1 |
1
삭제
|
2 |
2
삭제
|
3 |
3
삭제
|
4 |
4
삭제
|
5 |
5
삭제
|
6 |
6
투명 플라스틱 기재의 동일면 상에 동일한 금속 산화물을 포함하는 소스 전극, 게이트 전극, 반도체 층, 및 드레인 전극을 형성하는 단계;상기 게이트 전극의 일부 및 상기 반도체 층의 전부 상에 이온겔 층을 형성하는 단계; 및,상기 소스 전극, 상기 드레인 전극, 및 상기 이온겔 층이 형성되지 않은 상기 게이트 전극을 플라즈마 처리 하는 단계를 포함하는, 금속 산화물 트랜지스터의 제조 방법
|
7 |
7
제 6 항에 있어서,상기 소스 전극, 상기 드레인 전극, 및 상기 이온겔 층이 형성되지 않은 상기 게이트 전극은 상기 플라즈마 처리에 의해 전도도가 증가하는 것인, 금속 산화물 트랜지스터의 제조 방법
|
8 |
8
제 6 항에 있어서,상기 금속 산화물을 포함하는 상기 소스 전극, 상기 게이트 전극, 상기 반도체 층, 및 상기 드레인 전극은 원자외선을 이용한 졸겔법을 이용하여 형성되는 것인, 금속 산화물 트랜지스터의 제조 방법
|
9 |
9
제 6 항에 있어서,상기 투명 플라스틱 기재는 폴리에틸렌 테레프탈레이트, 폴리(디메틸실록산), 폴리카보네이트, 폴리에테르설폰, 폴리이미드, 폴리아크릴레이트, 폴리에스테르, 폴리비닐, 폴리에틸렌, 폴리에틸렌나프탈레이트, 및 이들의 조합들로 이루어진 군으로부터 선택되는 것을 포함하는 것인, 금속 산화물 트랜지스터의 제조 방법
|
10 |
10
제 6 항에 있어서,상기 금속 산화물은 산화인듐, 산화아연, IGZO(InGaZnO), IZO(InZnO), In2O3(InO), 및 이들의 조합으로 이루어진 군으로부터 선택되는 것을 포함하는 것인, 금속 산화물 트랜지스터의 제조 방법
|
11 |
11
제 6 항에 있어서,상기 이온겔 층은 이온성 액체가 겔의 형태로 분산되어 형성된 것인, 금속 산화물 트랜지스터의 제조 방법
|
12 |
12
제 11 항에 있어서,상기 이온성 액체는 [BMIM][PF6], [EMIM][TFSI], [EMIM][OctSO4], 및 이들의 조합들로 이루어진 군에서 선택되는 것을 포함하는 것인, 금속 산화물 트랜지스터의 제조 방법
|
13 |
13
제 6 항에 있어서,상기 플라즈마 처리는 Ar 플라즈마, H2 플라즈마 등의 비활성 기체 플라즈마를 포함하는 것인, 금속 산화물 트랜지스터의 제조 방법
|