 화합물 반도체는 Cl이 첨가된 Zn 옥시나이트라이드(Zn Oxynitride)를 포함하는 Zn 화합물 반도체
3	3 제 1항에 있어서,상기 Zn 화합물 반도체는 Zn에 질소 및 Cl을 포함하는 물질로 형성된 Zn 화합물 반도체
4	4 제 1항에 있어서,상기 Zn 화합물 반도체는 비정질상을 포함하는 Zn 화합물 반도체
5	5 제 1항에 있어서,상기 Zn 화합물 반도체는 나노결정상(nanocrystalline phase)을 포함하는 Zn 화합물 반도체
6	6 제 1항에 있어서,상기 Zn 화합물 반도체는 비정질상 및 결정질 상의 혼합상 구조를 지닌 Zn 화합물 반도체
7	7 제 1항에 있어서,상기 Zn 화합물 반도체는 I족 원소, II족 원소, III족 원소, IV족 원소 또는 Ln 계열 원소(La, Ce, Pr, Nd, Pm, Sm, Eu, Gd, Tb, Dy, Ho, Er, Tm, Yb, Lu)를 더 포함하는 Zn 화합물 반도체
8	8 게이트 전극;　 상기 게이트 전극에 대응되는 위치에 형성된 것으로, Zn 및 질소를 포함하는 Zn 화합물 반도체에 Cl이 첨가되어 형성된 채널; 상기 게이트 전극 및 채널 사이에 형성되는 게이트 절연체; 및 상기 채널의 양측부와 각각 접촉하며 형성된 소스 및 드레인을 구비한 Zn 화합물 반도체를 포함하는 박막 트랜지스터
9	9 제 8항에 있어서, 상기 Zn 화합물 반도체는 Cl이 첨가된 Zn 옥시나이트라이드(Zn Oxynitride)인 Zn 화합물 반도체를 포함하는 박막 트랜지스터
10	10 제 8항에 있어서,상기 Zn 화합물 반도체는 비정질상을 포함하는 Zn 화합물 반도체를 포함하는 박막 트랜지스터
11	11 제 8항에 있어서, 상기 Zn 화합물 반도체는 나노결정상(nanocrystalline phase)을 포함하는 Zn 화합물 반도체를 포함하는 박막 트랜지스터
12	12 제 8항에 있어서, 상기 Zn 화합물 반도체는 비정질상 및 결정질 상의 혼합상 구조인 Zn 화합물 반도체를 포함하는 박막 트랜지스터

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정확한 서류를 확인하시려면 해당 웹사이트에서 조회하시기 바랍니다. (특허로 바로가기: http://www.patent.go.kr)
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번호, 서류명, 접수/발송일자, 처리상태, 접수/발송번호의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 통합행정정보 > 등록료란 표입니다.
번호	서류명	접수/발송일자	처리상태	접수/발송번호
1	[특허출원]특허출원서	2012.10.22	수리 (Accepted)	1-1-2012-0859919-53
2	출원인정보변경(경정)신고서	2013.01.14	수리 (Accepted)	4-1-2013-5007213-54
3	출원인정보변경(경정)신고서	2015.03.17	수리 (Accepted)	4-1-2015-5033829-92
4	출원인정보변경(경정)신고서	2015.05.13	수리 (Accepted)	4-1-2015-5062924-01
5	[심사청구]심사청구(우선심사신청)서	2017.03.24	수리 (Accepted)	1-1-2017-0292182-06
6	선행기술조사의뢰서	2017.07.12	수리 (Accepted)	9-1-9999-9999999-89
7	선행기술조사보고서	2017.08.09	수리 (Accepted)	9-1-2017-0026745-37
8	의견제출통지서	2018.08.20	발송처리완료 (Completion of Transmission)	9-5-2018-0563495-41
9	거절결정서	2019.01.29	발송처리완료 (Completion of Transmission)	9-5-2019-0069339-17
10	출원인정보변경(경정)신고서	2019.05.13	수리 (Accepted)	4-1-2019-5093546-10
11	출원인정보변경(경정)신고서	2019.05.23	수리 (Accepted)	4-1-2019-5101798-31
12	출원인정보변경(경정)신고서	2019.08.02	수리 (Accepted)	4-1-2019-5154561-59
13	출원인정보변경(경정)신고서	2020.11.25	수리 (Accepted)	4-1-2020-5265458-48

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