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비대칭 듀얼 게이트를 갖는 박막 트랜지스터 및 그 제조방법

  • 기술번호 : KST2015158876
  • 담당센터 : 서울동부기술혁신센터
  • 전화번호 : 02-2155-3662
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요약, Int. CL, CPC, 출원번호/일자, 출원인, 등록번호/일자, 공개번호/일자, 공고번호/일자, 국제출원번호/일자, 국제공개번호/일자, 우선권정보, 법적상태, 심사진행상태, 심판사항, 구분, 원출원번호/일자, 관련 출원번호, 기술이전 희망, 심사청구여부/일자, 심사청구항수의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 서지정보 표입니다.
요약 본 발명은 박막 트랜지스터에 관한 것으로, 특히 다결정 실리콘 박막 트랜지스터의 킹크전류(kink current)를 억제하기 위해 두 개의 게이트 전극을 비대칭적으로 형성하여 드레인 접합에 형성된 홀(hole)이 소스 전극까지 도달하는 것을 억제하여 포화 영역에서 킹크 전류가 억제되는 비대칭 듀얼 게이트를 갖는 박막 트랜지스터 및 그 제조방법에 관한 것이다. 다결정 실리콘, 비대칭 듀얼 게이트, 킹크 전류
Int. CL H01L 29/786 (2006.01)
CPC H01L 29/78645(2013.01) H01L 29/78645(2013.01) H01L 29/78645(2013.01)
출원번호/일자 1020030074585 (2003.10.24)
출원인 재단법인서울대학교산학협력재단
등록번호/일자 10-0575544-0000 (2006.04.25)
공개번호/일자 10-2005-0039168 (2005.04.29) 문서열기
공고번호/일자 (20060503) 문서열기
국제출원번호/일자
국제공개번호/일자
우선권정보
법적상태 소멸
심사진행상태 수리
심판사항
구분
원출원번호/일자
관련 출원번호
심사청구여부/일자 Y (2003.10.24)
심사청구항수 2

출원인

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번호 이름 국적 주소
1 재단법인서울대학교산학협력재단 대한민국 서울특별시 관악구

발명자

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번호 이름 국적 주소
1 한민구 대한민국 서울특별시강남구
2 이민철 대한민국 서울특별시 관악구

대리인

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번호 이름 국적 주소
1 이건주 대한민국 서울 종로구 명륜동*가 ***-* 미화빌딩 이건주특허법률사무소

최종권리자

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번호 이름 국적 주소
1 재단법인서울대학교산학협력재단 대한민국 서울특별시 관악구
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번호 서류명 접수/발송일자 처리상태 접수/발송번호
1 공지예외적용주장대상(신규성,출원시의특례)증명서류제출서
Submission of Document Verifying Exclusion from Being Publically Known (Novelty, Special Provisions for Application)		 2003.10.24 수리 (Accepted) 1-1-2003-5202871-57
2 특허출원서
Patent Application		 2003.10.24 수리 (Accepted) 1-1-2003-0397692-69
3 선행기술조사의뢰서
Request for Prior Art Search		 2005.04.15 수리 (Accepted) 9-1-9999-9999999-89
4 선행기술조사보고서
Report of Prior Art Search		 2005.05.18 수리 (Accepted) 9-1-2005-0028702-17
5 의견제출통지서
Notification of reason for refusal		 2005.06.28 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2005-0304122-25
6 지정기간연장신청서
Request for Extension of Designated Period		 2005.08.29 수리 (Accepted) 1-1-2005-0478566-16
7 명세서등보정서
Amendment to Description, etc.		 2005.09.28 보정승인간주 (Regarded as an acceptance of amendment) 1-1-2005-0547269-68
8 의견서
Written Opinion		 2005.09.28 수리 (Accepted) 1-1-2005-0547270-15
9 등록결정서
Decision to grant		 2006.01.25 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2006-0045983-90
10 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2008.01.29 수리 (Accepted) 4-1-2008-5015497-73
11 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2014.08.22 수리 (Accepted) 4-1-2014-5100909-62
12 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2015.03.20 수리 (Accepted) 4-1-2015-5036045-28
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번호 청구항
1 1
삭제
2 2
다결정 실리콘 박막으로 된 기판과; 상기 기판 위에 형성된 소스, 드레인 및 상기 소스와 드레인 사이에 형성된 고농도 도핑영역과;상기 소스와 고농도 도핑영역 사이에 형성된 제1 채널영역과;상기 고농도 도핑영역과 드레인 사이에 형성된 제2 채널영역과;상기 제1 채널영역과 제2 채널영역 위에 각각 형성된 제1 게이트와 제2 게이트; 및상기 제1 게이트와 제1 채널영역의 사이 및 상기 제2 게이트와 제2 채널영역의 사이에 각각 형성된 제1 게이트 절연층 및 제2 게이트 절연층을 포함하며,상기 소스에 인접한 제1 채널영역은 선형동작영역에서 동작하고, 상기 드레인에 인접한 제2 채널영역은 포화동작영역에서 동작하도록 상기 제1 게이트의 길이는 상기 제2 게이트의 길이보다 길게 형성됨을 특징으로 하는 비대칭 듀얼 게이트를 갖는 박막 트랜지스터
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제 2 항에 있어서, 상기 제1 게이트와 제2 게이트 사이에 형성된 적어도 하나 이상의 게이트를 더 포함함을 특징으로 하는 비대칭 듀얼 게이트를 갖는 박막 트랜지스터
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6 5
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패밀리정보가 없습니다
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