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박막 트랜지스터 및 그 제조방법

  • 기술번호 : KST2015144392
  • 담당센터 : 경기기술혁신센터
  • 전화번호 : 031-8006-1570
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요약, Int. CL, CPC, 출원번호/일자, 출원인, 등록번호/일자, 공개번호/일자, 공고번호/일자, 국제출원번호/일자, 국제공개번호/일자, 우선권정보, 법적상태, 심사진행상태, 심판사항, 구분, 원출원번호/일자, 관련 출원번호, 기술이전 희망, 심사청구여부/일자, 심사청구항수의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 서지정보 표입니다.
요약 박막트랜지스터 및 그 제조방법이 개시된다. 개시된 박막트랜지스터는 게이트; 게이트 절연막; 제1산화물반도체층 및 제2산화물반도체층을 포함하는 채널층; 상기 채널층의 양측에 각각 접촉 형성된 소스 및 드레인;을 포함하며, 상기 제1산화물반도체층의 결정립 크기는 상기 제2산화물반도체층의 결정립 크기에 비해 상대적으로 크다.
Int. CL H01L 29/786 (2006.01)
CPC H01L 29/7869(2013.01) H01L 29/7869(2013.01)
출원번호/일자 1020090067826 (2009.07.24)
출원인 삼성전자주식회사, 성균관대학교산학협력단
등록번호/일자 10-1638978-0000 (2016.07.06)
공개번호/일자 10-2011-0010323 (2011.02.01) 문서열기
공고번호/일자 (20160713) 문서열기
국제출원번호/일자
국제공개번호/일자
우선권정보
법적상태 등록
심사진행상태 수리
심판사항
구분 신규
원출원번호/일자
관련 출원번호
심사청구여부/일자 Y (2014.05.29)
심사청구항수 14

출원인

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번호 이름 국적 주소
1 삼성전자주식회사 대한민국 경기도 수원시 영통구
2 성균관대학교산학협력단 대한민국 경기도 수원시 장안구

발명자

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번호 이름 국적 주소
1 손경석 대한민국 서울특별시 노원구
2 권장연 대한민국 경기 성남시 분당구
3 김형섭 대한민국 서울특별시 동작구
4 이후정 대한민국 경기도 수원시 장안구
5 문미란 대한민국 경기도 수원시 장안구
6 박경 대한민국 경기도 수원시 장안구

대리인

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번호 이름 국적 주소
1 리앤목특허법인 대한민국 서울 강남구 언주로 **길 **, *층, **층, **층, **층(도곡동, 대림아크로텔)

최종권리자

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번호 이름 국적 주소
1 삼성전자주식회사 경기도 수원시 영통구
2 성균관대학교산학협력단 경기도 수원시 장안구
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번호 서류명 접수/발송일자 처리상태 접수/발송번호
1 [특허출원]특허출원서
[Patent Application] Patent Application		 2009.07.24 수리 (Accepted) 1-1-2009-0454085-54
2 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2012.04.26 수리 (Accepted) 4-1-2012-5090770-53
3 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2012.06.20 수리 (Accepted) 4-1-2012-5131828-19
4 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2012.06.21 수리 (Accepted) 4-1-2012-5132663-40
5 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2012.06.27 수리 (Accepted) 4-1-2012-5137236-29
6 [심사청구]심사청구(우선심사신청)서
[Request for Examination] Request for Examination (Request for Preferential Examination)		 2014.05.29 수리 (Accepted) 1-1-2014-0511050-01
7 선행기술조사의뢰서
Request for Prior Art Search		 2015.03.11 수리 (Accepted) 9-1-9999-9999999-89
8 선행기술조사보고서
Report of Prior Art Search		 2015.05.11 수리 (Accepted) 9-1-2015-0034192-52
9 의견제출통지서
Notification of reason for refusal		 2015.06.18 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2015-0405026-87
10 [거절이유 등 통지에 따른 의견]의견(답변, 소명)서
[Opinion according to the Notification of Reasons for Refusal] Written Opinion(Written Reply, Written Substantiation)		 2015.08.17 수리 (Accepted) 1-1-2015-0794855-86
11 [명세서등 보정]보정서
[Amendment to Description, etc.] Amendment		 2015.08.17 보정승인간주 (Regarded as an acceptance of amendment) 1-1-2015-0794856-21
12 의견제출통지서
Notification of reason for refusal		 2015.12.21 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2015-0890968-13
13 [거절이유 등 통지에 따른 의견]의견(답변, 소명)서
[Opinion according to the Notification of Reasons for Refusal] Written Opinion(Written Reply, Written Substantiation)		 2016.02.22 수리 (Accepted) 1-1-2016-0175015-99
14 [명세서등 보정]보정서
[Amendment to Description, etc.] Amendment		 2016.02.22 보정승인간주 (Regarded as an acceptance of amendment) 1-1-2016-0175017-80
15 등록결정서
Decision to grant		 2016.04.18 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2016-0278860-26
16 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2017.02.23 수리 (Accepted) 4-1-2017-5028829-43
번호, 청구항의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 청구항 표입니다.
번호 청구항
1 1
게이트;게이트 절연막;제1산화물반도체층 및 제2산화물반도체층을 포함하는 채널층;상기 채널층의 양측에 각각 접촉 형성된 소스 및 드레인;을 포함하며,상기 제1산화물반도체층의 결정립 크기는 상기 제2산화물반도체층의 결정립 크기에 비해 상대적으로 크며,상기 제2산화물반도체층의 두께는 상기 제1산화물반도체층의 두께보다 두꺼우며,상기 제1산화물반도체층은 상기 제2산화물반도체층에 비해 상기 게이트쪽에 보다 인접하여 배치된, 박막 트랜지스터
2 2
삭제
3 3
제1항에 있어서,상기 트랜지스터는 바텀 게이트 구조인 박막 트랜지스터
4 4
제1항에 있어서,상기 트랜지스터는 탑 게이트 구조인 박막 트랜지스터
5 5
제4항에 있어서,상기 소스 및 드레인은 상기 게이트에 의해 자기 정렬된 구조인 박막 트랜지스터
6 6
삭제
7 7
제 1 항에 있어서,제1산화물반도체층의 두께는 10nm 이상 200nm 이하이고,제2산화물반도체층의 두께는 15nm 이상 300nm 이하인 박막 트랜지스터
8 8
제1항, 제3항 내지 제 5항 중 어느 한 항에 있어서,상기 제1 및 제2 산화물반도체층의 결정립 크기는 증착 파워에 따라 조절되는 것을 특징으로 하는 박막 트랜지스터
9 9
제8항에 있어서,상기 제1 및 제2 산화물 반도체층은 각각 ZnO, In2O3, Ga2O3, SnO, IZO, ITO, GIZO, HfInZnO 중 어느 하나를 포함하여 이루어지는 박막 트랜지스터
10 10
제1항에 있어서, 상기 제1 및 제2 산화물반도체층은 결정성 ZnO로 이루어지는 것을 특징으로 하는 박막 트랜지스터
11 11
게이트, 채널층, 채널층의 양측에 각각 접촉 형성된 소스 및 드레인을 포함하는 박막 트랜지스터의 제조방법에 있어서,상기 채널층을 형성하는 단계는,결정질로 된 제1산화물반도체층을 형성하는 단계;상기 제1산화물반도체층의 결정립 크기보다 작은 크기의 결정립이 형성되고, 상기 제1산화물반도체층의 두께보다 두꺼운 두께가 되도록 제2산화물반도체층을 형성하는 단계;를 포함하며,상기 제1산화물반도체층은 상기 제2산화물반도체층에 비해 상기 게이트쪽에 보다 인접하여 배치되도록 상기 채널층을 형성하는 박막 트랜지스터 제조방법
12 12
삭제
13 13
제11항에 있어서,상기 제1산화물반도체층을 형성할 때의 증착 파워와 상기 제2산화물반도체층을 형성할 때의 증착 파워를 다르게 조절하는 박막 트랜지스터 제조방법
14 14
제13항에 있어서,상기 제2산화물반도체층을 형성할 때의 증착 파워를 상기 제1산화물반도체층을 형성할 때의 증착 파워보다 더 크게 하는 박막 트랜지스터 제조방법
15 15
제11항에 있어서,제1산화물반도체층의 두께는 10nm 이상 200nm 이하이고,제2산화물반도체층의 두께는 15nm 이상 300nm 이하로 하는 박막 트랜지스터 제조방법
16 16
제11항에 있어서,상기 제1 및 제2 산화물반도체층은 각각 ZnO, In2O3, Ga2O3, SnO, IZO, ITO, GIZO, HfInZnO 중 어느 하나를 포함하여 이루어지는 박막 트랜지스터 제조방법
17 17
제11항에 있어서,상기 제1 및 제2 산화물반도체층은 결정성 ZnO로 이루어지는 것을 특징으로 하는 박막 트랜지스터 제조방법
지정국 정보가 없습니다
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순번 패밀리번호 국가코드 국가명 종류
1 US08158976 US 미국 FAMILY
2 US20110017990 US 미국 FAMILY

DOCDB 패밀리 정보

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순번 패밀리번호 국가코드 국가명 종류
1 US2011017990 US 미국 DOCDBFAMILY
2 US8158976 US 미국 DOCDBFAMILY
국가 R&D 정보가 없습니다.