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금속 산화물 트랜지스터 및 이의 제조 방법

  • 기술번호 : KST2015144444
  • 담당센터 : 경기기술혁신센터
  • 전화번호 : 031-8006-1570
요약, Int. CL, CPC, 출원번호/일자, 출원인, 등록번호/일자, 공개번호/일자, 공고번호/일자, 국제출원번호/일자, 국제공개번호/일자, 우선권정보, 법적상태, 심사진행상태, 심판사항, 구분, 원출원번호/일자, 관련 출원번호, 기술이전 희망, 심사청구여부/일자, 심사청구항수의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 서지정보 표입니다.
요약 금속 산화물 트랜지스터 및 상기 금속 산화물 트랜지스터의 제조 방법에 관한 것이다.
Int. CL H01L 29/786 (2006.01)
CPC H01L 29/7869(2013.01)
출원번호/일자 1020140154687 (2014.11.07)
출원인 성균관대학교산학협력단
등록번호/일자 10-1556644-0000 (2015.09.23)
공개번호/일자
공고번호/일자 (20151001) 문서열기
국제출원번호/일자
국제공개번호/일자
우선권정보
법적상태 소멸
심사진행상태 수리
심판사항
구분 신규
원출원번호/일자
관련 출원번호
심사청구여부/일자 Y (2014.11.07)
심사청구항수 8

출원인

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번호 이름 국적 주소
1 성균관대학교산학협력단 대한민국 경기도 수원시 장안구

발명자

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번호 이름 국적 주소
1 조정호 대한민국 서울특별시 서초구
2 최용석 대한민국 경기도 수원시 장안구
3 김영훈 대한민국 경기도 성남시 분당구
4 박원영 대한민국 경기도 수원시 장안구
5 강문성 대한민국 서울특별시 종로구

대리인

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번호 이름 국적 주소
1 특허법인엠에이피에스 대한민국 서울특별시 강남구 테헤란로*길 **, *층 (역삼동, 한동빌딩)

최종권리자

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번호 이름 국적 주소
1 성균관대학교산학협력단 대한민국 경기도 수원시 장안구
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번호 서류명 접수/발송일자 처리상태 접수/발송번호
1 [특허출원]특허출원서
[Patent Application] Patent Application
2014.11.07 수리 (Accepted) 1-1-2014-1075984-36
2 [출원서등 보정]보정서
[Amendment to Patent Application, etc.] Amendment
2015.01.12 수리 (Accepted) 1-1-2015-0027118-76
3 [우선심사신청]심사청구(우선심사신청)서
[Request for Preferential Examination] Request for Examination (Request for Preferential Examination)
2015.03.25 수리 (Accepted) 1-1-2015-0290482-72
4 [우선심사신청]선행기술조사의뢰서
[Request for Preferential Examination] Request for Prior Art Search
2015.03.27 수리 (Accepted) 9-1-9999-9999999-89
5 [우선심사신청]선행기술조사보고서
[Request for Preferential Examination] Report of Prior Art Search
2015.04.06 수리 (Accepted) 9-1-2015-0021526-15
6 의견제출통지서
Notification of reason for refusal
2015.05.15 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2015-0322315-08
7 [명세서등 보정]보정서
[Amendment to Description, etc.] Amendment
2015.07.15 보정승인간주 (Regarded as an acceptance of amendment) 1-1-2015-0684433-20
8 [분할출원]특허출원서
[Divisional Application] Patent Application
2015.07.15 수리 (Accepted) 1-1-2015-0685476-51
9 [거절이유 등 통지에 따른 의견]의견(답변, 소명)서
[Opinion according to the Notification of Reasons for Refusal] Written Opinion(Written Reply, Written Substantiation)
2015.07.15 수리 (Accepted) 1-1-2015-0684432-85
10 등록결정서
Decision to grant
2015.09.09 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2015-0618208-29
11 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information
2017.02.23 수리 (Accepted) 4-1-2017-5028829-43
번호, 청구항의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 청구항 표입니다.
번호 청구항
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투명 플라스틱 기재의 동일면 상에 동일한 금속 산화물을 포함하는 소스 전극, 게이트 전극, 반도체 층, 및 드레인 전극을 형성하는 단계;상기 게이트 전극의 일부 및 상기 반도체 층의 전부 상에 이온겔 층을 형성하는 단계; 및,상기 소스 전극, 상기 드레인 전극, 및 상기 이온겔 층이 형성되지 않은 상기 게이트 전극을 플라즈마 처리 하는 단계를 포함하는, 금속 산화물 트랜지스터의 제조 방법
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제 6 항에 있어서,상기 소스 전극, 상기 드레인 전극, 및 상기 이온겔 층이 형성되지 않은 상기 게이트 전극은 상기 플라즈마 처리에 의해 전도도가 증가하는 것인, 금속 산화물 트랜지스터의 제조 방법
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제 6 항에 있어서,상기 금속 산화물을 포함하는 상기 소스 전극, 상기 게이트 전극, 상기 반도체 층, 및 상기 드레인 전극은 원자외선을 이용한 졸겔법을 이용하여 형성되는 것인, 금속 산화물 트랜지스터의 제조 방법
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제 6 항에 있어서,상기 투명 플라스틱 기재는 폴리에틸렌 테레프탈레이트, 폴리(디메틸실록산), 폴리카보네이트, 폴리에테르설폰, 폴리이미드, 폴리아크릴레이트, 폴리에스테르, 폴리비닐, 폴리에틸렌, 폴리에틸렌나프탈레이트, 및 이들의 조합들로 이루어진 군으로부터 선택되는 것을 포함하는 것인, 금속 산화물 트랜지스터의 제조 방법
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제 6 항에 있어서,상기 금속 산화물은 산화인듐, 산화아연, IGZO(InGaZnO), IZO(InZnO), In2O3(InO), 및 이들의 조합으로 이루어진 군으로부터 선택되는 것을 포함하는 것인, 금속 산화물 트랜지스터의 제조 방법
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제 6 항에 있어서,상기 이온겔 층은 이온성 액체가 겔의 형태로 분산되어 형성된 것인, 금속 산화물 트랜지스터의 제조 방법
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제 11 항에 있어서,상기 이온성 액체는 [BMIM][PF6], [EMIM][TFSI], [EMIM][OctSO4], 및 이들의 조합들로 이루어진 군에서 선택되는 것을 포함하는 것인, 금속 산화물 트랜지스터의 제조 방법
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제 6 항에 있어서,상기 플라즈마 처리는 Ar 플라즈마, H2 플라즈마 등의 비활성 기체 플라즈마를 포함하는 것인, 금속 산화물 트랜지스터의 제조 방법
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순번 연구부처 주관기관 연구사업 연구과제
1 미래창조과학부 성균관대학교 산학협력단 글로벌프론티어연구개발사업(나노기반소프트일렉트로닉스연구) 1/3 하이브리드 소프트 나노소자 기술