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비휘발성 메모리 셀 및 그 제조방법
- 기술번호 : KST2014011555
- 담당센터 : 대전기술혁신센터
- 전화번호 : 042-610-2279
| 요약 | 본 발명은 비휘발성 메모리 셀 및 그 제조방법에 관한 것이다. 이러한 본 발명에 따른 비휘발성 메모리 셀은 기판, 기판의 활성영역 상에 형성된 제1산화막, 활성영역 내에 형성된 소오스와 드레인, 제1산화막 상에 형성된 전하저장부, 전하저장부를 포위하고, 제1산화막 상에 형성된 제2산화막 및 제2산화막을 포위하도록 형성된 게이트를 포함한다. 이러한 본 발명에 따른 비휘발성 메모리 셀, 이를 포함하는 셀 어레이는 전하저장부가 게이트 또는 게이트라인에 의해 완전히 포위됨으로써, 인접한 다른 게이트 또는 게이트라인 내부에 형성된 셀에 의한 메모리 동작으로 발생할 수 있는 셀간 간섭현상을 최소화 할 수 있다. 게이트 라인, 탄소나노튜브(carbon nanotube), 플러린(fullerene), 나노결정 |
|---|---|
| Int. CL | H01L 27/115 (2011.01) H01L 21/8247 (2011.01) B82Y 10/00 (2011.01) |
| CPC | H01L 27/11517(2013.01) H01L 27/11517(2013.01) H01L 27/11517(2013.01) H01L 27/11517(2013.01) H01L 27/11517(2013.01) H01L 27/11517(2013.01) H01L 27/11517(2013.01) H01L 27/11517(2013.01) H01L 27/11517(2013.01) H01L 27/11517(2013.01) |
| 출원번호/일자 | 1020070024835 (2007.03.14) |
| 출원인 | 한국과학기술원 |
| 등록번호/일자 | 10-0897515-0000 (2009.05.07) |
| 공개번호/일자 | 10-2008-0083945 (2008.09.19) 문서열기 |
| 공고번호/일자 | (20090515) 문서열기 |
| 국제출원번호/일자 | |
| 국제공개번호/일자 | |
| 우선권정보 | |
| 법적상태 | 소멸 |
| 심사진행상태 | 수리 |
| 심판사항 | 심판사항 |
| 구분 | |
| 원출원번호/일자 | |
| 관련 출원번호 | |
| 심사청구여부/일자 | Y (2007.03.14) |
| 심사청구항수 | 7 |
출원인
| 번호 | 이름 | 국적 | 주소 |
|---|---|---|---|
| 1 | 한국과학기술원 | 대한민국 | 대전광역시 유성구 |
발명자
| 번호 | 이름 | 국적 | 주소 |
|---|---|---|---|
| 1 | 최양규 | 대한민국 | 대전 유성구 |
| 2 | 김국환 | 대한민국 | 대전 유성구 |
대리인
| 번호 | 이름 | 국적 | 주소 |
|---|---|---|---|
| 1 | 김성호 | 대한민국 | 서울특별시 강남구 도곡로 *** (역삼동,미진빌딩 *층)(KNP 특허법률사무소) |
최종권리자
| 번호 | 이름 | 국적 | 주소 |
|---|---|---|---|
| 1 | 한국과학기술원 | 대한민국 | 대전광역시 유성구 |
| 번호 | 서류명 | 접수/발송일자 | 처리상태 | 접수/발송번호 |
|---|---|---|---|---|
| 1 | 특허출원서 Patent Application |
2007.03.14 | 수리 (Accepted) | 1-1-2007-0204570-76 |
| 2 | 의견제출통지서 Notification of reason for refusal |
2008.01.25 | 발송처리완료 (Completion of Transmission) | 9-5-2008-0040309-55 |
| 3 | [거절이유 등 통지에 따른 의견]의견(답변, 소명)서 [Opinion according to the Notification of Reasons for Refusal] Written Opinion(Written Reply, Written Substantiation) |
2008.02.20 | 수리 (Accepted) | 1-1-2008-0125387-75 |
| 4 | [명세서등 보정]보정서 [Amendment to Description, etc.] Amendment |
2008.02.20 | 보정승인간주 (Regarded as an acceptance of amendment) | 1-1-2008-0125407-01 |
| 5 | 의견제출통지서 Notification of reason for refusal |
2008.07.25 | 발송처리완료 (Completion of Transmission) | 9-5-2008-0390550-17 |
| 6 | [거절이유 등 통지에 따른 의견]의견(답변, 소명)서 [Opinion according to the Notification of Reasons for Refusal] Written Opinion(Written Reply, Written Substantiation) |
2008.09.24 | 수리 (Accepted) | 1-1-2008-0671344-29 |
| 7 | 거절결정서 Decision to Refuse a Patent |
2009.01.30 | 발송처리완료 (Completion of Transmission) | 9-5-2009-0043153-89 |
| 8 | 명세서 등 보정서(심사전치) Amendment to Description, etc(Reexamination) |
2009.03.31 | 보정승인 (Acceptance of amendment) | 7-1-2009-0015191-51 |
| 9 | 등록결정서 Decision to grant |
2009.05.06 | 발송처리완료 (Completion of Transmission) | 9-5-2009-0191243-72 |
| 10 | 출원인정보변경(경정)신고서 Notification of change of applicant's information |
2013.02.01 | 수리 (Accepted) | 4-1-2013-5019983-17 |
| 11 | 출원인정보변경(경정)신고서 Notification of change of applicant's information |
2014.12.24 | 수리 (Accepted) | 4-1-2014-5158129-58 |
| 12 | 출원인정보변경(경정)신고서 Notification of change of applicant's information |
2014.12.24 | 수리 (Accepted) | 4-1-2014-5157968-69 |
| 13 | 출원인정보변경(경정)신고서 Notification of change of applicant's information |
2014.12.24 | 수리 (Accepted) | 4-1-2014-5157993-01 |
| 14 | 출원인정보변경(경정)신고서 Notification of change of applicant's information |
2019.04.24 | 수리 (Accepted) | 4-1-2019-5081392-49 |
| 15 | 출원인정보변경(경정)신고서 Notification of change of applicant's information |
2020.05.15 | 수리 (Accepted) | 4-1-2020-5108396-12 |
| 16 | 출원인정보변경(경정)신고서 Notification of change of applicant's information |
2020.06.12 | 수리 (Accepted) | 4-1-2020-5131486-63 |
| 번호 | 청구항 |
|---|---|
| 1 |
1 기판; 상기 기판의 활성영역 상에 형성된 제1 산화막; 상기 활성영역 내에 형성된 소오스와 드레인; 상기 제1 산화막상에 형성된 전하저장부; 상기 전하저장부를 포위하고, 상기 제1 산화막상에 형성된 제2 산화막; 및 상기 제2 산화막을 포위하도록 형성된 게이트를 포함하고, 상기 게이트는 4 |
| 2 |
2 제1항에 있어서, 상기 전하저장부는, 탄소나노튜브(Carbon Nano Tube, CNT), 플러린(fullerene), 질화물 또는 나노결정물질로 이루어진, 비휘발성 메모리 셀 |
| 3 |
3 삭제 |
| 4 |
4 삭제 |
| 5 |
5 기판; 상기 기판에 복수의 활성영역을 한정하는 소자분리부; 상기 복수의 활성영역 내에 형성된 소오스와 드레인; 상기 복수의 활성영역상에 형성된 제1 산화막; 상기 제1 산화막상에 형성된 전하저장부; 상기 전하저장부를 포위하고, 상기 제1 산화막상에 형성된 제2 산화막; 및 동일한 신호처리 라인에 위치한 복수의 상기 제2 산화막을 포위하고, 서로 전기적으로 연결시키는 게이트라인을 포함하고, 상기 게이트라인은 4 |
| 6 |
6 제5항에 있어서, 상기 전하저장부는, 탄소나노튜브(Carbon Nano Tube, CNT), 플러린(fullerene), 질화물 또는 나노결정물질로 이루어진, 비휘발성 메모리 셀 어레이 |
| 7 |
7 삭제 |
| 8 |
8 삭제 |
| 9 |
9 (a) 기판 상에 순차적으로 제1산화막, 전하저장부 및 상기 전하저장부를 포위하는 제2산화막을 형성하는 단계; (b) 상기 제2산화막 상에 제1게이트물질을 형성하는 단계; (c) 상기 제1게이트물질 상에 식각마스크막을 형성하고, 상기 식각마스크막을 패터닝하는 단계; (d) 상기 식각마스크막을 마스크로 하여 상기 기판에 트렌치(trench)가 형성되도록 식각하는 단계; (e) 상기 트렌치 상에 활성영역을 한정하는 소자분리부를 형성하는 단계; (f) 상기 식각마스크막을 제거하는 단계; (g) 동일한 신호처리 라인에 형성된 상기 제1게이트물질이 전기적으로 연결되도록 제2게이트물질을 형성하는 단계; 및 (h) 상기 기판의 활성영역들 내에 소오스와 드레인을 형성하는 단계를 포함하고, 상기 제1 게이트물질 또는 상기 제2 게이트물질은, 4 |
| 10 |
10 제9항에 있어서, 상기 (e)단계는, 상기 트렌치와 상기 식각마스크막 상에 트렌치매립절연물질을 형성하는 단계; 및 상기 트렌치매립절연물질을 평탄화 또는 식각하여 상기 소자분리부를 형성하는 단계 를 포함하는, 비휘발성 메모리 어레이의 제조방법 |
| 11 |
11 제9항에 있어서, 상기 전하저장부는, 탄소나노튜브, 플러린, 질화물 또는 나노결정인, 비휘발성 메모리 셀 어레이의 제조방법 |
| 12 |
12 삭제 |
| 13 |
13 삭제 |
| 지정국 정보가 없습니다 |
|---|
| 순번 | 패밀리번호 | 국가코드 | 국가명 | 종류 |
|---|---|---|---|---|
| 1 | JP20227509 | JP | 일본 | FAMILY |
| 2 | US08008706 | US | 미국 | FAMILY |
| 3 | US20080277719 | US | 미국 | FAMILY |
DOCDB 패밀리 정보
| 순번 | 패밀리번호 | 국가코드 | 국가명 | 종류 |
|---|---|---|---|---|
| 1 | CN101267002 | CN | 중국 | DOCDBFAMILY |
| 2 | CN101267002 | CN | 중국 | DOCDBFAMILY |
| 3 | JP2008227509 | JP | 일본 | DOCDBFAMILY |
| 4 | US2008277719 | US | 미국 | DOCDBFAMILY |
| 5 | US8008706 | US | 미국 | DOCDBFAMILY |
| 국가 R&D 정보가 없습니다. |
|---|
- 본 등록정보는 참고용으로 법적증빙자료로 사용할 수 없습니다.
- 데이터 이관에 따른 소요기간(1일)으로 인하여 등록원부와 일부 차이가 발생할 수 있으며, 일부 정보(부기, 상세 주소 등)를 제공하지 않고 있습니다.
- 법적증빙자료로 활용하시거나 더 자세한 정보를 보시려면 등록원부를 발급받아 사용하시기 바랍니다.
| 특허 등록번호 | 10-0897515-0000 |
|---|
권리란
| 표시번호 | 사항 |
|---|---|
| 1 |
출원 연월일 : 20070314 출원 번호 : 1020070024835 공고 연월일 : 20090515 공고 번호 : 특허결정(심결)연월일 : 20090506 청구범위의 항수 : 7 유별 : H01L 27/115 발명의 명칭 : 비휘발성 메모리 셀 및 그 제조방법. 존속기간(예정)만료일 : 20140508 |
특허권자란
| 순위번호 | 사항 |
|---|---|
| 1 |
(권리자) 한국과학기술원 대전광역시 유성구... |
등록료란
| 제 1 - 3 년분 | 금 액 | 159,000 원 | 2009년 05월 08일 | 납입 |
| 제 4 년분 | 금 액 | 194,000 원 | 2012년 04월 30일 | 납입 |
| 제 5 년분 | 금 액 | 194,000 원 | 2013년 04월 29일 | 납입 |
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| 번호 | 서류명 | 접수/발송일자 | 처리상태 | 접수/발송번호 |
|---|---|---|---|---|
| 1 | 특허출원서 | 2007.03.14 | 수리 (Accepted) | 1-1-2007-0204570-76 |
| 2 | 의견제출통지서 | 2008.01.25 | 발송처리완료 (Completion of Transmission) | 9-5-2008-0040309-55 |
| 3 | [거절이유 등 통지에 따른 의견]의견(답변, 소명)서 | 2008.02.20 | 수리 (Accepted) | 1-1-2008-0125387-75 |
| 4 | [명세서등 보정]보정서 | 2008.02.20 | 보정승인간주 (Regarded as an acceptance of amendment) | 1-1-2008-0125407-01 |
| 5 | 의견제출통지서 | 2008.07.25 | 발송처리완료 (Completion of Transmission) | 9-5-2008-0390550-17 |
| 6 | [거절이유 등 통지에 따른 의견]의견(답변, 소명)서 | 2008.09.24 | 수리 (Accepted) | 1-1-2008-0671344-29 |
| 7 | 거절결정서 | 2009.01.30 | 발송처리완료 (Completion of Transmission) | 9-5-2009-0043153-89 |
| 8 | 명세서 등 보정서(심사전치) | 2009.03.31 | 보정승인 (Acceptance of amendment) | 7-1-2009-0015191-51 |
| 9 | 등록결정서 | 2009.05.06 | 발송처리완료 (Completion of Transmission) | 9-5-2009-0191243-72 |
| 10 | 출원인정보변경(경정)신고서 | 2013.02.01 | 수리 (Accepted) | 4-1-2013-5019983-17 |
| 11 | 출원인정보변경(경정)신고서 | 2014.12.24 | 수리 (Accepted) | 4-1-2014-5158129-58 |
| 12 | 출원인정보변경(경정)신고서 | 2014.12.24 | 수리 (Accepted) | 4-1-2014-5157968-69 |
| 13 | 출원인정보변경(경정)신고서 | 2014.12.24 | 수리 (Accepted) | 4-1-2014-5157993-01 |
| 14 | 출원인정보변경(경정)신고서 | 2019.04.24 | 수리 (Accepted) | 4-1-2019-5081392-49 |
| 15 | 출원인정보변경(경정)신고서 | 2020.05.15 | 수리 (Accepted) | 4-1-2020-5108396-12 |
| 16 | 출원인정보변경(경정)신고서 | 2020.06.12 | 수리 (Accepted) | 4-1-2020-5131486-63 |
| 기술번호 | KST2014011555 |
|---|---|
| 자료제공기관 | NTB |
| 기술공급기관 | 한국과학기술원 |
| 기술명 | 비휘발성 메모리 셀 및 그 제조방법 |
| 기술개요 |
본 발명은 비휘발성 메모리 셀 및 그 제조방법에 관한 것이다. 이러한 본 발명에 따른 비휘발성 메모리 셀은 기판, 기판의 활성영역 상에 형성된 제1산화막, 활성영역 내에 형성된 소오스와 드레인, 제1산화막 상에 형성된 전하저장부, 전하저장부를 포위하고, 제1산화막 상에 형성된 제2산화막 및 제2산화막을 포위하도록 형성된 게이트를 포함한다. 이러한 본 발명에 따른 비휘발성 메모리 셀, 이를 포함하는 셀 어레이는 전하저장부가 게이트 또는 게이트라인에 의해 완전히 포위됨으로써, 인접한 다른 게이트 또는 게이트라인 내부에 형성된 셀에 의한 메모리 동작으로 발생할 수 있는 셀간 간섭현상을 최소화 할 수 있다. 게이트 라인, 탄소나노튜브(carbon nanotube), 플러린(fullerene), 나노결정 |
| 개발상태 | 기술개발완료 |
| 기술의 우수성 | |
| 응용분야 | 비휘발성 메모리 셀 제조 |
| 시장규모 및 동향 | |
| 희망거래유형 | 기술매매,라이센스, |
| 사업화적용실적 | |
| 도입시고려사항 |
| 과제고유번호 | 1415077324 |
|---|---|
| 세부과제번호 | 10029907 |
| 연구과제명 | 차세대비휘발성메모리(테라비트급NFGM,PoRAM,ReRAM)개발 |
| 성과구분 | 출원 |
| 부처명 | 지식경제부 |
| 연구관리전문기관명 | 한국산업기술평가원 |
| 연구주관기관명 | 한양대학교 |
| 성과제출연도 | 2007 |
| 연구기간 | 200708~200907 |
| 기여율 | 1 |
| 연구개발단계명 | 개발연구 |
| 6T분류명 | IT(정보기술) |
특허성과
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| 번호 | 심판번호(숫자) | 심판번호(문자) | 사건의표시 | 청구일 | 심결일자 |
|---|---|---|---|---|---|
| 1 | 2009101001901 | 2009원1901 | 2007년 특허출원 제0024835호 거절결정불복심판 | 2009.03.03 | 2009.05.06 |