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앰비폴라 특성을 가진 탄소나노튜브 트랜지스터를 구비한전환가능한 논리회로

기술번호 : KST2015143014
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요약, Int. CL, CPC, 출원번호/일자, 출원인, 등록번호/일자, 공개번호/일자, 공고번호/일자, 국제출원번호/일자, 국제공개번호/일자, 우선권정보, 법적상태, 심사진행상태, 심판사항, 구분, 원출원번호/일자, 관련 출원번호, 기술이전 희망, 심사청구여부/일자, 심사청구항수의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 서지정보 표입니다.
요약	본 발명은 앰비폴라 특성을 가진 탄소나노튜브 트랜지스터를 구비한 전환가능한 논리회로에 관하여 개시된다. 앰비폴라 특성을 가진 탄소나노튜브 트랜지스터를 구비한 전환가능한 논리회로는: 복수의 트랜지스터를 구비하며, 상기 트랜지스터는, 소스 및 드레인과, 이들 사이의 채널인 탄소나노튜브와, 상기 탄소나노튜브 상의 게이트 절연층 및 게이트 전극을 구비한 전계효과 트랜지스터이며, 전원전압의 전압에 따라서 상기 트랜지스터는 p형 또는 n형으로 변환된다.
Int. CL	H01L 29/80 (2006.01) B82Y 10/00 (2011.01)
CPC
출원번호/일자	1020080038897 (2008.04.25)
출원인	삼성전자주식회사, 성균관대학교산학협력단
등록번호/일자	10-1432037-0000 (2014.08.13)
공개번호/일자	10-2009-0113035 (2009.10.29) 문서열기
공고번호/일자	(20140820) 문서열기
국제출원번호/일자
국제공개번호/일자
우선권정보
법적상태	등록
심사진행상태	수리
심판사항
구분	신규
원출원번호/일자
관련 출원번호
심사청구여부/일자	Y (2013.03.15)
심사청구항수	12

출원인

번호, 이름, 국적, 주소의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 인명정보 - 출원인 표입니다.
번호	이름	국적	주소
1	삼성전자주식회사	대한민국	경기도 수원시 영통구
2	성균관대학교산학협력단	대한민국	경기도 수원시 장안구

발명자

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번호	이름	국적	주소
1	김언정	대한민국	부산광역시 금정구
2	이은홍	대한민국	경기도 안양시 동안구
3	이영희	대한민국	경기도 수원시 권선구
4	유우종	대한민국	광주광역시 북구

대리인

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번호	이름	국적	주소
1	리앤목특허법인	대한민국	서울 강남구 언주로 길 , 층, 층, 층, *층(도곡동, 대림아크로텔)

최종권리자

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번호	이름	국적	주소
1	삼성전자주식회사		경기도 수원시 영통구
2	성균관대학교산학협력단		경기도 수원시 장안구

번호, 서류명, 접수/발송일자, 처리상태, 접수/발송일자의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 행정처리 표입니다.
번호	서류명	접수/발송일자	처리상태	접수/발송번호
1	[특허출원]특허출원서 [Patent Application] Patent Application	2008.04.25	수리 (Accepted)	1-1-2008-0299856-67
2	출원인정보변경(경정)신고서 Notification of change of applicant's information	2012.04.26	수리 (Accepted)	4-1-2012-5090770-53
3	출원인정보변경(경정)신고서 Notification of change of applicant's information	2012.06.20	수리 (Accepted)	4-1-2012-5131828-19
4	출원인정보변경(경정)신고서 Notification of change of applicant's information	2012.06.21	수리 (Accepted)	4-1-2012-5132663-40
5	출원인정보변경(경정)신고서 Notification of change of applicant's information	2012.06.27	수리 (Accepted)	4-1-2012-5137236-29
6	[심사청구]심사청구(우선심사신청)서 [Request for Examination] Request for Examination (Request for Preferential Examination)	2013.03.15	수리 (Accepted)	1-1-2013-0226414-74
7	의견제출통지서 Notification of reason for refusal	2013.12.26	발송처리완료 (Completion of Transmission)	9-5-2013-0896317-71
8	[거절이유 등 통지에 따른 의견]의견(답변, 소명)서 [Opinion according to the Notification of Reasons for Refusal] Written Opinion(Written Reply, Written Substantiation)	2014.02.24	수리 (Accepted)	1-1-2014-0177398-26
9	[명세서등 보정]보정서 [Amendment to Description, etc.] Amendment	2014.02.24	보정승인간주 (Regarded as an acceptance of amendment)	1-1-2014-0177400-31
10	등록결정서 Decision to grant	2014.05.29	발송처리완료 (Completion of Transmission)	9-5-2014-0372526-06
11	출원인정보변경(경정)신고서 Notification of change of applicant's information	2017.02.23	수리 (Accepted)	4-1-2017-5028829-43

번호, 청구항의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 청구항 표입니다.
번호	청구항
1	1 복수의 트랜지스터를 구비한 논리회로에 있어서, 상기 트랜지스터는, 제1전극 및 제2전극과, 이들 사이의 채널인 탄소나노튜브와, 상기 탄소나노튜브 상의 게이트 절연층 및 게이트 전극을 구비한 전계효과 트랜지스터이며, 상기 제1전극에 전원전압이 인가되며, 상기 전원전압의 전압에 따라서 상기 트랜지스터는 p형 또는 n형으로 변환되는 앰비폴라 특성을 가진 탄소나노튜브 트랜지스터를 구비한 전환가능한 논리회로
2	2 제 1 항에 있어서,상기 논리회로는, 직렬로 연결된 제1트랜지스터 및 제2트랜지스터를 구비하며, 상기 제1트랜지스터의 게이트 및 제2트랜지스터의 게이트에는 입력전원이 연결되며, 상기 제1트랜지스터의 제1전극에는 상기 전원전압이 연결되며, 상기 제2트랜지스터의 제2전극에는 그라운드 전압이 인가되며, 상기 제1트랜지스터 및 제2트랜지스터 사이의 연결부로부터 출력전압이 출력되는 인버터 회로인 논리회로
3	3 제 2 항에 있어서, 상기 전원전압이 소정의 음전압이면, 상기 제1트랜지스터는 n형 트랜지스터로, 상기 제2트랜지스터는 p형 트랜지스터로 작용하는 논리회로
4	4 제 2 항에 있어서, 상기 전원전압이 소정의 양전압이면, 상기 제1트랜지스터는 p형 트랜지스터로, 상기 제2트랜지스터는 n형 트랜지스터로 작용하는 논리회로
5	5 제 1 항에 있어서, 상기 전원전압에 따라서 상기 논리회로는 제1논리회로 또는 제2논리회로로 작용하는 논리회로
6	6 제 5 항에 있어서, 상기 제1논리회로는 NOR 논리회로이며, 상기 제2논리회로는 NAND 논리회로인 논리회로
7	7 제 1 항에 있어서, 상기 논리회로는, 제1입력신호를 수신하는 게이트를 각각 구비한 제1트랜지스터 및 제2트랜지스터와, 제2입력신호를 수신하는 게이트를 각각 구비한 제3트랜지스터 및 제4트랜지스터를 구비하며, 상기 제1트랜지스터 및 제3트랜지스터는 직렬로 연결되며, 상기 제2트랜지스터 및 제4트랜지스터는 병렬로 연결되며,상기 제1트랜지스터의 제1전극에 상기 전원전압이 연결되며,상기 제2트랜지스터 및 제4 트랜지스터의 제1전극들은 그라운드 전압에 연결되며, 상기 제2트랜지스터의 제2전극, 제4 트랜지스터의 제2전극 및 상기 제3트랜지스터의 제2전극 사이의 공통 연결부로부터 출력전압이 출력되는 논리회로
8	8 제 7 항에 있어서,상기 전원전압이 소정의 음전압이면, 상기 제1 및 제3트랜지스터는 n형 트랜지스터로, 상기 제2 및 제4트랜지스터는 p형 트랜지스터로 작용하여 NAND 논리회로를 구성하는 논리회로
9	9 제 7 항에 있어서,상기 전원전압이 소정의 양전압이면, 상기 제1 및 제3트랜지스터는 p형 트랜지스터로, 상기 제2 및 제4트랜지스터는 n형 트랜지스터로 작용하여 NOR 논리회로를 구성하는 논리회로
10	10 제 1 항에 있어서, 상기 논리회로는, 제1입력신호를 수신하는 게이트를 각각 구비한 제1트랜지스터 및 제2트랜지스터와, 제2입력신호를 수신하는 게이트를 각각 구비한 제3트랜지스터 및 제4트랜지스터를 구비하며, 상기 제1트랜지스터 및 제3트랜지스터는 병렬로 연결되며, 상기 제2트랜지스터 및 제4트랜지스터는 직렬로 연결되며,상기 제4트랜지스터의 제1전극은 그라운드 전압에 연결되며,상기 제1트랜지스터 및 제3트랜지스터의 제1전극들은 상기 전원전압에 연결되며, 상기 제1트랜지스터의 제2전극, 제3트랜지스터의 제2전극 및 상기 제2트랜지스터의 제2전극 사이의 공통 연결부로부터 출력전압이 출력되는 논리회로
11	11 제 10 항에 있어서,상기 전원전압이 소정의 음전압이면, 상기 제1 및 제3트랜지스터는 n형 트랜지스터로, 상기 제2 및 제4트랜지스터는 p형 트랜지스터로 작용하여 NOR 논리회로를 구성하는 논리회로
12	12 제 10 항에 있어서,상기 전원전압이 소정의 양전압이면, 상기 제1 및 제3트랜지스터는 p형 트랜지스터로, 상기 제2 및 제4트랜지스터는 n형 트랜지스터로 작용하여 NAND 논리회로를 구성하는 논리회로

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순번	패밀리번호	국가코드	국가명	종류
1	US08022725	US	미국	FAMILY
2	US20090267647	US	미국	FAMILY

DOCDB 패밀리 정보

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순번	패밀리번호	국가코드	국가명	종류
1	US2009267647	US	미국	DOCDBFAMILY
2	US8022725	US	미국	DOCDBFAMILY

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특허 등록번호	10-1432037-0000

권리란

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표시번호	사항
1	출원 연월일 : 20080425 출원 번호 : 1020080038897 공고 연월일 : 20140820 공고 번호 : 특허결정(심결)연월일 : 20140529 청구범위의 항수 : 12 유별 : H01L 29/80 발명의 명칭 : 앰비폴라 특성을 가진 탄소나노튜브 트랜지스터를 구비한전환가능한 논리회로 존속기간(예정)만료일 :

특허권자란

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순위번호	사항
1	(권리자) 삼성전자주식회사 경기도 수원시 영통구...
1	(권리자) 성균관대학교산학협력단 경기도 수원시 장안구...

등록료란

순위번호, 사항의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 등록사항 > 등록료란 표입니다.
제 1 - 3 년분	금 액	513,000 원	2014년 08월 14일	납입
제 4 년분	금 액	304,000 원	2017년 07월 19일	납입
제 5 년분	금 액	304,000 원	2018년 07월 18일	납입
제 6 년분	금 액	304,000 원	2019년 07월 19일	납입
제 7 년분	금 액	556,000 원	2020년 07월 16일	납입

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번호, 서류명, 접수/발송일자, 처리상태, 접수/발송번호의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 통합행정정보 > 등록료란 표입니다.
번호	서류명	접수/발송일자	처리상태	접수/발송번호
1	[특허출원]특허출원서	2008.04.25	수리 (Accepted)	1-1-2008-0299856-67
2	출원인정보변경(경정)신고서	2012.04.26	수리 (Accepted)	4-1-2012-5090770-53
3	출원인정보변경(경정)신고서	2012.06.20	수리 (Accepted)	4-1-2012-5131828-19
4	출원인정보변경(경정)신고서	2012.06.21	수리 (Accepted)	4-1-2012-5132663-40
5	출원인정보변경(경정)신고서	2012.06.27	수리 (Accepted)	4-1-2012-5137236-29
6	[심사청구]심사청구(우선심사신청)서	2013.03.15	수리 (Accepted)	1-1-2013-0226414-74
7	의견제출통지서	2013.12.26	발송처리완료 (Completion of Transmission)	9-5-2013-0896317-71
8	[거절이유 등 통지에 따른 의견]의견(답변, 소명)서	2014.02.24	수리 (Accepted)	1-1-2014-0177398-26
9	[명세서등 보정]보정서	2014.02.24	보정승인간주 (Regarded as an acceptance of amendment)	1-1-2014-0177400-31
10	등록결정서	2014.05.29	발송처리완료 (Completion of Transmission)	9-5-2014-0372526-06
11	출원인정보변경(경정)신고서	2017.02.23	수리 (Accepted)	4-1-2017-5028829-43


과제고유번호	1345086124
세부과제번호	03-2006-04-001-00
연구과제명	테라급탄소나노튜브전자소자개발
성과구분	출원
부처명	교육과학기술부
연구관리전문기관명	한국과학재단
연구주관기관명	삼성전자
성과제출연도	2008
연구기간	200007~201003
기여율	1
연구개발단계명	기초연구
6T분류명	NT(나노기술)

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