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메모리 어레이의 구동방법

  • 기술번호 : KST2014012419
  • 담당센터 : 대전기술혁신센터
  • 전화번호 : 042-610-2279
요약, Int. CL, CPC, 출원번호/일자, 출원인, 등록번호/일자, 공개번호/일자, 공고번호/일자, 국제출원번호/일자, 국제공개번호/일자, 우선권정보, 법적상태, 심사진행상태, 심판사항, 구분, 원출원번호/일자, 관련 출원번호, 기술이전 희망, 심사청구여부/일자, 심사청구항수의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 서지정보 표입니다.
요약 본 발명은 마이크로 전자기계 시스템(Micro Electro Mechanical System: MEMS)을 이용한 메모리 어레이 구동방법에 관한 것이다. 본 발명에 따른 메모리 어레이 구동방법은 기판 상에 서로 이격되어 형성된 주전극 및 접점전극, 주전극 과 전기적으로 절연되고, 전하가 기충전된 전하충전부 및 주전극, 전하충전부 및 접점전극 상부에 형성된 유동전극을 포함하는 메모리 셀이 복수 개 배열된 메모리 어레이의 구동방법에 있어서, 주전극에 전하충전부에 충전된 전압과 동일극성의 제1 구동전압을 인가하는 단계 및 유동전극에 제1 구동전압과 반대 극성의 제2 구동전압을 인가하는 단계를 포함한다. 본 발명에 따른 메모리 어레이 구동방법은 기충전된 메모리 셀을 이용하여 낮은 구동전압에서 메모리 어레이를 동작시킬 수 있으며, 외부 노이즈에 대한 내구성 및 신뢰성이 향상된 연속동작이 가능하다. 마이크로 전자기계 시스템(Micro Electro Mechanical System: MEMS), 구동기(Actuator), 정전 구동, 메모리, 스위치
Int. CL G11C 5/14 (2006.01) G11C 7/00 (2006.01)
CPC G11C 5/14(2013.01) G11C 5/14(2013.01) G11C 5/14(2013.01) G11C 5/14(2013.01)
출원번호/일자 1020070133155 (2007.12.18)
출원인 한국과학기술원
등록번호/일자 10-0896981-0000 (2009.05.04)
공개번호/일자
공고번호/일자 (20090514) 문서열기
국제출원번호/일자
국제공개번호/일자
우선권정보
법적상태 소멸
심사진행상태 수리
심판사항
구분 신규
원출원번호/일자
관련 출원번호
심사청구여부/일자 Y (2007.12.18)
심사청구항수 9

출원인

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번호 이름 국적 주소
1 한국과학기술원 대한민국 대전광역시 유성구

발명자

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번호 이름 국적 주소
1 윤준보 대한민국 대전 유성구
2 양현호 대한민국 대전 유성구

대리인

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번호 이름 국적 주소
1 김성호 대한민국 서울특별시 강남구 도곡로 *** (역삼동,미진빌딩 *층)(KNP 특허법률사무소)

최종권리자

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번호 이름 국적 주소
1 한국과학기술원 대한민국 대전광역시 유성구
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번호 서류명 접수/발송일자 처리상태 접수/발송번호
1 [특허출원]특허출원서
[Patent Application] Patent Application
2007.12.18 수리 (Accepted) 1-1-2007-0909562-02
2 선행기술조사의뢰서
Request for Prior Art Search
2008.10.07 수리 (Accepted) 9-1-9999-9999999-89
3 선행기술조사보고서
Report of Prior Art Search
2008.11.11 수리 (Accepted) 9-1-2008-0069702-15
4 의견제출통지서
Notification of reason for refusal
2009.01.15 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2009-0020695-29
5 [명세서등 보정]보정서
[Amendment to Description, etc.] Amendment
2009.03.10 보정승인간주 (Regarded as an acceptance of amendment) 1-1-2009-0143531-11
6 [거절이유 등 통지에 따른 의견]의견(답변, 소명)서
[Opinion according to the Notification of Reasons for Refusal] Written Opinion(Written Reply, Written Substantiation)
2009.03.10 수리 (Accepted) 1-1-2009-0143535-93
7 등록결정서
Decision to grant
2009.04.30 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2009-0184835-26
8 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information
2013.02.01 수리 (Accepted) 4-1-2013-5019983-17
9 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information
2014.12.24 수리 (Accepted) 4-1-2014-5157968-69
10 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information
2014.12.24 수리 (Accepted) 4-1-2014-5157993-01
11 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information
2014.12.24 수리 (Accepted) 4-1-2014-5158129-58
12 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information
2019.04.24 수리 (Accepted) 4-1-2019-5081392-49
13 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information
2020.05.15 수리 (Accepted) 4-1-2020-5108396-12
14 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information
2020.06.12 수리 (Accepted) 4-1-2020-5131486-63
번호, 청구항의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 청구항 표입니다.
번호 청구항
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기판상에 서로 이격되어 형성된 주전극 및 접점전극, 상기 주전극과 전기적으로 절연된 전하충전부, 및 상기 주전극, 상기 전하충전부 및 상기 접점전극 상부에 형성된 유동전극을 포함하는 메모리 셀이 복수 개 배열되고, 상기 복수 개의 메모리 셀의 주전극들과 열 단위로 각각 접속된 복수 개의 비트라인, 상기 복수 개의 메모리 셀의 접점전극들과 열 단위로 각각 접속된 복수 개의 리드라인 및 상기 복수 개의 메모리 셀의 유동전극들과 열 단위로 각각 접속된 복수 개의 워드라인을 포함하는 메모리 어레이를 구동하는 방법에 있어서, 상기 복수 개의 메모리 셀의 전하충전부에 충전전압을 각각 인가하여 전하를 충전하는 단계; 상기 전하가 충전된 전하충전부들을 각각 전기적으로 부유(floating)시키는 단계; 상기 복수 개의 비트라인들 중 선택된 비트라인으로 상기 전하충전부들에 충전된 전압과 동일 극성의 제1 구동전압을 인가하는 단계; 및 상기 복수 개의 워드라인들 중 선택된 워드라인으로 상기 제1 구동전압과 반대 극성의 제2 구동전압을 인가하는 단계; 를 포함하는 메모리 어레이의 구동방법
2 2
제1항에 있어서, 상기 주전극상에 형성된 절연층을 더 포함하고, 상기 전하충전부는 상기 절연층상에 형성된, 메모리 어레이의 구동방법
3 3
제1항에 있어서, 상기 전하충전부는 상기 주전극과 이격되어 상기 기판상에 형성된, 메모리 어레이의 구동방법
4 4
제1항에 있어서, 상기 기충전된 전하충전부에는 풀인전압과 풀아웃전압 내의 전압이 기충전된, 메모리 어레이의 구동방법
5 5
제1항에 있어서, 상기 복수 개의 메모리 셀 중 선택된 메모리 셀은 상기 제1 구동전압 및 상기 제2 구동전압에 의해 스위치 온되는, 메모리 어레이의 구동방법
6 6
제1항에 있어서, 상기 복수 개의 워드라인들 중 선택된 워드라인으로 테스트 전압을 인가하는 단계; 및 상기 복수 개의 리드라인들 중 선택된 리드라인의 전류흐름 유무를 감지하는 단계; 를 더 포함하는, 메모리 어레이 구동방법
7 7
제6항에 있어서, 상기 복수 개의 비트라인들 중 선택된 비트라인으로 상기 제1 구동전압과 반대 극성의 제3 구동전압을 인가하는 단계; 및 상기 복수 개의 워드라인들 중 선택된 워드라인으로 상기 제2 구동전압과 반대 극성의 제4 구동전압을 인가하는 단계; 를 더 포함하는, 메모리 어레이의 구동방법
8 8
제7항에 있어서, 상기 제3 구동전압 및 상기 제4 구동전압은 각각 상기 복수 개의 비트라인들 중 선택된 비트라인 및 상기 복수 개의 워드라인들 중 선택된 워드라인으로 동시에 인가되는, 메모리 어레이 구동방법
9 9
제7항에 있어서, 상기 복수 개의 메모리 셀 중 선택된 메모리 셀은 상기 제3 구동전압 및 상기 제4 구동전압에 의해 스위치 오프되는, 메모리 어레이의 구동방법
지정국 정보가 없습니다
패밀리정보가 없습니다
국가 R&D 정보가 없습니다.