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기재의 양 측면 상에 각각 형성된 그래핀 소스/드레인 전극;상기 그래핀 소스/드레인 전극과 전기적으로 연결되며, 2차원 반도체 물질을 포함하는 채널층;상기 채널층 상에 형성된 게이트 절연층; 및상기 게이트 절연층 상에 형성된 그래핀 게이트 전극:을 포함하는, 박막 트랜지스터
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제 1 항에 있어서,상기 2차원 반도체 물질은 그래핀, 금속 디칼코게나이드(metal dichacogenide), BSCCO(bismuth strontium calcium copper oxide)의 반층(half-layer), CdTe의 단층, GaS, GaSe, GaS1-xSex, CdI2, PbI2, K2Al4(Si6Al2O28)(OH,F)4, Mg6(Si8O28)(OH)4 및 이들의 조합으로 이루진 군에서 선택된 것을 포함하는 것인, 박막 트랜지스터
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제 1 항에 있어서,상기 금속 디칼코게나이드는 몰리브덴디설파이드(MoS2), 몰리브덴디셀레나이드(MoSe2), 몰리브덴디텔루라이드(MoTe2), 텅스텐디설파이드(WS2), 텅스텐디셀레나이드(WSe2), 텅스텐디텔루라이드(WTe2), 니오븀디설파이드(NbS2), 니오븀디셀레나이드(NbSe2), 니오븀디텔루라이드(NbTe2), 탄탈륨디설파이드(TaS2), 탄탈륨디셀레나이드(TaSe2), 탄탈륨디텔루라이드(TaTe2), 하프늄디설파이드(HfS2), 하프늄디셀레나이드(HfSe2), 하프늄디텔루라이드(HfTe2), 티타늄디설파이드(TiS2), 티타늄디셀레나이드(TiSe2), 티타늄디텔루라이드(TiTe2) 및 이들의 조합으로 이루진 군에서 선택된 것을 포함하는 것인, 박막 트랜지스터
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4
제 1 항에 있어서,상기 기재는 플렉서블 기재 또는 경성 기재를 포함하는 것인, 박막 트랜지스터
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제 1 항에 있어서,상기 기재는 투명 플렉서블 기재 또는 투명 경성(rigid) 기재를 포함하는 것인, 박막 트랜지스터
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6
제 1 항에 있어서,상기 기재는 BN, Si, SiO2, Si3N4, SiON, SiOF, SiOC, HSQ(Hydrogensilsesquioxane), MSQ(methyl silsequioxane), 크세로겔(xerogel), 에어로겔(aerogel), 비정질 카본불화물(a-CF), 블랙 다이아몬드(black diamond), 플라스틱 기재, 및 이들의 조합으로 이루진 군에서 선택된 것을 포함하는 것인, 박막 트랜지스터
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제 1 항에 있어서,상기 기재로서 플렉서블 기재를 사용함으로써 상기 박막 트랜지스터가 유연성을 가지는 것인, 박막 트랜지스터
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8
제 1 항에 있어서,상기 기재로서 투명 플렉서블 기재를 사용함으로써 상기 박막 트랜지스터가 투명성 및 유연성을 가지는 것인, 박막 트랜지스터
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제 6 항에 있어서,상기 플라스틱 기재는 폴리에틸렌 테레프탈레이트(PET), 폴리부틸렌테레프탈레이트(PBT), 폴리실란(polysilane), 폴리실록산(polysiloxane), 폴리실라잔(polysilazane), 폴리카르보실란(polycarbosilane), 폴리아크릴레이트(polyacrylate), 폴리메타크릴레이트(polymethacrylate), 폴리메틸아크릴레이트(polymethylacrylate), 폴리메틸메타크릴레이트(PMMA), 폴리에틸아크릴레이트(polyethylacrylate), 폴리에틸메타크릴레이트 (polyethylmetacrylate), 사이클릭 올레핀 코폴리머(COC), 사이클릭 올레핀 폴리머(COP), 폴리에틸렌(PE), 폴리프로필렌(PP), 폴리이미드(PI), 폴리스타이렌(PS), 폴리아세탈(POM : Polyacetal PolyOxyMethylene), 폴리에테르에테르케톤(PEEK), 폴리에스테르설폰(PES), 폴리테트라플루오로에틸렌(PTFE), 폴리비닐클로라이드(PVC), 폴리비닐리덴플로라이드(PVDF), 퍼플루오로알킬 고분자(PFA) 및 이들의 조합으로 이루어진 군에서 선택되는 폴리머를 포함하는 것인, 박막 트랜지스터
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10
제 1 항에 있어서,상기 게이트 절연층은 2차원 절연성 물질을 포함하는 것인, 박막 트랜지스터
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11
제 10 항에 있어서,상기 2차원 절연성 물질은 h-BN을 포함하는 것인, 박막 트랜지스터
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12
제 1 항에 있어서,상기 게이트 절연층은 BN, AlN, TiN, HfN, ZrN, NbN, MoN, CrN, Si3N4, GaN, Al2O3, Bi2O3, CaO, CdO, CdS, CeO2, Cd2O3, In2O3, La2O3, MgF2, MgO, Nd2O3, Sb2O3, SiO2, SnO2, TiO2, ZnO, ZrO2, ZnS 및 이들의 조합으로 이루진 군에서 선택된 것을 포함하는 것인, 박막 트랜지스터
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