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기판;상기 기판 상에 형성된 제1 육방정계 질화붕소 시트; 및상기 제1 육방정계 질화붕소 시트 상에 형성된 금속층;을 포함하고,상기 제1 육방정계 질화붕소 시트는 기판의 면에 직접 결합되고,상기 제1 육방정계 질화붕소 시트는 기판 면적의 90% 이상의 영역에서 주름이 존재하지 않고, 상기 제1 육방정계 질화붕소 시트는 상기 금속층 외부의 기상 또는 고상의 질소 공급원, 붕소 공급원, 또는 질소 및 붕소 공급원이 복수의 결정립계(grain boundary)로 구성된 금속층의 내부를 통해 침투 및 확산되어 형성된 것인 기판 구조체
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제1항에 있어서, 상기 제1 육방정계 질화붕소 시트의 층수가 1층 내지 100층인 기판 구조체
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제1항에 있어서, 상기 제1 육방정계 질화붕소 시트는 상기 질화붕소 시트 1mm2 면적당 질화붕소가 95%이상의 범위로 존재범위를 갖는 기판 구조체
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제1항에 있어서, 상기 금속층은 니켈(Ni), 코발트(Co), 철(Fe), 백금(Pt), 팔라듐(Pd), 금(Au), 알루미늄(Al), 크롬(Cr), 구리(Cu), 마그네슘(Mg), 망간(Mn), 몰리브덴(Mo), 로듐(Rh), 실리콘(Si), 탈륨(Ta), 티타늄(Ti), 텅스텐(W), 우라늄(U), 바나듐(V) 및 지르코늄(Zr)으로 이루어진 군으로부터 선택된 하나 이상의 금속 또는 이들 합금의 촉매층인 기판 구조체
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제1항에 있어서, 상기 금속층의 결정립(grain)은 1㎛2 내지 1000,000㎛2의 평균 면적을 갖는 기판 구조체
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제1항에 있어서, 상기 제1 육방정계 질화붕소 시트 상에 형성된 금속층 상에 제2 육방정계 질화붕소 시트를 더 포함하는 기판 구조체
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제1항에 있어서, 상기 기판이 금속 또는 반금속 산화물계, 실리카계, 질화붕소계 기판, 또는 실리콘계 기판 중 하나 이상인 기판 구조체
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챔버 내에 기판을 준비하는 단계;상기 기판 상에 고상의 질소 및 붕소 공급원을 결합시키는 단계;상기 고상의 질소 및 붕소 공급원이 결합된 표면 상에 금속층을 형성하는 단계; 및상기 고상의 질소 및 붕소 공급원이 결합되고 금속층이 형성된 기판을 열처리하여 상기 기판의 면에 직접 결합된 제1 육방정계 질화붕소 시트를 형성하는 단계;를 포함하는 기판 구조체를 형성하는 방법
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제10항에 있어서, 상기 고상의 질소 및 붕소 공급원은 암모니아 보란(H3NBH3), 보라진(borazine, (BH=NH)3), 및 폴리보라자일렌(polyborazylene)에서 선택된 하나 이상인 기판 구조체를 형성하는 방법
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제10항에 있어서, 상기 고상의 질소 및 붕소 공급원은 유기용매에 1mM 내지 10M로 용해시킨 용액을 사용한 기판 구조체를 형성하는 방법
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제10항에 있어서, 상기 열처리는 불활성 가스, 수소 가스, 또는 불활성 가스와 수소 가스의 혼합 가스의 존재 하에 수행되는 기판 구조체를 형성하는 방법
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제10항에 있어서, 상기 열처리는 100℃ 내지 2000℃에서 1시간 내지 20시간 동안 수행되는 기판 구조체를 형성하는 방법
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제10항에 있어서, 상기 열처리 이후 냉각하는 공정을 추가하는 기판 구조체를 형성하는 방법
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챔버 내에 기판을 준비하는 단계;기판 상에 금속층을 형성하는 단계; 및상기 금속층 외부에서 기상 또는 고상의 질소 공급원, 붕소 공급원, 또는 질소 및 붕소 공급원을 도입한 후 열처리하여 상기 기판과 금속층 사이에 상기 기판의 면에 직접 결합된 제1 육방정계 질화붕소 시트를 형성하는 단계;를 포함하는 기판 구조체를 형성하는 방법
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제16항에 있어서, 상기 제1 육방정계 질화붕소 시트는 상기 금속층 외부에서 도입된 기상 또는 고상의 질소 공급원, 붕소 공급원, 또는 질소 및 붕소 공급원이 복수의 결정립계(grain boundary)로 구성된 금속층의 내부를 통해 침투 및 확산되어 형성된 것인 기판 구조체를 형성하는 방법
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제16항에 있어서, 상기 제1 육방정계 질화붕소 시트를 형성하는 단계 이전에 또는 상기 제1 육방정계 질화붕소 시트를 형성하는 단계와 동시에 상기 금속층 상에 제2 육방정계 질화붕소 시트를 형성하는 단계를 더 포함하는 기판 구조체를 형성하는 방법
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제16항에 있어서, 상기 열처리는 불활성 가스, 수소 가스, 또는 불활성 가스와 수소 가스의 혼합 가스의 존재 하에 100℃ 내지 2000℃에서 1시간 내지 20시간 동안 수행되는 기판 구조체를 형성하는 방법
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제16항에 있어서, 상기 열처리 이후 냉각하는 공정을 추가하는 기판 구조체를 형성하는 방법
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제16항에 있어서, 상기 기상의 질소 공급원은 NH3 및 N2에서 선택된 하나 이상이고, 기상의 붕소 공급원은 BH3, BF3, BCl3, B2H6, (CH3CH2)3B, (CH3)3B, 및 디보란에서 선택된 하나 이상인 기판 구조체를 형성하는 방법
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제16항에 있어서, 상기 고상의 붕소 공급원은 B2O3를 포함하는 기판 구조체를 형성하는 방법
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제16항에 있어서, 상기 기상 또는 고상의 질소 및 붕소 공급원은 암모니아 보란(H3NBH3), 보라진(borazine, (BH=NH)3), 및 폴리보라자일렌(polyborazylene)에서 선택된 하나 이상인 기판 구조체를 형성하는 방법
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제16항에 있어서, 상기 고상의 질소 및 붕소 공급원은 유기용매에 1mM 내지 10M로 용해시킨 용액을 사용한 기판 구조체를 형성하는 방법
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제16항에 있어서, 상기 금속층은 니켈(Ni), 코발트(Co), 철(Fe), 백금(Pt), 팔라듐(Pd), 금(Au), 알루미늄(Al), 크롬(Cr), 구리(Cu), 마그네슘(Mg), 망간(Mn), 몰리브덴(Mo), 로듐(Rh), 실리콘(Si), 탈륨(Ta), 티타늄(Ti), 텅스텐(W), 우라늄(U), 바나듐(V) 및 지르코늄(Zr)으로 이루어진 군으로부터 선택된 하나 이상의 금속 또는 이들 합금의 촉매층인 기판 구조체를 형성하는 방법
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제1항, 제3항, 제4항, 및 제6항 내지 제9항 중 어느 한 항에 따른 기판 구조체를 구비한 전기소자
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