맞춤기술찾기
이전대상기술
ｐ형 산화 아연 나노와이어의 제조방법 및 에너지 변환 소자의 제조방법
- 기술번호 : KST2015142024
- 담당센터 : 인천기술혁신센터
- 전화번호 : 032-420-3580
| 요약 | 은(Ag)이 도핑된 산화 아연 나노 와이어의 제조방법 및 에너지 변환 소자의 제조방법이 개시된다. 개시된 산화 아연 나노 와이어의 제조방법은, 은(Ag)을 포함하는 수용액을 이용한 저온 수열 합성법에 의해 은(Ag)이 도핑된 산화아연 나노와이어를 성장시킨다. |
|---|---|
| Int. CL | C01G 9/02 (2006.01.01) H01L 41/18 (2006.01.01) B82Y 40/00 (2017.01.01) |
| CPC | C01G 9/02(2013.01) C01G 9/02(2013.01) C01G 9/02(2013.01) C01G 9/02(2013.01) C01G 9/02(2013.01) |
| 출원번호/일자 | 1020120119305 (2012.10.25) |
| 출원인 | 삼성전자주식회사, 한양대학교 산학협력단 |
| 등록번호/일자 | |
| 공개번호/일자 | 10-2013-0049153 (2013.05.13) 문서열기 |
| 공고번호/일자 | |
| 국제출원번호/일자 | |
| 국제공개번호/일자 | |
| 우선권정보 |
대한민국 | 1020110114130 | 2011.11.03
|
| 법적상태 | 공개 |
| 심사진행상태 | 수리 |
| 심판사항 | 심판사항 |
| 구분 | 신규 |
| 원출원번호/일자 | |
| 관련 출원번호 | |
| 심사청구여부/일자 | Y (2017.10.25) |
| 심사청구항수 | 24 |
출원인
| 번호 | 이름 | 국적 | 주소 |
|---|---|---|---|
| 1 | 삼성전자주식회사 | 대한민국 | 경기도 수원시 영통구 |
| 2 | 한양대학교 산학협력단 | 대한민국 | 서울특별시 성동구 |
발명자
| 번호 | 이름 | 국적 | 주소 |
|---|---|---|---|
| 1 | 김현진 | 대한민국 | 경기 성남시 분당구 |
| 2 | 박영준 | 대한민국 | 경기 수원시 영통구 |
| 3 | 홍진표 | 대한민국 | 서울 성동구 |
| 4 | 이준석 | 대한민국 | 서울특별시 도봉구 |
| 5 | 이상효 | 대한민국 | 서울 성동구 |
대리인
| 번호 | 이름 | 국적 | 주소 |
|---|---|---|---|
| 1 | 리앤목특허법인 | 대한민국 | 서울 강남구 언주로 **길 **, *층, **층, **층, **층(도곡동, 대림아크로텔) |
최종권리자
| 번호 | 이름 | 국적 | 주소 |
|---|---|---|---|
| 최종권리자 정보가 없습니다 | |||
| 번호 | 서류명 | 접수/발송일자 | 처리상태 | 접수/발송번호 |
|---|---|---|---|---|
| 1 | [특허출원]특허출원서 [Patent Application] Patent Application |
2012.10.25 | 수리 (Accepted) | 1-1-2012-0873430-68 |
| 2 | [출원서등 보정]보정서 [Amendment to Patent Application, etc.] Amendment |
2012.11.02 | 수리 (Accepted) | 1-1-2012-0902564-47 |
| 3 | 출원인정보변경(경정)신고서 Notification of change of applicant's information |
2014.06.05 | 수리 (Accepted) | 4-1-2014-5068294-39 |
| 4 | 출원인정보변경(경정)신고서 Notification of change of applicant's information |
2015.02.16 | 수리 (Accepted) | 4-1-2015-5022074-70 |
| 5 | [심사청구]심사청구(우선심사신청)서 [Request for Examination] Request for Examination (Request for Preferential Examination) |
2017.10.25 | 수리 (Accepted) | 1-1-2017-1053786-02 |
| 6 | 선행기술조사의뢰서 Request for Prior Art Search |
2018.10.12 | 수리 (Accepted) | 9-1-9999-9999999-89 |
| 7 | 선행기술조사보고서 Report of Prior Art Search |
2018.12.07 | 수리 (Accepted) | 9-1-2018-0067044-80 |
| 8 | 의견제출통지서 Notification of reason for refusal |
2019.02.07 | 발송처리완료 (Completion of Transmission) | 9-5-2019-0091360-38 |
| 9 | [거절이유 등 통지에 따른 의견]의견(답변, 소명)서 [Opinion according to the Notification of Reasons for Refusal] Written Opinion(Written Reply, Written Substantiation) |
2019.04.08 | 수리 (Accepted) | 1-1-2019-0359389-12 |
| 10 | [명세서등 보정]보정서 [Amendment to Description, etc.] Amendment |
2019.04.08 | 보정승인간주 (Regarded as an acceptance of amendment) | 1-1-2019-0359390-69 |
| 11 | 출원인정보변경(경정)신고서 Notification of change of applicant's information |
2019.08.05 | 수리 (Accepted) | 4-1-2019-5155816-75 |
| 12 | 출원인정보변경(경정)신고서 Notification of change of applicant's information |
2019.08.06 | 수리 (Accepted) | 4-1-2019-5156285-09 |
| 13 | 거절결정서 Decision to Refuse a Patent |
2019.08.28 | 발송처리완료 (Completion of Transmission) | 9-5-2019-0620748-14 |
| 14 | 등록결정서 Decision to grant |
2020.11.25 | 발송처리완료 (Completion of Transmission) | 9-5-2020-0821864-29 |
| 번호 | 청구항 |
|---|---|
| 1 |
1 은(Ag)이 도핑된 산화아연(ZnO) 나노와이어를 제조하는 방법에 있어서,은(Ag)을 포함하는 수용액을 이용한 저온 수열 합성법(low temperature hydrothermal synthesis method)에 의해 기판 상에 상기 은(Ag)이 도핑된 산화아연 나노와이어를 성장시키는 산화아연 나노와이어의 제조방법 |
| 2 |
2 제 1 항에 있어서,은(Ag) 염, 아연(Zn) 염 및 환원제를 포함하는 상기 수용액을 마련하는 단계;상기 수용액 내에 상기 기판을 침지(沈漬)하는 단계; 및상기 기판 상에 상기 은(Ag)이 도핑된 산화아연 나노와이어를 성장시키는 단계;를 포함하는 산화아연 나노와이어의 제조방법 |
| 3 |
3 제 2 항에 있어서,상기 수용액 내의 아연(Zn) 염 및 환원제의 몰농도는 0 |
| 4 |
4 제 2 항에 있어서,상기 수용액 내의 은(Ag) 염의 몰농도는 0 |
| 5 |
5 제 4 항에 있어서,상기 은(Ag)이 도핑된 산화아연 나노와이어의 성장시 상기 수용액의 온도는 70℃ ~ 100℃인 산화아연 나노와이어의 제조방법 |
| 6 |
6 제 4 항에 있어서,상기 기판은 유연한(flexible) 기판, 신축성이 있는(stretchable) 기판 또는 솔리드(solid) 기판을 포함하는 산화아연 나노와이어의 제조방법 |
| 7 |
7 제 2 항에 있어서,상기 수용액 내의 은(Ag) 염의 몰농도는 0 |
| 8 |
8 제 7 항에 있어서,상기 성장된 은(Ag)이 도핑된 산화 아연(ZnO) 나노 와이어를 열처리하는 단계를 더 포함하는 산화아연 나노와이어의 제조방법 |
| 9 |
9 제 8 항에 있어서,상기 열처리는 400℃ ~ 600℃의 온도에서 수행되는 산화아연 나노 와이어의 제조방법 |
| 10 |
10 제 7 항에 있어서,상기 은(Ag)이 도핑된 산화아연 나노와이어의 성장시 상기 수용액의 온도는 80℃ ~ 110℃인 산화아연 나노와이어의 제조방법 |
| 11 |
11 제 7 항에 있어서,상기 기판은 반도체, 부도체, 금속 또는 폴리머를 포함하는 산화아연 나노 와이어의 제조방법 |
| 12 |
12 제 2 항에 있어서,상기 기판 상에 상기 산화아연 나노와이어의 성장을 위한 시드층(seed layer)을 형성하는 단계를 더 포함하는 산화아연 나노와이어의 제조방법 |
| 13 |
13 제 12 항에 있어서,상기 시드층은 ZnO를 포함하는 산화아연 나노와이어의 제조방법 |
| 14 |
14 제 13 항에 있어서,상기 시드층은 디핑(dipping) 방법에 의해 형성되는 산화아연 나노와이어의 제조방법 |
| 15 |
15 제 14 항에 있어서, 상기 시드층을 형성하는 단계는, 아연 아세트산염(zinc acetate) 수용액에 상기 기판을 침지하는 단계; 및 상기 기판을 꺼낸 다음 공기 중에서 상기 기판을 소정 온도로 유지하는 단계;를 포함하는 산화아연 나노와이어의 제조방법 |
| 16 |
16 제 15 항에 있어서,상기 아연 아세트산염의 몰농도는 0 |
| 17 |
17 제 12 항에 있어서,상기 시드층은 Zn 또는 Au를 포함하는 산화아연 나노와이어의 제조방법 |
| 18 |
18 제 2 항에 있어서,상기 은(Ag) 염은 질산 은(AgNO3)을 포함하는 산화아연 나노와이어의 제조방법 |
| 19 |
19 제 2 항에 있어서,상기 아연(Zn) 염은 질산 아연(ZnNO3)을 포함하는 산화아연 나노와이어의 제조방법 |
| 20 |
20 제 2 항에 있어서,상기 환원제는 Hexamethlylenetetramine(HMTA)를 포함하는 산화아연 나노와이어의 제조방법 |
| 21 |
21 제 1 항에 기재된 방법에 의하여 제조된 은(Ag)이 도핑된 산화아연 나노와이어 |
| 22 |
22 제1 전극이 형성된 제1 기판을 준비하는 단계;상기 제1 전극 상에 은(Ag)을 포함하는 수용액을 이용한 저온 수열 합성법에 의해 은(Ag)이 도핑된 산화아연 나노와이어를 성장시키는 단계; 및상기 성장된 은(Ag)이 도핑된 산화아연 나노와이어들 상에 제2 전극이 형성된 제2 기판을 마련하는 단계;를 포함하는 에너지 변환 소자의 제조방법 |
| 23 |
23 제 22 항에 있어서,상기 은(Ag)이 도핑된 산화아연 나노와이어를 성장시키는 단계는,은(Ag) 염, 아연(Zn) 염 및 환원제를 포함하는 상기 수용액을 마련하는 단계;상기 수용액 내에 상기 제1 기판을 침지(沈漬)하는 단계; 및상기 제1 기판의 제1 전극 상에 상기 은(Ag)이 도핑된 산화아연 나노와이어를 성장시키는 단계;를 포함하는 에너지 변환 소자의 제조방법 |
| 24 |
24 제 23 항에 있어서,상기 수용액 내의 아연(Zn) 염 및 환원제의 몰농도는 0 |
| 25 |
25 제 23 항에 있어서,상기 수용액 내의 은(Ag) 염의 몰농도는 0 |
| 26 |
26 제 25 항에 있어서,상기 은(Ag)이 도핑된 산화아연 나노와이어의 성장시 상기 수용액의 온도는 70℃ ~ 100℃인 에너지 변환 소자의 제조방법 |
| 27 |
27 제 25 항에 있어서,상기 제1 및 제2 기판은 유연한(flexible) 기판, 신축성이 있는(stretchable) 기판 또는 솔리드(solid) 기판을 포함하는 에너지 변환 소자의 제조방법 |
| 28 |
28 제 23 항에 있어서,상기 수용액 내의 은(Ag) 염의 몰농도는 0 |
| 29 |
29 제 28 항에 있어서,상기 성장된 은(Ag)이 도핑된 산화 아연(ZnO) 나노 와이어를 열처리하는 단계를 더 포함하는 에너지 변환 소자의 제조방법 |
| 30 |
30 제 29 항에 있어서,상기 열처리는 400℃ ~ 600℃의 온도에서 수행되는 에너지 변환 소자의 제조방법 |
| 31 |
31 제 28 항에 있어서,상기 은(Ag)이 도핑된 산화아연 나노와이어의 성장시 상기 수용액의 온도는 80℃ ~ 110℃인 에너지 변환 소자의 제조방법 |
| 32 |
32 제 28 항에 있어서,상기 제1 및 제2 기판은 반도체, 부도체, 금속 또는 폴리머를 포함하는 에너지 변환 소자의 제조방법 |
| 33 |
33 제 23 항에 있어서,상기 제1 및 제2 전극은 금속, ITO(Indium Tin Oxide), GTO(Gallium Tin Oxide)또는 PEDOT(Poly(3,4-ethylenedioxythiophene)을 포함하는 에너지 변환 소자의 제조방법 |
| 34 |
34 제 22 항에 있어서,상기 제1 기판의 제1 전극 상에 상기 산화아연 나노와이어의 성장을 위한 시드층을 형성하는 단계를 더 포함하는 에너지 변환 소자의 제조방법 |
| 35 |
35 제 34 항에 있어서,상기 시드층은 ZnO, Zn 또는 Au를 포함하는 에너지 변환 소자의 제조방법 |
| 36 |
36 제 22 항에 기재된 방법에 의하여 제조된 에너지 변환 소자 |
| 지정국 정보가 없습니다 |
|---|
| 순번 | 패밀리번호 | 국가코드 | 국가명 | 종류 |
|---|---|---|---|---|
| 1 | US08778731 | US | 미국 | FAMILY |
| 2 | US20130112969 | US | 미국 | FAMILY |
DOCDB 패밀리 정보
| 순번 | 패밀리번호 | 국가코드 | 국가명 | 종류 |
|---|---|---|---|---|
| DOCDB 패밀리 정보가 없습니다 | ||||
| 국가 R&D 정보가 없습니다. |
|---|
| 등록사항 정보가 없습니다 |
|---|
- 본 '원본보기 서비스'는 참고용이므로, 일부 오류 및 누락이 발생할 수 있습니다.
- 정확한 서류를 확인하시려면 해당 웹사이트에서 조회하시기 바랍니다. (특허로 바로가기: http://www.patent.go.kr)
- 해당 서비스는 점검으로 인해 매주 일요일 00:00 ~ 02:00까지 이용이 중단됩니다.
| 번호 | 서류명 | 접수/발송일자 | 처리상태 | 접수/발송번호 |
|---|---|---|---|---|
| 1 | [특허출원]특허출원서 | 2012.10.25 | 수리 (Accepted) | 1-1-2012-0873430-68 |
| 2 | [출원서등 보정]보정서 | 2012.11.02 | 수리 (Accepted) | 1-1-2012-0902564-47 |
| 3 | 출원인정보변경(경정)신고서 | 2014.06.05 | 수리 (Accepted) | 4-1-2014-5068294-39 |
| 4 | 출원인정보변경(경정)신고서 | 2015.02.16 | 수리 (Accepted) | 4-1-2015-5022074-70 |
| 5 | [심사청구]심사청구(우선심사신청)서 | 2017.10.25 | 수리 (Accepted) | 1-1-2017-1053786-02 |
| 6 | 선행기술조사의뢰서 | 2018.10.12 | 수리 (Accepted) | 9-1-9999-9999999-89 |
| 7 | 선행기술조사보고서 | 2018.12.07 | 수리 (Accepted) | 9-1-2018-0067044-80 |
| 8 | 의견제출통지서 | 2019.02.07 | 발송처리완료 (Completion of Transmission) | 9-5-2019-0091360-38 |
| 9 | [거절이유 등 통지에 따른 의견]의견(답변, 소명)서 | 2019.04.08 | 수리 (Accepted) | 1-1-2019-0359389-12 |
| 10 | [명세서등 보정]보정서 | 2019.04.08 | 보정승인간주 (Regarded as an acceptance of amendment) | 1-1-2019-0359390-69 |
| 11 | 출원인정보변경(경정)신고서 | 2019.08.05 | 수리 (Accepted) | 4-1-2019-5155816-75 |
| 12 | 출원인정보변경(경정)신고서 | 2019.08.06 | 수리 (Accepted) | 4-1-2019-5156285-09 |
| 13 | 거절결정서 | 2019.08.28 | 발송처리완료 (Completion of Transmission) | 9-5-2019-0620748-14 |
| 14 | 등록결정서 | 2020.11.25 | 발송처리완료 (Completion of Transmission) | 9-5-2020-0821864-29 |
| 기술정보가 없습니다 |
|---|
| 과제고유번호 | 1345171695 |
|---|---|
| 세부과제번호 | 2009-00454 |
| 연구과제명 | IMT와 CNSI 기관 유치를 통한 나노-정보 기술 연구 |
| 성과구분 | 출원 |
| 부처명 | 교육과학기술부 |
| 연구관리전문기관명 | 한국연구재단 |
| 연구주관기관명 | 동국대학교 |
| 성과제출연도 | 2012 |
| 연구기간 | 200907~201506 |
| 기여율 | 0.5 |
| 연구개발단계명 | 기초연구 |
| 6T분류명 | NT(나노기술) |
| 과제고유번호 | 1345176234 |
|---|---|
| 세부과제번호 | 2010-0014680 |
| 연구과제명 | 나노 산화물 박막 및 wire 혼성구조 기반 미래형 태양광 p-n 소자 |
| 성과구분 | 출원 |
| 부처명 | 교육과학기술부 |
| 연구관리전문기관명 | 한국연구재단 |
| 연구주관기관명 | 한양대학교 |
| 성과제출연도 | 2012 |
| 연구기간 | 201005~201304 |
| 기여율 | 0.5 |
| 연구개발단계명 | 응용연구 |
| 6T분류명 | NT(나노기술) |
특허성과
| [1020127019245] | 비자성 원소인 Bi를 도핑한 ZnBixO1-x 반도체 박막의 다강성 연구 | 새창보기 |
|---|---|---|
| [1020120119305] | ｐ형 산화 아연 나노와이어의 제조방법 및 에너지 변환 소자의 제조방법 | 새창보기 |
| [1020120014315] | 고체 탄소 원료를 이용한 그래핀 제조방법 및 이에 따라 제조된 그래핀을 포함하는 소자 | 새창보기 |
| [1020110012801] | 그라핀 옥사이드의 저항 스위칭 특성을 이용한 비휘발성 메모리 소자 및 이의 제조 방법 | 새창보기 |
| [1020100039266] | 실리콘적층 사파이어 박막의 제조방법 | 새창보기 |
중요키워드
| [KST2014043605][한양대학교 에리카캠퍼스] | 묽은 자성 반도체와 그 제조방법 | 새창보기 |
|---|---|---|
| [KST2014048465][한양대학교 에리카캠퍼스] | 밀스케일을 이용한 Ｆｅ계 나노분말의 제조방법 | 새창보기 |
| [KST2015140597][한양대학교 에리카캠퍼스] | 원자력 힘 현미경 리소그래피를 이용하여 높은 종횡비를갖는 나노 구조물을 고속으로 형성시키는 방법 | 새창보기 |
| [KST2015140639][한양대학교 에리카캠퍼스] | 초음파 진동자용 고강도 압전 조성물 | 새창보기 |
| [KST2015140643][한양대학교 에리카캠퍼스] | 초음파 진동자용 저온소성 압전 세라믹 조성물 | 새창보기 |
| [KST2015140990][한양대학교 에리카캠퍼스] | 탄소 나노튜브 복합재료가 코팅된 물품의 제조방법 | 새창보기 |
| [KST2015141020][한양대학교 에리카캠퍼스] | 탄소 나노튜브 복합재료 제조방법, 탄소 나노튜브 복합재료를 이용한 태양전지 및 그 제조방법 | 새창보기 |
| [KST2015140645][한양대학교 에리카캠퍼스] | 저에너지 원자력 힘 현미경 시스템을 이용한 유기물 및금속 박막의 나노 미세 패턴 제조 방법 | 새창보기 |
| [KST2015140878][한양대학교 에리카캠퍼스] | 전도성 고분자 나노 구조물의 제조방법 및 이로써 제조된나노 구조물 | 새창보기 |
| [KST2015141168][한양대학교 에리카캠퍼스] | 양친성 블록 공중합체로 인캡슐레이션 된 복합 자성 미셀 및 이의 제조방법 | 새창보기 |
| [KST2015142121][한양대학교 에리카캠퍼스] | 영가철 나노튜브막의 형성방법 | 새창보기 |
| [KST2015199882][한양대학교 에리카캠퍼스] | 무전해 또는 전해 증착법을 이용한 나노복합 자석의 제조방법 | 새창보기 |
| [KST2014048456][한양대학교 에리카캠퍼스] | 초미립 금속분말제품 제조장치 | 새창보기 |
| [KST2015014268][한양대학교 에리카캠퍼스] | 금속산화물 중공 나노입자의 제조방법 | 새창보기 |
| [KST2015141033][한양대학교 에리카캠퍼스] | 금속 나노 입자 형성 방법 | 새창보기 |
| [KST2017009298][한양대학교 에리카캠퍼스] | 표면 증강 라만 산란 기반 바이오센싱 및/또는 바이오이미지 측정용 폴리에틸렌글리콜 접합 나노스케일 그래핀에 의해 유도된 금속 나노입자 클러스터 구조체 제조방법(Polyethyleneglycol conjugated Nanoscale Graphene Mediated Metallic Nanoparticle Clusters for Surface Enhanced Raman Scattering-based Biosensing and/or Bioimaging) | 새창보기 |
| [KST2014048455][한양대학교 에리카캠퍼스] | 금속사출성형용 나노금속분말 피드스톡 제조방법 | 새창보기 |
| [KST2014048458][한양대학교 에리카캠퍼스] | 불순물이 없는 텅스텐 나노 금속분말의 제조 방법 및 상기분말을 이용한 소결체의 제조 방법 | 새창보기 |
| [KST2015140896][한양대학교 에리카캠퍼스] | 금속 나노 입자 형성 방법 | 새창보기 |
| [KST2015014274][한양대학교 에리카캠퍼스] | 금속사출성형용 나노금속분말 피드스톡 제조방법 | 새창보기 |
| [KST2015140900][한양대학교 에리카캠퍼스] | 금속 산화물 반도체 나노 입자 제조 방법 | 새창보기 |
| [KST2015142199][한양대학교 에리카캠퍼스] | ＳｉＯ₂박막 내 금속 나노 결정체의 형성방법 | 새창보기 |
| [KST2015199908][한양대학교 에리카캠퍼스] | 실리카-나노산화아연 복합체의 제조방법 | 새창보기 |
| [KST2015140865][한양대학교 에리카캠퍼스] | 표면 플라즈몬 효과를 이용한 태양 전지 및 그 제조 방법 | 새창보기 |
| [KST2015140975][한양대학교 에리카캠퍼스] | 탄소나노튜브 투명 전극 및 그 제조 방법 | 새창보기 |
| [KST2015140997][한양대학교 에리카캠퍼스] | 나노포어 형성방법 | 새창보기 |
| [KST2015141152][한양대학교 에리카캠퍼스] | 탄소 나노튜브의 후처리방법 및 이를 이용한 탄소나노튜브 제조방법 | 새창보기 |
| [KST2015141242][한양대학교 에리카캠퍼스] | 전도성 폴리아닐린 나노입자의 제조방법 및 이에 의하여제조된 전도성 폴리아닐린 나노입자 | 새창보기 |
| [KST2015142060][한양대학교 에리카캠퍼스] | 원자 힘 현미경 리소그래피 기술을 이용한 박막 패턴 제작방법 | 새창보기 |
| [KST2015142102][한양대학교 에리카캠퍼스] | 나노크기 금속분말의 성형용 피드스톡 제조방법 및 이를 이용한 소결체 제조방법 | 새창보기 |
| 번호 | 심판번호(숫자) | 심판번호(문자) | 사건의표시 | 청구일 | 심결일자 |
|---|---|---|---|---|---|
| 1 | 2019101003153 | 2019원3153 | 2012년 특허출원 제0119305호 거절결정불복 | 2019.09.23 | 2020.10.26 |