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3차원 그래핀 구조체, 그의 제조방법 및 전사방법

  • 기술번호 : KST2015143581
  • 담당센터 : 경기기술혁신센터
  • 전화번호 : 031-8006-1570
요약, Int. CL, CPC, 출원번호/일자, 출원인, 등록번호/일자, 공개번호/일자, 공고번호/일자, 국제출원번호/일자, 국제공개번호/일자, 우선권정보, 법적상태, 심사진행상태, 심판사항, 구분, 원출원번호/일자, 관련 출원번호, 기술이전 희망, 심사청구여부/일자, 심사청구항수의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 서지정보 표입니다.
요약 3차원 그래핀 구조체, 그의 제조방법 및 전사방법이 제공된다. 3차원 형태의 기판 상에서 3차원 그래핀 구조체를 형성한 후, 이를 가스 삽입 후 분리하여 원하는 다른 절연성 필름 상에 손상 없이 전사할 수 있는 방법이 제공된다.
Int. CL C01B 31/02 (2006.01) G03F 7/00 (2006.01)
CPC C01B 32/188(2013.01) C01B 32/188(2013.01) C01B 32/188(2013.01) C01B 32/188(2013.01) C01B 32/188(2013.01) C01B 32/188(2013.01) C01B 32/188(2013.01) C01B 32/188(2013.01) C01B 32/188(2013.01) C01B 32/188(2013.01) C01B 32/188(2013.01)
출원번호/일자 1020110029848 (2011.03.31)
출원인 삼성전자주식회사, 성균관대학교산학협력단
등록번호/일자
공개번호/일자 10-2012-0111400 (2012.10.10) 문서열기
공고번호/일자 문서열기
국제출원번호/일자
국제공개번호/일자
우선권정보
법적상태 등록
심사진행상태 수리
심판사항
구분 신규
원출원번호/일자
관련 출원번호 1020180034648;
심사청구여부/일자 Y (2016.03.09)
심사청구항수 15

출원인

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번호 이름 국적 주소
1 삼성전자주식회사 대한민국 경기도 수원시 영통구
2 성균관대학교산학협력단 대한민국 경기도 수원시 장안구

발명자

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번호 이름 국적 주소
1 신현진 대한민국 경기도 수원시 장안구
2 최재영 대한민국 경기도 수원시 영통구
3 박지훈 대한민국 서울특별시 강서구
4 안종렬 대한민국 경기도 수원시 장안구

대리인

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번호 이름 국적 주소
1 리앤목특허법인 대한민국 서울 강남구 언주로 **길 **, *층, **층, **층, **층(도곡동, 대림아크로텔)

최종권리자

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번호 이름 국적 주소
1 삼성전자주식회사 경기도 수원시 영통구
2 성균관대학교 산학협력단 경기도 수원시 장안구
번호, 서류명, 접수/발송일자, 처리상태, 접수/발송일자의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 행정처리 표입니다.
번호 서류명 접수/발송일자 처리상태 접수/발송번호
1 [특허출원]특허출원서
[Patent Application] Patent Application
2011.03.31 수리 (Accepted) 1-1-2011-0237237-77
2 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information
2012.04.26 수리 (Accepted) 4-1-2012-5090770-53
3 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information
2012.06.20 수리 (Accepted) 4-1-2012-5131828-19
4 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information
2012.06.21 수리 (Accepted) 4-1-2012-5132663-40
5 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information
2012.06.27 수리 (Accepted) 4-1-2012-5137236-29
6 [심사청구]심사청구(우선심사신청)서
[Request for Examination] Request for Examination (Request for Preferential Examination)
2016.03.09 수리 (Accepted) 1-1-2016-0230031-44
7 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information
2017.02.23 수리 (Accepted) 4-1-2017-5028829-43
8 의견제출통지서
Notification of reason for refusal
2017.08.21 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2017-0580845-37
9 [명세서등 보정]보정서
[Amendment to Description, etc.] Amendment
2017.10.23 보정승인간주 (Regarded as an acceptance of amendment) 1-1-2017-1046393-08
10 [거절이유 등 통지에 따른 의견]의견(답변, 소명)서
[Opinion according to the Notification of Reasons for Refusal] Written Opinion(Written Reply, Written Substantiation)
2017.10.23 수리 (Accepted) 1-1-2017-1046392-52
11 거절결정서
Decision to Refuse a Patent
2018.02.23 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2018-0133254-36
12 [분할출원]특허출원서
[Divisional Application] Patent Application
2018.03.26 수리 (Accepted) 1-1-2018-0299973-46
13 [명세서등 보정]보정서(재심사)
Amendment to Description, etc(Reexamination)
2018.03.26 보정승인 (Acceptance of amendment) 1-1-2018-0300144-49
14 [거절이유 등 통지에 따른 의견]의견(답변, 소명)서
[Opinion according to the Notification of Reasons for Refusal] Written Opinion(Written Reply, Written Substantiation)
2018.03.26 수리 (Accepted) 1-1-2018-0300143-04
15 등록결정서
Decision to Grant Registration
2018.04.25 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2018-0284065-11
번호, 청구항의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 청구항 표입니다.
번호 청구항
1 1
그래핀 상에 돌기 형상의 볼록부(凸) 또는 오목부(凹)가 단독으로 또는 함께 혼용되어 주기적으로 반복되는 입체 형상을 갖는 것인 3차원 그래핀 구조체
2 2
제1항에 있어서,상기 입체 형상이 내부가 비어 있는 반구형, 원기둥형 또는 보울형의 오목부 또는 볼록부인 것인 3차원 그래핀 구조체
3 3
제1항에 있어서,상기 입체형상이 0
4 4
제1항에 있어서,상기 입체 형상의 높이 또는 깊이가 10nm 내지 10㎛인 것인 3차원 그래핀 구조체
5 5
제1항에 있어서,상기 그래핀이 단일층 또는 다중층 구조인 것인 3차원 그래핀 구조체
6 6
기판의 적어도 일면 상에 돌기 형상의 볼록부(凸) 또는 오목부(凹)가 단독으로 또는 함께 혼용되어 주기적으로 반복되는 입체 형상의 패턴을 부여하는 단계; 및상기 패턴이 부여된 기판 상에 그래핀을 성장시켜 그래핀 상에 패턴 형상을 갖는 3차원 그래핀 구조체를 형성하는 단계;를 포함하는 제1항에 따른 3차원 그래핀 구조체의 제조방법
7 7
제6항에 있어서,상기 기판이 SiC 웨이퍼인 것인 3차원 그래핀 구조체의 제조방법
8 8
제6항에 있어서,상기 그래핀이 에피택셜 그래핀인 것인 3차원 그래핀 구조체의 제조방법
9 9
제6항에 있어서,상기 패턴이 포토리소그래피에 의해 얻어진 것인 3차원 그래핀 구조체의 제조방법
10 10
제6항에 있어서,상기 패턴이 내부가 비어 있는 반구형, 원기둥형 또는 보울형의 오목부 또는 볼록부가 주기적으로 반복되는 것인 3차원 그래핀 구조체의 제조방법
11 11
제6항에 있어서,상기 그래핀의 성장이 불활성 분위기하에 1,000oC 내지 2,000oC의 온도에서 1분 내지 1시간 동안 열처리에 의해 수행되는 것인 3차원 그래핀 구조체의 제조방법
12 12
제6항에 있어서,상기 패턴이 상기 기판 상에 적층된 그래파이트화 촉매 금속 상에 형성된 것인 3차원 그래핀 구조체의 제조방법
13 13
제6항에 있어서,상기 기판이 그래파이트화 촉매 금속인 것인 3차원 그래핀 구조체의 제조방법
14 14
제6항에 있어서,상기 그래핀의 성장 공정에서 별도의 탄소 공급원이 존재하는 것인 3차원 그래핀 구조체의 제조방법
15 15
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16 16
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20 20
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21 21
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22 22
제1항 내지 제5항 중 어느 한 항에 따른 3차원 그래핀 구조체를 구비하는 전기소자
지정국 정보가 없습니다
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2 US8921824 US 미국 DOCDBFAMILY
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