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반도체 메모리 장치의 데이터 출력 제어 회로

  • 기술번호 : KST2015140889
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요약, Int. CL, CPC, 출원번호/일자, 출원인, 등록번호/일자, 공개번호/일자, 공고번호/일자, 국제출원번호/일자, 국제공개번호/일자, 우선권정보, 법적상태, 심사진행상태, 심판사항, 구분, 원출원번호/일자, 관련 출원번호, 기술이전 희망, 심사청구여부/일자, 심사청구항수의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 서지정보 표입니다.
요약 본 발명의 반도체 메모리 장치의 데이터 출력 제어 회로는, 외부 공급전원으로부터 풀업 제어 신호를 생성하는 풀업 제어부 및 상기 풀업 제어 신호의 제어에 따라 상기 외부 공급전원으로부터 풀다운 제어 신호를 생성하는 풀다운 제어부를 포함하며, 상기 풀다운 제어부는 능동 소자만으로 구현되는 것을 특징으로 한다. 반도체 메모리 장치, 데이터 출력 제어, 능동 소자
Int. CL G11C 7/10 (2015.01.01) G11C 5/14 (2006.01.01) H03K 19/0175 (2006.01.01)
CPC G11C 7/1051(2013.01) G11C 7/1051(2013.01) G11C 7/1051(2013.01)
출원번호/일자 1020060088738 (2006.09.13)
출원인 에스케이하이닉스 주식회사, 한양대학교 산학협력단
등록번호/일자 10-1103060-0000 (2011.12.29)
공개번호/일자 10-2008-0024412 (2008.03.18) 문서열기
공고번호/일자 (20120106) 문서열기
국제출원번호/일자
국제공개번호/일자
우선권정보
법적상태 등록
심사진행상태 수리
심판사항
구분
원출원번호/일자
관련 출원번호
심사청구여부/일자 Y (2010.11.19)
심사청구항수 5

출원인

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번호 이름 국적 주소
1 에스케이하이닉스 주식회사 대한민국 경기도 이천시
2 한양대학교 산학협력단 대한민국 서울특별시 성동구

발명자

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번호 이름 국적 주소
1 박정준 대한민국 서울 도봉구
2 유창식 대한민국 경기 구리시
3 이재진 대한민국 경기 이천시 대월면

대리인

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번호 이름 국적 주소
1 김성남 대한민국 서울특별시 송파구 법원로*길 **(문정동) 에이치비즈니스파크 C동 ***호(에스엔케이특허법률사무소)

최종권리자

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번호 이름 국적 주소
1 에스케이하이닉스 주식회사 대한민국 경기도 이천시
2 한양대학교 산학협력단 대한민국 서울특별시 성동구
번호, 서류명, 접수/발송일자, 처리상태, 접수/발송일자의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 행정처리 표입니다.
번호 서류명 접수/발송일자 처리상태 접수/발송번호
1 특허출원서
Patent Application		 2006.09.13 수리 (Accepted) 1-1-2006-0662548-56
2 [출원인변경]권리관계변경신고서
[Change of Applicant] Report on Change of Proprietary Status		 2009.02.10 수리 (Accepted) 1-1-2009-0081047-81
3 보정요구서
Request for Amendment		 2009.02.12 발송처리완료 (Completion of Transmission) 1-5-2009-0009842-88
4 [출원서등 보정]보정서
[Amendment to Patent Application, etc.] Amendment		 2009.02.18 수리 (Accepted) 1-1-2009-5006809-12
5 [심사청구]심사청구(우선심사신청)서
[Request for Examination] Request for Examination (Request for Preferential Examination)		 2010.11.19 수리 (Accepted) 1-1-2010-0758489-51
6 등록결정서
Decision to grant		 2011.12.23 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2011-0766009-84
7 [일부 청구항 포기]취하(포기)서
[Abandonment of Partial Claims] Request for Withdrawal (Abandonment)		 2011.12.29 수리 (Accepted) 2-1-2011-0313457-55
8 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2012.04.06 수리 (Accepted) 4-1-2012-5073964-60
9 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2012.12.24 수리 (Accepted) 4-1-2012-5270171-92
10 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2014.06.05 수리 (Accepted) 4-1-2014-5068294-39
11 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2015.02.16 수리 (Accepted) 4-1-2015-5022074-70
12 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2015.04.27 수리 (Accepted) 4-1-2015-5055330-26
13 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2019.08.05 수리 (Accepted) 4-1-2019-5155816-75
14 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2019.08.06 수리 (Accepted) 4-1-2019-5156285-09
번호, 청구항의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 청구항 표입니다.
번호 청구항
1 1
외부 공급전원으로부터 풀업 제어 신호를 생성하는 풀업 제어부; 및 상기 풀업 제어 신호의 제어에 따라 상기 외부 공급전원으로부터 풀다운 제어 신호를 생성하는 풀다운 제어부; 를 포함하며, 상기 풀다운 제어부는 능동 소자만으로 구현되는 것을 특징으로 하는 반도체 메모리 장치의 데이터 출력 제어 회로
2 2
청구항 2은(는) 설정등록료 납부시 포기되었습니다
3 3
청구항 3은(는) 설정등록료 납부시 포기되었습니다
4 4
청구항 4은(는) 설정등록료 납부시 포기되었습니다
5 5
청구항 5은(는) 설정등록료 납부시 포기되었습니다
지정국 정보가 없습니다
패밀리정보가 없습니다
국가 R&D 정보가 없습니다.