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풀 스윙 유기 반도체 회로

  • 기술번호 : KST2015158955
  • 담당센터 : 서울동부기술혁신센터
  • 전화번호 : 02-2155-3662
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요약, Int. CL, CPC, 출원번호/일자, 출원인, 등록번호/일자, 공개번호/일자, 공고번호/일자, 국제출원번호/일자, 국제공개번호/일자, 우선권정보, 법적상태, 심사진행상태, 심판사항, 구분, 원출원번호/일자, 관련 출원번호, 기술이전 희망, 심사청구여부/일자, 심사청구항수의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 서지정보 표입니다.
요약 본 발명은 산화막인 게이트 절연막 위에 PMMA 층 또는 증가형 특성을 보이는 게이트 절연막을 도입하여 제조한 p 채널 증가형 소자 및 p 채널 공핍형 소자를 연결하거나, 게이트 절연막으로서 비휘발성 유기 메모리 층을 도입하고 전기적인 프로그래밍에 의하여 음의 문턱전압을 갖는 p 채널 증가형 소자 및 전기적인 프로그래밍에 의하여 양의 문턱전압을 갖는 p 채널 공핍형 소자를 연결한 유기 반도체 회로가 제공된다. 본 발명의 p 채널 증가형 소자와 p 채널 공핍형 소자를 함께 동일 기판 위에 형성하고, 연결하면 풀 스윙이 가능한 반도체 회로를 쉽게 구현할 수 있다. p 채널, 유기 반도체 회로, 풀 스윙, 증가형 소자, 공핍형 소자, PMMA 층, 게이트 절연막, 유기 메모리, 프로그래밍
Int. CL H01L 29/786 (2006.01)
CPC H01L 51/0529(2013.01) H01L 51/0529(2013.01)
출원번호/일자 1020040109058 (2004.12.20)
출원인 재단법인서울대학교산학협력재단
등록번호/일자 10-0724312-0000 (2007.05.28)
공개번호/일자 10-2006-0070350 (2006.06.23) 문서열기
공고번호/일자 (20070604) 문서열기
국제출원번호/일자
국제공개번호/일자
우선권정보
법적상태 소멸
심사진행상태 수리
심판사항
구분
원출원번호/일자
관련 출원번호
심사청구여부/일자 Y (2004.12.20)
심사청구항수 6

출원인

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번호 이름 국적 주소
1 재단법인서울대학교산학협력재단 대한민국 서울특별시 관악구

발명자

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번호 이름 국적 주소
1 이종덕 대한민국 서울 서초구
2 박병국 대한민국 서울 서초구
3 진성훈 대한민국 서울 관악구
4 이천안 대한민국 서울 관악구

대리인

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번호 이름 국적 주소
1 정태련 대한민국 서울특별시 서초구 반포대로**길 **, ****호 (서초동, 현대전원오피스텔)(특허법인 동원)
2 조담 대한민국 서울(특허법인 퇴사후 사무소변경 미신고)

최종권리자

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번호 이름 국적 주소
1 재단법인서울대학교산학협력재단 대한민국 서울특별시 관악구
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번호 서류명 접수/발송일자 처리상태 접수/발송번호
1 특허출원서
Patent Application		 2004.12.20 수리 (Accepted) 1-1-2004-0601168-77
2 전자문서첨부서류제출서
Submission of Attachment to Electronic Document		 2004.12.23 수리 (Accepted) 1-1-2004-5197074-01
3 선행기술조사의뢰서
Request for Prior Art Search		 2006.06.14 수리 (Accepted) 9-1-9999-9999999-89
4 선행기술조사보고서
Report of Prior Art Search		 2006.07.12 수리 (Accepted) 9-1-2006-0047062-18
5 의견제출통지서
Notification of reason for refusal		 2006.08.29 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2006-0501042-26
6 지정기간연장신청서
Request for Extension of Designated Period		 2006.10.30 수리 (Accepted) 1-1-2006-0787527-40
7 의견서
Written Opinion		 2006.11.29 수리 (Accepted) 1-1-2006-0883397-20
8 명세서등보정서
Amendment to Description, etc.		 2006.11.29 보정승인간주 (Regarded as an acceptance of amendment) 1-1-2006-0883395-39
9 의견제출통지서
Notification of reason for refusal		 2006.12.19 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2006-0758715-05
10 의견서
Written Opinion		 2007.01.17 수리 (Accepted) 1-1-2007-0047571-27
11 명세서등보정서
Amendment to Description, etc.		 2007.01.17 보정승인간주 (Regarded as an acceptance of amendment) 1-1-2007-0047569-35
12 등록결정서
Decision to grant		 2007.03.21 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2007-0146421-89
13 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2008.01.29 수리 (Accepted) 4-1-2008-5015497-73
14 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2014.08.22 수리 (Accepted) 4-1-2014-5100909-62
15 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2015.03.20 수리 (Accepted) 4-1-2015-5036045-28
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번호 청구항
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기판 위에 p형 유기물 반도체에 의해 형성된 채널을 갖는 p채널 증가형 소자와 p채널 공핍형 소자가 연결되어 일체로 구성되고, 상기 p채널 증가형 소자와 p채널 공핍형 소자 각각은상기 기판 위에 형성된 게이트 전극, 상기 게이트 전극의 일면과 접촉하는 게이트 절연막, 상기 게이트 절연막에 의해 상기 게이트 전극과 전기적으로 분리되고 상호 간에도 분리된 소스 전극과 드레인 전극을 포함하고,상기 p채널 증가형 소자의 드레인 전극과 상기 p채널 공핍형 소자의 소스 전극은 연결된 것을 특징으로 하는 풀스윙 유기 반도체 회로
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제6항에 있어서, 상기 p채널 증가형 소자는 상기 게이트 절연막 위에 형성된 PMMA(Poly methyl methacrylate)층을 추가로 포함하는 것을 특징으로 하는 풀스윙 유기 반도체 회로
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제6항 또는 제7항에 있어서,상기 p채널 증가형 소자는 상기 게이트 절연막이 Al2O3, HfO2, BZT(barium zirconate titanate), PMMA 및 가교 PVA(Poly Vinyl Alcohol) 중에서 선택된 물질로 형성된 것이고,상기 p채널 공핍형 소자는 상기 게이트 절연막이 산화막 또는 PVP 막으로 형성된 것인 풀스윙 유기 반도체 회로
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제6항 또는 제7항에 있어서, 상기 p채널 증가형 소자는 상기 게이트 절연막이 비휘발성 유기 메모리 물질로 형성되고 음(-)의 문턱 전압을 가지도록 전기적으로 프로그래밍 된 것이고, 상기 p채널 공핍형 소자는 상기 게이트 절연막이 비휘발성 유기 메모리 물질로 형성되고 양(+)의 문턱 전압을 가지도록 전기적으로 프로그래밍 된 것인 풀스윙 유기 반도체 회로
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제9항에 있어서, 상기 비휘발성 유기 메모리 물질이 가교 PVA인 풀스윙 유기 반도체 회로
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제10항에 있어서,상기 가교 PVA로 이루어진 게이트 절연막이 그 하부에 PMMA 또는 PVP(Poly Vinyl Phenol)로 형성된 버퍼층 및 그 상부에 PMMA로 형성된 봉지층을 추가로 포함하는 풀스윙 유기 반도체 회로
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