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탄소 나노 튜브를 이용한 상변화 메모리 및 이의 제조 방법
- 기술번호 : KST2014007717
- 담당센터 : 대전기술혁신센터
- 전화번호 : 042-610-2279
| 요약 | 본 발명은 상변화 메모리에서 상변화 물질과 하부 전극간 접촉 면적을 획기적으로 줄여 저 전력으로 동작이 가능하게 할 뿐만 아니라 집적도를 더욱 향상시키기 위한 것으로, 상변화를 유도하는데 필요한 외부 전류를 공급하는 전류원 전극과, 전류원 전극과 측방향으로 대향되는 상변화 물질층과, 전류원 전극과 상변화 물질층 사이에 복수 개로 배열된 탄소 나노 튜브 전극, 및 탄소 나노 튜브 전극의 외측에 형성되어 탄소 나노 튜브 전극으로부터 생성되는 열이 외부로 전달되는 것을 억제하는 절연체를 포함하는 탄소 나노 튜브를 이용한 상변화 메모리 및 이의 제조 방법을 제공한다. 상변화 메모리, 탄소 나노 튜브, 하부 전극, 동작 전류 |
|---|---|
| Int. CL | H01L 27/115 (2011.01) H01L 21/8247 (2011.01) B82Y 10/00 (2011.01) |
| CPC | H01L 45/06(2013.01) H01L 45/06(2013.01) H01L 45/06(2013.01) H01L 45/06(2013.01) H01L 45/06(2013.01) H01L 45/06(2013.01) H01L 45/06(2013.01) H01L 45/06(2013.01) H01L 45/06(2013.01) H01L 45/06(2013.01) |
| 출원번호/일자 | 1020060001336 (2006.01.05) |
| 출원인 | 한국과학기술원 |
| 등록번호/일자 | 10-0674144-0000 (2007.01.18) |
| 공개번호/일자 | |
| 공고번호/일자 | (20070129) 문서열기 |
| 국제출원번호/일자 | |
| 국제공개번호/일자 | |
| 우선권정보 | |
| 법적상태 | 소멸 |
| 심사진행상태 | 수리 |
| 심판사항 | |
| 구분 | |
| 원출원번호/일자 | |
| 관련 출원번호 | |
| 심사청구여부/일자 | Y (2006.01.05) |
| 심사청구항수 | 23 |
출원인
| 번호 | 이름 | 국적 | 주소 |
|---|---|---|---|
| 1 | 한국과학기술원 | 대한민국 | 대전광역시 유성구 |
발명자
| 번호 | 이름 | 국적 | 주소 |
|---|---|---|---|
| 1 | 최양규 | 대한민국 | 대전광역시 유성구 |
| 2 | 김국환 | 대한민국 | 대전광역시 유성구 |
대리인
| 번호 | 이름 | 국적 | 주소 |
|---|---|---|---|
| 1 | 김성호 | 대한민국 | 서울특별시 강남구 도곡로 *** (역삼동,미진빌딩 *층)(KNP 특허법률사무소) |
| 2 | 박경완 | 대한민국 | 서울(특허법인 퇴사후 사무소변경 미신고) |
최종권리자
| 번호 | 이름 | 국적 | 주소 |
|---|---|---|---|
| 1 | 한국과학기술원 | 대한민국 | 대전 유성구 |
| 번호 | 서류명 | 접수/발송일자 | 처리상태 | 접수/발송번호 |
|---|---|---|---|---|
| 1 | 특허출원서 Patent Application |
2006.01.05 | 수리 (Accepted) | 1-1-2006-0007841-99 |
| 2 | 선행기술조사의뢰서 Request for Prior Art Search |
2006.10.12 | 수리 (Accepted) | 9-1-9999-9999999-89 |
| 3 | 선행기술조사보고서 Report of Prior Art Search |
2006.11.13 | 수리 (Accepted) | 9-1-2006-0071059-99 |
| 4 | 등록결정서 Decision to grant |
2007.01.11 | 발송처리완료 (Completion of Transmission) | 9-5-2007-0016985-46 |
| 5 | 출원인정보변경(경정)신고서 Notification of change of applicant's information |
2013.02.01 | 수리 (Accepted) | 4-1-2013-5019983-17 |
| 6 | 출원인정보변경(경정)신고서 Notification of change of applicant's information |
2014.12.24 | 수리 (Accepted) | 4-1-2014-5157968-69 |
| 7 | 출원인정보변경(경정)신고서 Notification of change of applicant's information |
2014.12.24 | 수리 (Accepted) | 4-1-2014-5158129-58 |
| 8 | 출원인정보변경(경정)신고서 Notification of change of applicant's information |
2014.12.24 | 수리 (Accepted) | 4-1-2014-5157993-01 |
| 9 | 출원인정보변경(경정)신고서 Notification of change of applicant's information |
2019.04.24 | 수리 (Accepted) | 4-1-2019-5081392-49 |
| 10 | 출원인정보변경(경정)신고서 Notification of change of applicant's information |
2020.05.15 | 수리 (Accepted) | 4-1-2020-5108396-12 |
| 11 | 출원인정보변경(경정)신고서 Notification of change of applicant's information |
2020.06.12 | 수리 (Accepted) | 4-1-2020-5131486-63 |
| 번호 | 청구항 |
|---|---|
| 1 |
1 외부 전류를 공급하는 전류원 전극;상기 전류원 전극과 측방향으로 대향되는 상변화 물질층;상기 전류원 전극과 상기 상변화 물질층 사이에 복수 개로 배열된 탄소 나노 튜브 전극; 및 상기 탄소 나노 튜브 전극의 외측에 형성되어 상기 탄소 나노 튜브 전극으로부터 생성되는 열이 외부로 전달되는 것을 억제하는 절연체를 포함하는 것을 특징으로 하는 탄소 나노 튜브를 이용한 상변화 메모리 |
| 2 |
2 제1항에 있어서, 상기 탄소 나노 튜브 전극의 직경은 1nm 내지 100nm 인 것을 특징으로 하는 탄소 나노 튜브를 이용한 상변화 메모리 |
| 3 |
3 제1항에 있어서, 상기 탄소 나노 튜브 전극은 단중벽 나노 튜브(single wall nano tube)로 형성된 것을 특징으로 하는 탄소 나노 튜브를 이용한 상변화 메모리 |
| 4 |
4 (a) 외부 전류를 공급하는 전류원 전극 상에 복수 개의 탄소 나노 튜브(Carbon nano tube)를 형성할 촉매를 배열하는 단계;(b) 상기 촉매를 시드(seed)로 하여 수직 방향으로 성장시켜 복수 개의 탄소 나노 튜브 전극을 형성하는 단계;(c) 상기 전류원 전극 상에 상기 탄소 나노 튜브 전극이 완전히 덮이도록 절연체를 증착시키는 단계;(d) 상기 증착하는 단계 후, 상기 탄소 나노 튜브 전극이 상기 절연체의 표면으로 드러나도록 상기 절연체의 표면을 연마하는 단계; 및 (e) 상기 절연체의 표면 상에 상기 탄소 나노 튜브 전극과 접촉되도록 상변화 물질층을 형성하는 단계를 포함하는 것을 특징으로 하는 탄소 나노 튜브를 이용한 상변화 메모리의 제조 방법 |
| 5 |
5 제4항에 있어서, 상기 (a)단계에서 상기 촉매는 Fe2O3, Pt, Co, Ni, Ti, Mo 중 적어도 어느 하나 이상으로 형성하는 것을 특징으로 하는 탄소 나노 튜브를 이용한 상변화 메모리의 제조 방법 |
| 6 |
6 제4항에 있어서, 상기 (b)단계에서 상기 복수 개의 탄소 나노 튜브 전극은 단중벽 나노 튜브로 형성하는 것을 특징으로 하는 탄소 나노 튜브를 이용한 상변화 메모리의 제조 방법 |
| 7 |
7 제4항에 있어서, 상기 (b)단계에서 상기 복수 개의 탄소 나노 튜브 전극은 그 직경을 1nm 내지 100nm 로 형성하는 것을 특징으로 하는 탄소 나노 튜브를 이용한 상변화 메모리의 제조 방법 |
| 8 |
8 외부 전류를 공급하는 전류원 전극;상기 전류원 전극과 측방향으로 대향되는 상변화 물질층;상기 전류원 전극과 상기 상변화 물질층 사이에 복수 개로 배열되고 일측이 확장되어 상기 상변화 물질층으로 오버랩되는 탄소 나노 튜브 전극; 및 상기 탄소 나노 튜브 전극의 외측에 형성되어 상기 탄소 나노 튜브 전극으로부터 생성되는 열이 외부로 전달되는 것을 억제하는 절연체를 포함하는 것을 특징으로 하는 탄소 나노 튜브를 이용한 상변화 메모리 |
| 9 |
9 제8항에 있어서, 상기 탄소 나노 튜브 전극의 직경은 1nm 내지 100nm 인 것을 특징으로 하는 탄소 나노 튜브를 이용한 상변화 메모리 |
| 10 |
10 제8항에 있어서, 상기 탄소 나노 튜브 전극은 전체 길이에 대하여 상기 상변화 물질층으로 오버랩되는 길이가 1/10 내지 8/10 인 것을 특징으로 하는 탄소 나노 튜브를 이용한 상변화 메모리 |
| 11 |
11 제8항 내지 제10항 중 어느 한 항에 있어서, 상기 탄소 나노 튜브 전극은 단중벽 나노 튜브(single wall nano tube)로 형성된 것을 특징으로 하는 탄소 나노 튜브를 이용한 상변화 메모리 |
| 12 |
12 (a) 외부 전류를 공급하는 전류원 전극 상에 복수 개의 탄소 나노 튜브(Carbon nano tube)를 형성할 촉매를 배열하는 단계;(b) 상기 촉매를 시드(seed)로 하여 수직 방향으로 성장시켜 복수 개의 탄소 나노 튜브 전극을 형성하는 단계;(c) 상기 전류원 전극 상에 상기 탄소 나노 튜브 전극이 완전히 덮이도록 절연체를 증착시키는 단계;(d) 상기 증착하는 단계 후, 상기 탄소 나노 튜브 전극이 상기 절연체의 표면으로 드러나도록 상기 절연체의 표면을 연마하는 단계;(e) 상기 절연체의 표면으로 드러난 상기 탄소 나노 튜브 전극이 돌출되게 상기 절연체를 선택적으로 식각하는 단계; 및 (f) 상기 절연체 상에 상변화 물질을 증착하여 상기 돌출된 탄소 나노 튜브 전극이 오버랩되도록 하는 단계를 포함하는 것을 특징으로 하는 탄소 나노 튜브를 이용한 상변화 메모리의 제조 방법 |
| 13 |
13 제12항에 있어서, 상기 (a)단계에서 상기 촉매는 Fe2O3, Pt, Co, Ni, Ti, Mo 중 적어도 어느 하나 이상으로 형성하는 것을 특징으로 하는 탄소 나노 튜브를 이용한 상변화 메모리의 제조 방법 |
| 14 |
14 제12항에 있어서, 상기 (b)단계에서 상기 복수 개의 탄소 나노 튜브 전극은 단중벽 나노 튜브로 형성하는 것을 특징으로 하는 탄소 나노 튜브를 이용한 상변화 메모리의 제조 방법 |
| 15 |
15 제12항에 있어서,상기 (b)단계에서 상기 복수 개의 탄소 나노 튜브 전극은 그 직경을 1nm 내지 100nm 로 형성하는 것을 특징으로 하는 탄소 나노 튜브를 이용한 상변화 메모리의 제조 방법 |
| 16 |
16 제12항에 있어서, 상기 (e)단계는 상기 돌출되는 탄소 나노 튜브 전극의 길이가 전체 길이 대비 1/10 내지 8/10 정도가 되도록 식각하는 단계인 것을 특징으로 하는 탄소 나노 튜브를 이용한 상변화 메모리의 제조 방법 |
| 17 |
17 외부 전류를 공급하는 전류원 전극;상기 전류원 전극과 측방향으로 대향되는 상변화 물질층;상기 전류원 전극과 상기 상변화 물질층 사이에 복수 개로 배열된 탄소 나노 튜브 전극;상기 탄소 나노 튜브 전극의 외측에 형성되어 상기 탄소 나노 튜브 전극으로부터 생성되는 열이 외부로 전달되는 것을 억제하는 절연체; 및 상기 탄소 나노 튜브 전극과 상기 상변화 물질층 사이에 위치되어 상기 탄소 나노 튜브 전극과 접촉되는 열 생성 저항층을 포함하는 것을 특징으로 하는 탄소 나노 튜브를 이용한 상변화 메모리 |
| 18 |
18 제17항에 있어서, 상기 탄소 나노 튜브 전극의 직경은 1nm 내지 100nm 인 것을 특징으로 하는 탄소 나노 튜브를 이용한 상변화 메모리 |
| 19 |
19 제17항에 있어서, 상기 탄소 나노 튜브 전극은 단중벽 나노 튜브(single wall nano tube)로 형성된 것을 특징으로 하는 탄소 나노 튜브를 이용한 상변화 메모리 |
| 20 |
20 (a) 외부 전류를 공급하는 전류원 전극 상에 복수 개의 탄소 나노 튜브(Carbon nano tube)를 형성할 촉매를 배열하는 단계;(b) 상기 촉매를 시드(seed)로 하여 수직 방향으로 성장시켜 복수 개의 탄소 나노 튜브 전극을 형성하는 단계;(c) 상기 전류원 전극 상에 상기 탄소 나노 튜브 전극이 완전히 덮이도록 절연체를 증착시키는 단계;(d) 상기 증착하는 단계 후, 상기 탄소 나노 튜브 전극이 상기 절연체의 표면으로 드러나도록 상기 절연체의 표면을 연마하는 단계;(e) 상기 절연체의 표면 상에 상기 절연체의 표면으로 드러난 상기 탄소 나노 튜브 전극과 접촉되도록 열 생성 저항층을 증착시키는 단계; 및 (f) 상기 열 생성 저항층 상에 상변화 물질층을 형성하는 단계를 포함하는 것을 특징으로 하는 탄소 나노 튜브를 이용한 상변화 메모리의 제조 방법 |
| 21 |
21 제20항에 있어서, 상기 (a)단계에서 상기 촉매는 Fe2O3, Pt, Co, Ni, Ti, Mo 중 적어도 어느 하나 이상으로 형성하는 것을 특징으로 하는 탄소 나노 튜브를 이용한 상변화 메모리의 제조 방법 |
| 22 |
22 제20항에 있어서, 상기 (b)단계에서 상기 복수 개의 탄소 나노 튜브 전극은 단중벽 나노 튜브로 형성하는 것을 특징으로 하는 탄소 나노 튜브를 이용한 상변화 메모리의 제조 방법 |
| 23 |
23 제20항에 있어서,상기 (b)단계에서 상기 복수 개의 탄소 나노 튜브 전극은 그 직경을 1nm 내지 100nm 로 형성하는 것을 특징으로 하는 탄소 나노 튜브를 이용한 상변화 메모리의 제조 방법 |
| 지정국 정보가 없습니다 |
|---|
| 순번 | 패밀리번호 | 국가코드 | 국가명 | 종류 |
|---|---|---|---|---|
| 1 | JP04592675 | JP | 일본 | FAMILY |
| 2 | JP19184561 | JP | 일본 | FAMILY |
| 3 | JP22287910 | JP | 일본 | FAMILY |
| 4 | US07749801 | US | 미국 | FAMILY |
| 5 | US20070158697 | US | 미국 | FAMILY |
| 6 | US20100237318 | US | 미국 | FAMILY |
DOCDB 패밀리 정보
| 순번 | 패밀리번호 | 국가코드 | 국가명 | 종류 |
|---|---|---|---|---|
| 1 | CN1996634 | CN | 중국 | DOCDBFAMILY |
| 2 | CN1996634 | CN | 중국 | DOCDBFAMILY |
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| 4 | JP2007184561 | JP | 일본 | DOCDBFAMILY |
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| 9 | US7749801 | US | 미국 | DOCDBFAMILY |
| 국가 R&D 정보가 없습니다. |
|---|
| 공개전문 정보가 없습니다 |
|---|
- 본 등록정보는 참고용으로 법적증빙자료로 사용할 수 없습니다.
- 데이터 이관에 따른 소요기간(1일)으로 인하여 등록원부와 일부 차이가 발생할 수 있으며, 일부 정보(부기, 상세 주소 등)를 제공하지 않고 있습니다.
- 법적증빙자료로 활용하시거나 더 자세한 정보를 보시려면 등록원부를 발급받아 사용하시기 바랍니다.
| 특허 등록번호 | 10-0674144-0000 |
|---|
권리란
| 표시번호 | 사항 |
|---|---|
| 1 |
출원 연월일 : 20060105 출원 번호 : 1020060001336 공고 연월일 : 20070129 공고 번호 : 특허결정(심결)연월일 : 20070111 청구범위의 항수 : 23 유별 : H01L 27/115 발명의 명칭 : 탄소 나노 튜브를 이용한 상변화 메모리 및 이의 제조 방법 존속기간(예정)만료일 : 20120119 |
특허권자란
| 순위번호 | 사항 |
|---|---|
| 1 |
(권리자) 한국과학기술원 대전 유성구... |
등록료란
| 제 1 - 3 년분 | 금 액 | 661,500 원 | 2007년 01월 19일 | 납입 |
| 제 4 년분 | 금 액 | 546,000 원 | 2009년 12월 08일 | 납입 |
| 제 5 년분 | 금 액 | 546,000 원 | 2011년 01월 04일 | 납입 |
- 본 '원본보기 서비스'는 참고용이므로, 일부 오류 및 누락이 발생할 수 있습니다.
- 정확한 서류를 확인하시려면 해당 웹사이트에서 조회하시기 바랍니다. (특허로 바로가기: http://www.patent.go.kr)
- 해당 서비스는 점검으로 인해 매주 일요일 00:00 ~ 02:00까지 이용이 중단됩니다.
| 번호 | 서류명 | 접수/발송일자 | 처리상태 | 접수/발송번호 |
|---|---|---|---|---|
| 1 | 특허출원서 | 2006.01.05 | 수리 (Accepted) | 1-1-2006-0007841-99 |
| 2 | 선행기술조사의뢰서 | 2006.10.12 | 수리 (Accepted) | 9-1-9999-9999999-89 |
| 3 | 선행기술조사보고서 | 2006.11.13 | 수리 (Accepted) | 9-1-2006-0071059-99 |
| 4 | 등록결정서 | 2007.01.11 | 발송처리완료 (Completion of Transmission) | 9-5-2007-0016985-46 |
| 5 | 출원인정보변경(경정)신고서 | 2013.02.01 | 수리 (Accepted) | 4-1-2013-5019983-17 |
| 6 | 출원인정보변경(경정)신고서 | 2014.12.24 | 수리 (Accepted) | 4-1-2014-5157968-69 |
| 7 | 출원인정보변경(경정)신고서 | 2014.12.24 | 수리 (Accepted) | 4-1-2014-5158129-58 |
| 8 | 출원인정보변경(경정)신고서 | 2014.12.24 | 수리 (Accepted) | 4-1-2014-5157993-01 |
| 9 | 출원인정보변경(경정)신고서 | 2019.04.24 | 수리 (Accepted) | 4-1-2019-5081392-49 |
| 10 | 출원인정보변경(경정)신고서 | 2020.05.15 | 수리 (Accepted) | 4-1-2020-5108396-12 |
| 11 | 출원인정보변경(경정)신고서 | 2020.06.12 | 수리 (Accepted) | 4-1-2020-5131486-63 |
| 기술번호 | KST2014007717 |
|---|---|
| 자료제공기관 | NTB |
| 기술공급기관 | 대덕특구지원본부 |
| 기술명 | 탄소 나노 튜브를 이용한 상변화 메모리 및 이의 제조 방법 |
| 기술개요 |
본 발명은 상변화 메모리에서 상변화 물질과 하부 전극간 접촉 면적을 획기적으로 줄여 저 전력으로 동작이 가능하게 할 뿐만 아니라 집적도를 더욱 향상시키기 위한 것으로, 상변화를 유도하는데 필요한 외부 전류를 공급하는 전류원 전극과, 전류원 전극과 측방향으로 대향되는 상변화 물질층과, 전류원 전극과 상변화 물질층 사이에 복수 개로 배열된 탄소 나노 튜브 전극, 및 탄소 나노 튜브 전극의 외측에 형성되어 탄소 나노 튜브 전극으로부터 생성되는 열이 외부로 전달되는 것을 억제하는 절연체를 포함하는 탄소 나노 튜브를 이용한 상변화 메모리 및 이의 제조 방법을 제공한다. 상변화 메모리, 탄소 나노 튜브, 하부 전극, 동작 전류 |
| 개발상태 | 기타 |
| 기술의 우수성 | |
| 응용분야 | 본 발명은 상변화 메모리의 한 셀의 크기를 획기적으로 줄여, 상변화 메모리의 집적도를 높이고, 다중 레벨 셀 기술을 적용함으로써, 향후 모바일 기기 분야에 널리 사용될 수 있다. |
| 시장규모 및 동향 | |
| 희망거래유형 | |
| 사업화적용실적 | |
| 도입시고려사항 |
| 과제고유번호 | 1340011610 |
|---|---|
| 세부과제번호 | 과C6A1610 |
| 연구과제명 | 정보기술사업단 |
| 성과구분 | 등록 |
| 부처명 | 교육과학기술부 |
| 연구관리전문기관명 | 한국학술진흥재단 |
| 연구주관기관명 | 한국과학기술원 |
| 성과제출연도 | 2006 |
| 연구기간 | 200603~201202 |
| 기여율 | 1 |
| 연구개발단계명 | 응용연구 |
| 6T분류명 | IT(정보기술) |
특허성과
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