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유기 박막 트랜지스터 및 그의 제조방법

  • 기술번호 : KST2015158809
  • 담당센터 : 서울동부기술혁신센터
  • 전화번호 : 02-2155-3662
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요약, Int. CL, CPC, 출원번호/일자, 출원인, 등록번호/일자, 공개번호/일자, 공고번호/일자, 국제출원번호/일자, 국제공개번호/일자, 우선권정보, 법적상태, 심사진행상태, 심판사항, 구분, 원출원번호/일자, 관련 출원번호, 기술이전 희망, 심사청구여부/일자, 심사청구항수의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 서지정보 표입니다.
요약 본 발명은 유기 박막 트랜지스터 및 그의 제조방법에 관한 것으로, 기존의 유기 박막 트랜지스터를 제조 공정 중에, 소스와 드레인 전극을 표면 처리하는 물질과 게이트 절연막을 표면 처리하는 OTS(octadecyl trichlorosilane)를 동시에 사용할 경우에 소자의 특성이 저하되는 문제점과 각기 분리하여 표면 처리할 경우 복잡한 공정이 수행되는 문제점을 본 발명에서는 모노클로러벤젠(monochlorobenzen)에 의해 희석시킨 PMMA(poly-(methyl methacrylate))용액을 소스와 드레인 전극 및 게이트 절연막에 한 번의 스핀 코팅한 후, 유기 반도체 물질을 증착시킴으로써 해결한다. 따라서, 본 발명은 소스 및 드레인 전극과 게이트 절연막에 그레인 사이즈가 크고, 잘 성장되는 유기 반도체 물질막을 형성할 수 있게 되어서, 소자의 캐리어 이동도를 향상시킬 수 있고 제조 공정 시간을 단축시킬 수 있는 효과가 있다. 유기, 박막, 트랜지스터, PMMA, 희석, 코팅
Int. CL H01L 29/786 (2006.01)
CPC H01L 51/0545(2013.01) H01L 51/0545(2013.01) H01L 51/0545(2013.01)
출원번호/일자 1020030004002 (2003.01.21)
출원인 재단법인서울대학교산학협력재단, 이진호
등록번호/일자 10-0538542-0000 (2005.12.16)
공개번호/일자 10-2004-0067047 (2004.07.30) 문서열기
공고번호/일자 (20051222) 문서열기
국제출원번호/일자
국제공개번호/일자
우선권정보
법적상태 소멸
심사진행상태 수리
심판사항 심판사항
구분
원출원번호/일자
관련 출원번호
심사청구여부/일자 Y (2003.01.21)
심사청구항수 3

출원인

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번호 이름 국적 주소
1 재단법인서울대학교산학협력재단 대한민국 서울특별시 관악구
2 이진호 대한민국 대전광역시 유성구

발명자

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번호 이름 국적 주소
1 진성훈 대한민국 대구광역시 달서구
2 이종덕 대한민국 서울특별시 동작구
3 박병국 대한민국 서울특별시 관악구
4 이진호 대한민국 대전광역시 유성구

대리인

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번호 이름 국적 주소
1 박미숙 대한민국 경기도 남양주시 경춘로 ***(가운동, 브릭스타워)*층 ***호(해솔국제특허법률사무소)
2 정태련 대한민국 서울특별시 서초구 반포대로**길 **, ****호 (서초동, 현대전원오피스텔)(특허법인 동원)
3 조담 대한민국 서울(특허법인 퇴사후 사무소변경 미신고)

최종권리자

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번호 이름 국적 주소
1 이진호 대한민국 대전광역시 유성구
2 재단법인서울대학교산학협력재단 대한민국 서울특별시 관악구
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번호 서류명 접수/발송일자 처리상태 접수/발송번호
1 특허출원서
Patent Application		 2003.01.21 수리 (Accepted) 1-1-2003-0020977-35
2 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2003.08.08 수리 (Accepted) 4-1-2003-5049987-91
3 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2004.01.13 수리 (Accepted) 4-1-2004-5002373-78
4 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2004.01.13 수리 (Accepted) 4-1-2004-5002372-22
5 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2004.03.06 수리 (Accepted) 4-1-2004-5016000-36
6 출원인변경신고서
Applicant change Notification		 2004.04.17 불수리 (Non-acceptance) 1-1-2004-5060707-25
7 반려이유통지서
Notice of Reason for Return of Document		 2004.04.26 발송처리완료 (Completion of Transmission) 1-5-2004-0027215-10
8 반려요청서
Request for Return		 2004.05.27 수리 (Accepted) 1-1-2004-0225135-51
9 반려통지서
Notice for Return		 2004.05.27 발송처리완료 (Completion of Transmission) 1-5-2004-0036373-15
10 출원인변경신고서
Applicant change Notification		 2004.07.22 수리 (Accepted) 1-1-2004-5108941-17
11 대리인 선임 신고서
Notification of assignment of agent		 2004.08.14 수리 (Accepted) 1-1-2004-0363530-86
12 선행기술조사의뢰서
Request for Prior Art Search		 2004.10.15 수리 (Accepted) 9-1-9999-9999999-89
13 선행기술조사보고서
Report of Prior Art Search		 2004.11.19 수리 (Accepted) 9-1-2004-0069662-38
14 의견제출통지서
Notification of reason for refusal		 2004.12.17 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2004-0533402-85
15 의견서
Written Opinion		 2005.02.17 수리 (Accepted) 1-1-2005-0084011-14
16 거절결정서
Decision to Refuse a Patent		 2005.06.23 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2005-0290746-21
17 명세서 등 보정서(심사전치)
Amendment to Description, etc(Reexamination)		 2005.07.26 보정승인 (Acceptance of amendment) 7-1-2005-0016797-38
18 등록결정서
Decision to grant		 2005.09.15 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2005-0455416-40
19 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2008.01.29 수리 (Accepted) 4-1-2008-5015497-73
20 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2014.08.22 수리 (Accepted) 4-1-2014-5100909-62
21 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2015.03.20 수리 (Accepted) 4-1-2015-5036045-28
번호, 청구항의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 청구항 표입니다.
번호 청구항
1 1
기판의 상부에 형성된 게이트 전극과;상기 게이트 전극을 감싸고, 상기 기판의 상부에 형성된 게이트 절연막과;상기 게이트 절연막의 상부에, 상호 이격시켜 형성된 소스 전극과 드레인 전극과;상기 소스와 드레인 전극을 감싸고, 상기 게이트 절연막 상부에 분자량이 950000인 PMMA와 용매인 모노클로러벤젠(monochlorobenzen)을 1:99 정도의 부피비로 혼합한 이-빔(E-Beam)용 감광막을 모노클로러벤젠(monochlorobenzen)으로 3:1 ~ 12:1의 부피비로 추가로 희석한 PMMA 용액을 코팅하여 형성한 희석된 PMMA(poly-(methyl methacrylate)) 코팅막과;상기 소스와 드레인 전극의 일부 영역과 채널 영역에 있는 상기 희석된 PMMA 코팅막 상부에 증착된 유기 반도체 물질을 포함하여 구성된 유기 박막 트랜지스터
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기판의 상부에 게이트 전극을 형성하는 제 1 단계와;상기 게이트 전극을 감싸고, 상기 기판의 상부에 게이트 절연막을 형성하고, 상기 게이트 절연막의 상부에, 상호 이격되어 있는 소스 전극과 드레인 전극을 형성하는 제 2 단계와;상기 소스와 드레인 전극을 감싸고, 상기 게이트 절연막 상부에 분자량이 950000인 PMMA와 용매인 모노클로러벤젠(monochlorobenzen)을 1:99 정도의 부피비로 혼합한 이-빔(E-Beam)용 감광막을 모노클로러벤젠(monochlorobenzen)으로 3:1 ~ 12:1의 부피비로 추가로 희석한 PMMA 용액으로 코팅하여 희석된 PMMA 코팅막을 형성하는 제 3 단계와;상기 소스와 드레인 전극의 일부 영역과 채널 영역에 있는 상기 희석된 PMMA 코팅막 상부에 유기 반도체 물질막을 형성하는 제 4 단계를 포함하여 구성된 유기 박막 트랜지스터 제조 방법
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제 4 항에 있어서,제 3 단계와 제 4 단계의 사이에, 대류식 오븐에서 80 ~ 110℃ 온도로 30분 ~ 2시간 베이킹하는 공정이 더 구비된 것을 특징으로 하는 유기 박막 트랜지스터 제조 방법
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10 10
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11 11
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12 12
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15 14
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국가 R&D 정보가 없습니다.