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(a)소수성 부분과 양성자 공여기를 갖는 제 1 도판트 및 물을 포함하는 용액에서 아닐린 모노머를 중합시켜 제 1 도판트가 도핑된 마이셀 형태의 폴리아닐린 입자를 형성시키는 단계;
(b) 상기 (a)단계에서 얻어진 입자로부터 제 1 도판트를 제거하여 에머랄드 염기 형태의 폴리아닐린 입자를 얻는 단계;
(c) 티올(SH)기 및 양성자 공여기를 함유하는 제 2 도판트를 상기 (b)단계에서 얻어진 폴리아닐린 입자에 도핑시키는 단계; 및
(d) 상기 폴리아닐린 입자에 도핑된 제 2 도판트의 티올(SH)기와 금속(M)을 반응, 결합시켜 상기 폴리아닐린 입자에 금속을 도핑시키는 단계를 포함하는 폴리아닐린 나노입자의 제조방법
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제 1항에 있어서,
상기 제 1 도판트는 소수성 부분으로 탄소수 6 내지 30의 탄화수소를 포함하는 것을 특징으로 하는 폴리아닐린 나노입자의 제조방법
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3 |
3
제 1항에 있어서,
상기 제 1 도판트는 도데실벤젠술폰산인 것을 특징으로 하는 전도성 폴리아닐린 나노입자의 제조방법
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4
제 1항에 있어서,
상기 제 1 및 제 2 도판트는 양성자 공여기로서 술폰산 또는 카르복시산기를 포함하는 것을 특징으로 하는 전도성 폴리아닐린 나노입자 제조방법
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제 1항에 있어서,
상기 제 2 도판트는 메르캅토숙신산인 것을 특징으로 하는 전도성 폴리아닐린 나노입자의 제조방법
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6
제 1항에 있어서,
상기 제 1 도판트 제거는 상기 (a)단계의 폴리아닐린 나노입자를 염기성 용액으로 처리함으로써 이루어지는 것을 특징으로 하는 전도성 폴리아닐린 나노입자의 제조방법
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7
제 1항에 있어서,
상기 (d)단계에서 상기 금속(M)은 금, 은 및 백금으로 이루어진 군으로부터 선택된 하나인 것을 특징으로 하는 전도성 폴리아닐린 나노입자으 제조방법
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8
제 1항에 있어서,
상기 (d)단계는 (c)단계의 폴리아닐린 입자가 분산된 용액에 AgNO3용액을 첨가함으로써 수행되는 것을 특징으로 하는 전도성 폴리아닐린 나노입자의 제조방법
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폴리아닐린 입자 및 상기 폴리아닐린 입자에 분산된 금속 입자를 포함하는 것을 특징으로 하는 전도성 폴리아닐린 나노입자
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제 9항에 있어서,
상기 전도성 폴리아닐린 나노입자는,
소수성 부분과 양성자 공여기를 갖는 제 1 도판트 및 물을 포함하는 용액에서 아닐린 모노머를 중합시켜 얻어진 제 1 도판트-도핑 폴리아닐린 입자로부터, 상기 제 1 도판트를 제거한 후 다시 제 2 도판트로 도핑시키고, 상기 제 2 도판트에 상기 금속입자를 결합시켜 얻어진 것을 특징으로 하는 전도성 폴리아닐린 나노입자
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제 10항에 있어서,
상기 제 1 도판트의 소수성 부분은 탄소수 6 내지 30의 탄화수소를 포함하는 것을 특징으로 하는 전도성 폴리아닐린 나노입자
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12
제 10항에 있어서,
상기 제 1 도판트는 도데실벤젠술폰산인 것을 특징으로 하는 전도성 폴리아닐린 나노입자
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13
제 10항에 있어서,
상기 제 2 도판트는 양성자 공여기 및 티올기를 포함하는 것을 특징으로 하는 전도성 폴리아닐린 나노입자
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14
제 10항에 있어서,
상기 제 2 도판트는 메르캅토숙신산인 것을 특징으로 하는 전도성 폴리아닐린 나노입자
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제 9항에 있어서,
상기 금속은 금, 은, 및 백금으로 이루어진 군으로부터 선택되는 어느 하나인 것을 특징으로 하는 전도성 폴리아닐린 나노입자
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제 9항에 있어서,
상기 전도성 폴리아닐린 나노입자는 120℃의 조건에서 시간 증가에 따라 전기전도도가 증가하는 것을 특징으로 하는 전도성 폴리아닐린 나노입자
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제 9항에 있어서,
상기 전도성 폴리아닐린 나노입자는 온도 상승 후 다시 온도를 하강시키는 경우 동일온도에서의 전기전도도가 증가하는 것을 특징으로 하는 전도성 폴리아닐린 나노입자
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