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저항성 메모리의 감지증폭회로

  • 기술번호 : KST2015142658
  • 담당센터 : 서울서부기술혁신센터
  • 전화번호 : 02-6124-6930
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요약, Int. CL, CPC, 출원번호/일자, 출원인, 등록번호/일자, 공개번호/일자, 공고번호/일자, 국제출원번호/일자, 국제공개번호/일자, 우선권정보, 법적상태, 심사진행상태, 심판사항, 구분, 원출원번호/일자, 관련 출원번호, 기술이전 희망, 심사청구여부/일자, 심사청구항수의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 서지정보 표입니다.
요약 저항성 메모리의 저항변화를 감지하기 위한 감지증폭회로가 개시된다. 감지증폭회로는 셀 바이어스 승압부 및 기준 바이어스 승압부를 가지고, 다이오드 연결된 트랜지스터를 통해 공통 소스 증폭기의 동작 마진을 확대시킨다. 공통 소스 증폭기는 증가된 동작 마진을 통해 안정적인 동작을 수행할 수 있다. 또한, 2단 증폭을 통해 소신호 레벨은 증폭되어 효과적인 감지증폭 동작이 수행된다.
Int. CL G11C 5/14 (2006.01) G11C 7/06 (2006.01) G11C 13/00 (2006.01)
CPC G11C 13/004(2013.01) G11C 13/004(2013.01) G11C 13/004(2013.01)
출원번호/일자 1020140001919 (2014.01.07)
출원인 한양대학교 산학협력단
등록번호/일자 10-1582731-0000 (2015.12.29)
공개번호/일자 10-2015-0082747 (2015.07.16) 문서열기
공고번호/일자 (20160108) 문서열기
국제출원번호/일자
국제공개번호/일자
우선권정보
법적상태 등록
심사진행상태 수리
심판사항
구분 신규
원출원번호/일자
관련 출원번호
심사청구여부/일자 Y (2014.01.07)
심사청구항수 7

출원인

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번호 이름 국적 주소
1 한양대학교 산학협력단 대한민국 서울특별시 성동구

발명자

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번호 이름 국적 주소
1 송윤흡 대한민국 경기 성남시 분당구
2 길규현 대한민국 서울특별시 성동구

대리인

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번호 이름 국적 주소
1 특허법인이상 대한민국 서울특별시 서초구 바우뫼로 ***(양재동, 우도빌딩 *층)

최종권리자

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번호 이름 국적 주소
1 한양대학교 산학협력단 대한민국 서울특별시 성동구
번호, 서류명, 접수/발송일자, 처리상태, 접수/발송일자의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 행정처리 표입니다.
번호 서류명 접수/발송일자 처리상태 접수/발송번호
1 [특허출원]특허출원서
[Patent Application] Patent Application		 2014.01.07 수리 (Accepted) 1-1-2014-0016049-21
2 선행기술조사의뢰서
Request for Prior Art Search		 2014.06.03 수리 (Accepted) 9-1-9999-9999999-89
3 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2014.06.05 수리 (Accepted) 4-1-2014-5068294-39
4 선행기술조사보고서
Report of Prior Art Search		 2014.07.10 수리 (Accepted) 9-1-2014-0053609-55
5 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2015.02.16 수리 (Accepted) 4-1-2015-5022074-70
6 의견제출통지서
Notification of reason for refusal		 2015.07.17 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2015-0479883-45
7 [명세서등 보정]보정서
[Amendment to Description, etc.] Amendment		 2015.09.03 보정승인간주 (Regarded as an acceptance of amendment) 1-1-2015-0855865-07
8 [거절이유 등 통지에 따른 의견]의견(답변, 소명)서
[Opinion according to the Notification of Reasons for Refusal] Written Opinion(Written Reply, Written Substantiation)		 2015.09.03 수리 (Accepted) 1-1-2015-0855864-51
9 등록결정서
Decision to grant		 2015.12.28 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2015-0903902-16
10 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2019.08.05 수리 (Accepted) 4-1-2019-5155816-75
11 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2019.08.06 수리 (Accepted) 4-1-2019-5156285-09
번호, 청구항의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 청구항 표입니다.
번호 청구항
1 1
셀 저항의 변동을 공통 소스 증폭하기 위한 제1 셀 전압 증폭부;상기 제1 셀 전압 증폭부의 증폭된 신호를 수신하여 공통 소스 증폭하기 위한 제2 셀 전압 증폭부; 및상기 제1 셀 전압 증폭부의 증폭된 신호 및 상기 제2 셀 전압 증폭부의 증폭된 신호를 수신하여 증폭하기 위한 감지 증폭기를 포함하는 감지증폭회로
2 2
제1항에 있어서, 상기 제1 셀 전압 증폭부는,상기 셀 저항과 접지 사이에 연결되고, 제1 전류원에 의해 발생되는 바이어스 전류에 따라 상기 셀 저항과 상기 제1 전류원 사이의 제1 노드에서 셀 전압의 직류성분을 상승시키기 위한 셀 바이어스 승압부; 및상기 제1 노드의 셀 전압을 수신하고, 공통 소스 증폭을 통해 상기 제1 노드의 셀 전압을 제2 노드로 소신호 증폭하기 위한 제1 공통 소스 증폭부를 포함하는 것을 특징으로 하는 감지증폭회로
3 3
제2항에 있어서, 상기 셀 바이어스 승압부는,상기 셀 저항에 연결되고, 워드라인 전압에 의해 스위칭 동작을 수행하는 제1 스위칭 트랜지스터; 및상기 제1 스위칭 트랜지스터와 접지 사이에 연결되고, 다이오드 연결되어 활성영역에서 동작하는 제1 부팅 트랜지스터를 포함하는 것을 특징으로 하는 감지증폭회로
4 4
제2항에 있어서, 상기 제1 공통 소스 증폭부는,양의 전원전압과 상기 제2 노드 사이에 연결되고, 상기 셀 전압을 소신호 증폭하기 하여 공통 소스 구성을 가지며, 상기 증폭된 셀 전압을 상기 감지 증폭기의 일측 입력단에 입력하기 위한 제1 트랜지스터; 및상기 제1 트랜지스터와 접지 사이에 연결되고, 다이오드 연결되어 상기 제1 트랜지스터에 대해 엑티브 로드로 작용하는 제2 트랜지스터를 포함하는 것을 특징으로 하는 감지증폭회로
5 5
제2항에 있어서, 상기 제2 셀 전압 증폭부는,기준 저항과 접지 사이에 연결되고, 제2 전류원에 의해 발생되는 바이어스 전류에 따라 상기 기준 저항과 상기 제2 전류원 사이의 제3 노드에서 기준 전압을 상승시키기 위한 기준 바이어스 승압부;상기 기준 전압을 수신하고, 공통 소스 증폭을 통해 상기 제1 셀 전압 증폭부의 증폭된 신호를 제4 노드에 출력하여 상기 감지 증폭기의 타측 입력단에 입력하기 위한 제2 공통 소스 증폭부를 포함하는 것을 특징으로 하는 감지증폭회로
6 6
제5항에 있어서, 상기 기준 바이어스 승압부는,상기 기준 저항에 연결되고, 워드라인 전압에 의해 스위칭 동작을 수행하는 제2 스위칭 트랜지스터; 및상기 제2 스위칭 트랜지스터와 접지 사이에 연결되고, 다이오드 연결되어 활성영역에서 동작하는 제2 부팅 트랜지스터를 포함하는 것을 특징으로 하는 감지증폭회로
7 7
제5항에 있어서, 상기 제2 공통 소스 증폭부는,상기 제2 노드의 소신호를 공통 소스 증폭하여 상기 제4 노드로 출력하고, 상기 제4 노드의 신호를 상기 감지 증폭기의 타측 입력단에 입력하기 위한 제3 트랜지스터; 및양의 전원전압과 상기 제4 노드 사이에 연결되고, 상기 제3 트랜지스터에 대해 엑티브 로드로 작용하며, 상기 제3 노드의 신호를 수신하기 위한 제4 트랜지스터를 포함하는 것을 특징으로 하는 감지증폭회로
지정국 정보가 없습니다
패밀리정보가 없습니다
국가 R&D 정보가 없습니다.