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금 나노 입자를 이용한 나노 부유 게이트형 비휘발성메모리 소자의 제조방법

  • 기술번호 : KST2015140697
  • 담당센터 : 서울서부기술혁신센터
  • 전화번호 : 02-6124-6930
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요약, Int. CL, CPC, 출원번호/일자, 출원인, 등록번호/일자, 공개번호/일자, 공고번호/일자, 국제출원번호/일자, 국제공개번호/일자, 우선권정보, 법적상태, 심사진행상태, 심판사항, 구분, 원출원번호/일자, 관련 출원번호, 기술이전 희망, 심사청구여부/일자, 심사청구항수의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 서지정보 표입니다.
요약 본 발명은 금 나노 입자를 이용한 나노 부유 게이트형 비휘발성 메모리 소자의 제조방법에 관한 것으로서, 금 나노 입자를 사용하여 전기적 정보의 읽기, 쓰기, 저장이 가능한 나노 양자점을 형성하여 제조함으로써, 대용량, 고집적 특성을 가지는 동시에 저전력 및 고속동작이 가능한 금 나노 부유 게이트형 비휘발성 메모리 소자를 제조하는 방법에 관한 것이다. 이러한 본 발명의 금 나노 부유 게이트형 비휘발성 메모리 소자의 제조방법은, 반도체 기판을 준비하는 단계와, 상기 반도체 기판 위에 터널 절연막을 형성하는 단계와, 상기 터널 절연막 위에 금 나노 입자층을 형성하여 금 나노 입자로 이루어진 나노 양자점을 형성시키는 단계와, 상기 금 나노 입자층 위에 컨트롤 절연막을 형성하여 금 나노 부유 게이트를 형성하는 단계를 포함한다.비휘발성, 메모리, 금, 나노, 양자점, 터널 절연막, 컨트롤 절연막, 부유 게이트, 대용량, 고집적, 저전력, 고속동작
Int. CL H01L 29/423 (2006.01.01) H01L 27/11563 (2017.01.01) H01L 29/792 (2006.01.01) H01L 29/66 (2006.01.01)
CPC H01L 29/4234(2013.01) H01L 29/4234(2013.01) H01L 29/4234(2013.01) H01L 29/4234(2013.01)
출원번호/일자 1020060039787 (2006.05.03)
출원인 한양대학교 산학협력단
등록번호/일자 10-0716588-0000 (2007.05.03)
공개번호/일자
공고번호/일자 (20070510) 문서열기
국제출원번호/일자
국제공개번호/일자
우선권정보
법적상태 소멸
심사진행상태 수리
심판사항
구분
원출원번호/일자
관련 출원번호
심사청구여부/일자 Y (2006.05.03)
심사청구항수 7

출원인

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번호 이름 국적 주소
1 한양대학교 산학협력단 대한민국 서울특별시 성동구

발명자

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번호 이름 국적 주소
1 김은규 대한민국 서울 마포구
2 조원주 대한민국 서울 노원구
3 이민승 대한민국 인천 부평구
4 이동욱 대한민국 서울 성동구
5 김재훈 대한민국 서울 강남구

대리인

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번호 이름 국적 주소
1 이학수 대한민국 부산광역시 연제구 법원로 **, ****호(이학수특허법률사무소)
2 백남훈 대한민국 서울특별시 강남구 강남대로 ***, KTB네트워크빌딩**층 한라국제특허법률사무소 (역삼동)

최종권리자

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번호 이름 국적 주소
1 한양대학교 산학협력단 대한민국 서울 성동구
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번호 서류명 접수/발송일자 처리상태 접수/발송번호
1 특허출원서
Patent Application		 2006.05.03 수리 (Accepted) 1-1-2006-0312631-84
2 등록결정서
Decision to grant		 2007.04.20 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2007-0210224-26
3 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2008.03.11 수리 (Accepted) 4-1-2008-5037763-28
4 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2014.06.05 수리 (Accepted) 4-1-2014-5068294-39
5 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2015.02.16 수리 (Accepted) 4-1-2015-5022074-70
6 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2019.08.05 수리 (Accepted) 4-1-2019-5155816-75
7 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2019.08.06 수리 (Accepted) 4-1-2019-5156285-09
번호, 청구항의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 청구항 표입니다.
번호 청구항
1 1
실리콘 기판 위에 실리콘 산화물 절연막 및 상부 실리콘 막이 차례로 적층 형성된 반도체 기판을 준비하는 단계;상기 상부 실리콘 막을 패터닝한 뒤, 노출된 실리콘 산화물 절연막과 남은 상부 실리콘 막 위에 상부 산화층을 형성하는 단계;상기 상부 산화층 일부를 게이트 폭 크기만큼 식각 제거하고, 노출된 상부 실리콘 막에 불순물 이온을 주입하여 소스 및 드레인 채널 영역을 형성하는 단계;상기 상부 산화층 및 노출된 상부 실리콘 막 위에 터널 절연막을 형성하고, 상기 터널 절연막 위에 금 나노 입자층을 형성하여 나노 양자점을 형성시키는 단계;상기 금 나노 입자층을 패터닝하여 컨트롤 게이트가 형성될 영역만을 남기고 제거한 뒤, 터널 절연막과 금 나노 입자층 위에 컨트롤 절연막을 형성하여 금 나노 부유 게이트를 형성하는 단계; 및상기 컨트롤 절연막 및 상부 산화층을 패터닝한 뒤, 전극을 형성하는 단계;를 포함하는 금 나노 입자를 이용한 나노 부유 게이트형 비휘발성 메모리 소자의 제조방법
2 2
청구항 1에 있어서,상기 터널 절연막은 SiO2, SiO2
3 3
청구항 1에 있어서,상기 터널 절연막은 하프늄 산화물(HfO2)을 증착하여 형성하는 것을 특징으로 하는 금 나노 입자를 이용한 나노 부유 게이트형 비휘발성 메모리 소자의 제조방법
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청구항 1에 있어서,상기 금 나노 입자층은 직경 3 ~ 4 nm의 입자 크기를 갖는 금 나노 입자를 1×1012 ~ 5×1012 cm-2 의 밀도로 증착시켜 형성하는 것을 특징으로 하는 금 나노 입자를 이용한 나노 부유 게이트형 비휘발성 메모리 소자의 제조방법
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청구항 1 또는 청구항 4에 있어서,상기 금 나노 입자층은 금 나노 입자를 물리적 증기증착법(PVD)에 의해 증착하는 것을 특징으로 하는 금 나노 입자를 이용한 나노 부유 게이트형 비휘발성 메모리 소자의 제조방법
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청구항 1에 있어서,상기 컨트롤 절연막은 SiO2, SiO2
7 7
청구항 1에 있어서,상기 컨트롤 절연막은 하프늄 산화물(HfO2)을 증착하여 형성하는 것을 특징으로 하는 금 나노 입자를 이용한 나노 부유 게이트형 비휘발성 메모리 소자의 제조방법
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