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전압 펄스의 동작 세분화를 이용하여 점진적 특성을 구현한 초격자 상변화 메모리 소자 및 그 동작 방법

  • 기술번호 : KST2020011818
  • 담당센터 : 서울서부기술혁신센터
  • 전화번호 : 02-6124-6930
요약, Int. CL, CPC, 출원번호/일자, 출원인, 등록번호/일자, 공개번호/일자, 공고번호/일자, 국제출원번호/일자, 국제공개번호/일자, 우선권정보, 법적상태, 심사진행상태, 심판사항, 구분, 원출원번호/일자, 관련 출원번호, 기술이전 희망, 심사청구여부/일자, 심사청구항수의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 서지정보 표입니다.
요약 전압 펄스의 동작 세분화를 이용하여 점진적 특성을 구현한 초격자 상변화 메모리 소자 및 그 동작 방법이 개시된다. 일 실시예에 따르면, 전압 펄스의 점진적 특성을 구현한 초격자 상변화 메모리 소자(Superlattice Phase change memory element)는, 제1 전극; 제2 전극; 및 상기 제1 전극 및 상기 제2 전극 사이에 배치된 채, 상기 제1 전극 및 상기 제2 전극에 의해 인가되는 전압 펄스에 따라 셋(Set) 상태와 리셋(Reset) 상태 사이에서 변화되는 초격자 상변화층(Interfacial PCM layer; iPCM layer)을 포함하고, 상기 초격자 상변화층에 인가되는 전압 펄스가 상승하는 스텝을 세분화하여 상기 전압 펄스의 점진적 특성을 구현하는 것을 특징으로 한다.
Int. CL G11C 13/00 (2006.01.01) H01L 45/00 (2006.01.01)
CPC G11C 13/0004(2013.01) G11C 13/0004(2013.01) G11C 13/0004(2013.01) G11C 13/0004(2013.01) G11C 13/0004(2013.01)
출원번호/일자 1020190086167 (2019.07.17)
출원인 한양대학교 산학협력단
등록번호/일자 10-2144586-0000 (2020.08.06)
공개번호/일자
공고번호/일자 (20200812) 문서열기
국제출원번호/일자
국제공개번호/일자
우선권정보
법적상태 등록
심사진행상태 수리
심판사항
구분 신규
원출원번호/일자
관련 출원번호
심사청구여부/일자 Y (2019.07.17)
심사청구항수 10

출원인

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번호 이름 국적 주소
1 한양대학교 산학협력단 대한민국 서울특별시 성동구

발명자

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번호 이름 국적 주소
1 송윤흡 경기도 성남시 분당구
2 김봉석 서울특별시 성동구

대리인

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번호 이름 국적 주소
1 양성보 대한민국 서울특별시 강남구 선릉로***길 ** (논현동) 삼성빌딩 *층(피앤티특허법률사무소)

최종권리자

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번호 이름 국적 주소
1 한양대학교 산학협력단 서울특별시 성동구
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번호 서류명 접수/발송일자 처리상태 접수/발송번호
1 [특허출원]특허출원서
[Patent Application] Patent Application
2019.07.17 수리 (Accepted) 1-1-2019-0730887-07
2 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information
2019.08.05 수리 (Accepted) 4-1-2019-5155816-75
3 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information
2019.08.06 수리 (Accepted) 4-1-2019-5156285-09
4 선행기술조사의뢰서
Request for Prior Art Search
2019.11.12 수리 (Accepted) 9-1-9999-9999999-89
5 선행기술조사보고서
Report of Prior Art Search
2020.02.13 수리 (Accepted) 9-1-2020-0005679-78
6 의견제출통지서
Notification of reason for refusal
2020.03.31 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2020-0231527-20
7 [명세서등 보정]보정서
[Amendment to Description, etc.] Amendment
2020.04.07 보정승인간주 (Regarded as an acceptance of amendment) 1-1-2020-0358817-19
8 등록결정서
Decision to grant
2020.05.06 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2020-0313865-48
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번호 청구항
1 1
전압 펄스의 점진적 특성을 구현한 초격자 상변화 메모리 소자(Superlattice Phase change memory element)에 있어서, 제1 전극; 제2 전극; 및 상기 제1 전극 및 상기 제2 전극 사이에 배치된 채, 상기 제1 전극 및 상기 제2 전극에 의해 인가되는 전압 펄스에 따라 셋(Set) 상태와 리셋(Reset) 상태 사이에서 변화되는 초격자 상변화층(Interfacial PCM layer; iPCM layer)을 포함하고, 상기 초격자 상변화층에 인가되는 전압 펄스가 상승하는 스텝을 세분화하여 상기 전압 펄스의 점진적 특성을 구현하는 것을 특징으로 하는 초격자 상변화 메모리 소자
2 2
제1항에 있어서,상기 초격자 상변화 메모리 소자는, 상기 초격자 상변화층을 상기 셋 상태로부터 상기 리셋 상태로 변화시키는 리셋 동작에서 상기 초격자 상변화층에 인가되는 전압 펄스가 상승하는 스텝을 세분화하는 것을 특징으로 하는 초격자 상변화 메모리 소자
3 3
제2항에 있어서,상기 초격자 상변화 메모리 소자는, 상기 리셋 동작에서 상기 초격자 상변화층에 인가되는 전압 펄스가 상승하는 전체 구간 중 시작 구간의 스텝보다 종료 구간에서의 스텝을 세분화하여 상기 전압 펄스의 점진적 특성을 구현하는 것을 특징으로 하는 초격자 상변화 메모리 소자
4 4
제1항에 있어서,상기 점진적 특성은, 상기 전압 펄스에서 전압 변화에 따른 저항 변화의 정도가 기 설정된 범위 내에서 일정하게 유지되는 특성인, 초격자 상변화 메모리 소자
5 5
제1항에 있어서,상기 초격자 상변화층은, Sb 및 Te을 포함하는 제1 층과 Ge 및 Te을 포함하는 제2 층으로 구성되는 것을 특징으로 하는 초격자 상변화 메모리 소자
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제1항에 있어서,상기 초격자 상변화 메모리 소자는, 시냅스 모델링 회로에서 사용되는 것을 특징으로 하는 초격자 상변화 메모리 소자
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전압 펄스의 점진적 특성을 구현한 초격자 상변화 메모리 소자의 리셋 동작 방법에 있어서,초격자 상변화층에 인가할 전압 펄스의 점진적 특성을 구현하기 위해, 상기 전압 펄스가 상승하는 스텝을 세분화하는 단계; 상기 스텝이 세분화된 전압 펄스를 제1 전극 및 제2 전극을 통하여 상기 초격자 상변화층으로 인가하는 단계; 및 상기 점진적 특성이 구현된 전압 펄스에 따라 상기 초격자 상변화층을 셋 상태로부터 리셋 상태로 변화시키는 단계를 포함하는 초격자 상변화 메모리 소자의 리셋 동작 방법
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제7항에 있어서,상기 세분화하는 단계는, 상기 펄스가 상승하는 전체 구간 중 시작 구간의 스텝보다 종료 구간에서의 스텝을 세분화하는 단계를 포함하는 초격자 상변화 메모리 소자의 리셋 동작 방법
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전압 펄스의 점진적 특성을 구현한 초격자 상변화 메모리에 있어서, 복수의 제1 전극들; 복수의 제2 전극들; 및 상기 복수의 제1 전극들 및 상기 복수의 제2 전극들 사이에 각각 배치된 채, 상기 복수의 제1 전극들 및 상기 복수의 제2 전극들 의해 각각 인가되는 전압 펄스에 따라 셋 상태와 리셋 상태 사이에서 변화되는 복수의 초격자 상변화층들을 포함하고, 상기 복수의 초격자 상변화층들에 각각 인가되는 전압 펄스가 상승하는 폭을 세분화하여 상기 전압 펄스의 점진적 특성을 구현하는 것을 특징으로 하는 초격자 상변화 메모리
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제9항에 있어서,상기 초격자 상변화 메모리는, 상기 복수의 초격자 상변화층들을 각각 상기 셋 상태로부터 상기 리셋 상태로 변화시키는 리셋 동작에서 상기 복수의 초격자 상변화층들에 각각 인가되는 전압 펄스가 상승하는 전체 구간 중 시작 구간의 스텝보다 종료 구간에서의 스텝을 세분화하여 상기 전압 펄스의 점진적 특성을 구현하는 것을 특징으로 하는 초격자 상변화 메모리
지정국 정보가 없습니다
패밀리정보가 없습니다
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순번 연구부처 주관기관 연구사업 연구과제
1 과학기술정보통신부 연세대학교 산학협력단 산업기술혁신사업 / 산업핵심기술개발사업 / 전자정보디바이스산업원천기술개발사업(RCMS) 초고속 / 저에너지 멀티레벨 메모리/시냅시스 소자 개발