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전압 펄스의 점진적 특성을 구현한 상변화 메모리 소자 및 그 동작 방법(PHASE CHANGE MEMORY ELEMENT FOR GRADUAL CHARACTERISTICS OF VOLTAGE PULSE AND OPERATION METHOD THEREOF)

  • 기술번호 : KST2018001643
  • 담당센터 : 서울서부기술혁신센터
  • 전화번호 : 02-6124-6930
요약, Int. CL, CPC, 출원번호/일자, 출원인, 등록번호/일자, 공개번호/일자, 공고번호/일자, 국제출원번호/일자, 국제공개번호/일자, 우선권정보, 법적상태, 심사진행상태, 심판사항, 구분, 원출원번호/일자, 관련 출원번호, 기술이전 희망, 심사청구여부/일자, 심사청구항수의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 서지정보 표입니다.
요약 일실시예에 따르면, 전압 펄스의 점진적 특성(Gradual characteristics)을 구현한 상변화 메모리 소자는 상부 전극; 하부 전극; 및 상기 상부 전극 및 상기 하부 전극 사이에 배치되어, 상기 상부 전극 및 상기 하부 전극에 의해 인가되는 전압 펄스에 따라 결정 상태가 셋(Set) 상태와 리셋(Reset) 상태 사이에서 변화되는 상변화층을 포함하고, 상기 상변화층의 결정 상태가 상기 리셋 상태로부터 상기 셋 상태로 변화되는 소거 동작(Erasing operation)에서, 상기 전압 펄스는 점진적 특성을 갖는다.
Int. CL G11C 13/00 (2016.09.02) H01L 45/00 (2016.09.02)
CPC G11C 13/0097(2013.01) G11C 13/0097(2013.01) G11C 13/0097(2013.01) G11C 13/0097(2013.01)
출원번호/일자 1020160097744 (2016.08.01)
출원인 한양대학교 산학협력단
등록번호/일자
공개번호/일자 10-2018-0014464 (2018.02.09) 문서열기
공고번호/일자
국제출원번호/일자
국제공개번호/일자
우선권정보
법적상태 공개
심사진행상태 수리
심판사항
구분 신규
원출원번호/일자
관련 출원번호
심사청구여부/일자 Y (2016.08.01)
심사청구항수 8

출원인

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번호 이름 국적 주소
1 한양대학교 산학협력단 대한민국 서울특별시 성동구

발명자

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번호 이름 국적 주소
1 송윤흡 대한민국 경기도 성남시 분당구

대리인

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번호 이름 국적 주소
1 양성보 대한민국 서울특별시 강남구 선릉로***길 ** (논현동) 삼성빌딩 *층(피앤티특허법률사무소)

최종권리자

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번호 이름 국적 주소
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번호, 서류명, 접수/발송일자, 처리상태, 접수/발송일자의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 행정처리 표입니다.
번호 서류명 접수/발송일자 처리상태 접수/발송번호
1 [특허출원]특허출원서
[Patent Application] Patent Application
2016.08.01 수리 (Accepted) 1-1-2016-0744373-10
2 [출원서등 보정]보정서
[Amendment to Patent Application, etc.] Amendment
2017.01.19 수리 (Accepted) 1-1-2017-0065578-14
3 의견제출통지서
Notification of reason for refusal
2018.01.17 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2018-0041595-10
4 [거절이유 등 통지에 따른 의견]의견(답변, 소명)서
[Opinion according to the Notification of Reasons for Refusal] Written Opinion(Written Reply, Written Substantiation)
2018.03.19 수리 (Accepted) 1-1-2018-0271055-14
5 [명세서등 보정]보정서
[Amendment to Description, etc.] Amendment
2018.03.19 보정승인간주 (Regarded as an acceptance of amendment) 1-1-2018-0271056-59
6 의견제출통지서
Notification of reason for refusal
2018.07.30 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2018-0515016-36
7 [지정기간연장]기간연장(단축, 경과구제)신청서
[Designated Period Extension] Application of Period Extension(Reduction, Progress relief)
2018.10.01 수리 (Accepted) 1-1-2018-0966327-39
8 [지정기간연장]기간연장(단축, 경과구제)신청서
[Designated Period Extension] Application of Period Extension(Reduction, Progress relief)
2018.10.31 수리 (Accepted) 1-1-2018-1075685-38
9 거절결정서
Decision to Refuse a Patent
2018.12.04 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2018-0833172-10
10 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information
2019.08.05 수리 (Accepted) 4-1-2019-5155816-75
11 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information
2019.08.06 수리 (Accepted) 4-1-2019-5156285-09
번호, 청구항의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 청구항 표입니다.
번호 청구항
1 1
전압 펄스의 점진적 특성(Gradual characteristics)을 구현한 상변화 메모리 소자에 있어서, 상부 전극; 하부 전극; 및 상기 상부 전극 및 상기 하부 전극 사이에 배치되어, 상기 상부 전극 및 상기 하부 전극에 의해 인가되는 전압 펄스에 따라 결정 상태가 셋(Set) 상태와 리셋(Reset) 상태 사이에서 변화되는 상변화층을 포함하고, 상기 상변화층의 결정 상태가 상기 리셋 상태로부터 상기 셋 상태로 변화되는 소거 동작(Erasing operation)에서, 상기 전압 펄스는 점진적 특성을 갖는, 상변화 메모리 소자
2 2
제1항에 있어서,상기 상변화층은 상기 소거 동작에서 상기 전압 펄스가 점진적 특성을 갖기 위하여 상기 소거 동작의 반응 시간이 길어지도록 상기 상부 전극 또는 상기 하부 전극 중 적어도 하나와의 접촉 면적이 증가되는 구조를 갖는, 상변화 메모리 소자
3 3
제2항에 있어서,상기 상변화층은 상기 상부 전극 또는 상기 하부 전극 중 적어도 하나와의 접촉 면적이 증가되도록 상기 상부 전극 또는 상기 하부 전극 중 적어도 하나를 관통하는 구조로 형성되는, 상변화 메모리 소자
4 4
제1항에 있어서,상기 소거 동작에서, 상기 상변화층에는 상기 결정 상태가 상기 리셋 상태로부터 상기 셋 상태로 변화되기 위하여, 상기 상변화층의 용융 온도를 발생시키는 전압 값보다 높은 값의 전압 펄스가 인가되는, 상변화 메모리 소자
5 5
제4항에 있어서,상기 결정 상태가 상기 리셋 상태로부터 상기 셋 상태로 변화되기 위하여 상기 상변화층에 인가되는 전압 펄스의 폴링 타임(Falling time)은 상기 전압 펄스가 점진적 특성을 갖도록 길게 조절되는, 상변화 메모리 소자
6 6
제1항에 있어서,상기 상변화 메모리 소자는 시냅스 모델링 회로에 사용되는, 상변화 메모리 소자
7 7
전압 펄스의 점진적 특성을 구현한 상변화 메모리 소자의 동작 방법에 있어서,상부 전극 및 하부 전극을 통하여 전압 펄스를 상변화층-상기 상변화층은 상기 상부 전극 및 상기 하부 전극 사이에 매치됨-으로 인가하는 단계; 및 상기 전압 펄스에 따라 상기 상변화층의 결정 상태를 셋(Set) 상태와 리셋(Reset) 상태 사이에서 변화시키는 단계를 포함하고, 상기 상변화층의 결정 상태가 상기 리셋 상태로부터 상기 셋 상태로 변화되는 소거 동작(Erasing operation)에서, 상기 전압 펄스는 점진적 특성을 갖는, 상변화 메모리 소자의 동작 방법
8 8
제7항에 있어서,상기 상부 전극 및 상기 하부 전극을 통하여 전압 펄스를 상변화층으로 인가하는 단계는 상기 소거 동작에서, 상기 결정 상태를 상기 리셋 상태로부터 상기 셋 상태로 변화시키기 위하여, 상기 상변화층의 용융 온도를 발생시키는 전압 값보다 높은 값의 전압 펄스를 상기 상변화층에 인가하는 단계를 포함하는 상변화 메모리 소자의 동작 방법
9 9
제8항에 있어서,상기 전압 펄스에 따라 상기 상변화층의 결정 상태를 상기 셋 상태와 상기 리셋 상태 사이에서 변화시키는 단계는 상기 전압 펄스가 점진적 특성을 갖도록, 상기 결정 상태를 상기 리셋 상태로부터 상기 셋 상태로 변화시키기 위하여 상기 상변화층에 인가되는 전압 펄스의 폴링 타임(Falling time)을 길게 조절하는 단계를 포함하는 상변화 메모리 소자의 동작 방법
10 10
제7항에 있어서,상기 상변화층은 상기 소거 동작에서 상기 전압 펄스가 점진적 특성을 갖기 위하여 상기 소거 동작의 반응 시간이 길어지도록 상기 상부 전극 또는 상기 하부 전극 중 적어도 하나와의 접촉 면적이 증가되는 구조를 갖는, 상변화 메모리 소자의 동작 방법
11 11
제10항에 있어서,상기 상변화층은 상기 상부 전극 또는 상기 하부 전극 중 적어도 하나와의 접촉 면적이 증가되도록 상기 상부 전극 또는 상기 하부 전극 중 적어도 하나를 관통하는 구조로 형성되는, 상변화 메모리 소자의 동작 방법
12 12
제7항에 있어서,상기 상부 전극 및 상기 하부 전극을 통하여 전압 펄스를 상변화층으로 인가하는 단계는 상기 상변화층의 결정 상태가 상기 셋 상태로부터 상기 리셋 상태로 변화되는 기록 동작(Programming operation)에서, 상기 결정 상태를 상기 셋 상태로부터 상기 리셋 상태로 변화시키기 위하여, 상기 상변화층의 용융 온도를 발생시키는 전압 값보다 높은 값의 전압 펄스를 인가하는 단계를 포함하고, 상기 전압 펄스에 따라 상기 상변화층의 결정 상태를 상기 셋 상태와 상기 리셋 상태 사이에서 변화시키는 단계는 상기 결정 상태가 상기 리셋 상태가 된 이후, 상기 상변화층을 냉각시키는 단계를 포함하는 상변화 메모리 소자의 동작 방법
지정국 정보가 없습니다
패밀리정보가 없습니다
순번, 연구부처, 주관기관, 연구사업, 연구과제의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 국가R&D 연구정보 정보 표입니다.
순번 연구부처 주관기관 연구사업 연구과제
1 미래창조과학부 한양대학교 산학협력단 원천기술개발사업 / 나노소재 기술개발사업 / 나노·소재원천기술개발사업 상변화 물질 기반 신경 세포 모방형 시냅스 소자, 아키텍처 원천 기술