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은 박막 형성용 전기도금용액 및 그 용액을 이용한 은박막 형성방법

  • 기술번호 : KST2015159062
  • 담당센터 : 서울동부기술혁신센터
  • 전화번호 : 02-2155-3662
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요약, Int. CL, CPC, 출원번호/일자, 출원인, 등록번호/일자, 공개번호/일자, 공고번호/일자, 국제출원번호/일자, 국제공개번호/일자, 우선권정보, 법적상태, 심사진행상태, 심판사항, 구분, 원출원번호/일자, 관련 출원번호, 기술이전 희망, 심사청구여부/일자, 심사청구항수의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 서지정보 표입니다.
요약 본 발명은 은 박막 형성용 전기도금용액 및 그 용액을 이용한 은 박막 형성방법에 관한 것으로, 벤조트리아졸 유도체 및/또는 티오유레아 유도체를 첨가한 은 전기도금용액을 이용하여 은 박막을 형성하는 방법은 균열이나 틈과 같은 결함이 없는 균일한 은 박막을 형성하게 함으로써 고집적화 반도체 금속 배선 공정에 적합하게 활용할 수 있는 효과가 있다. 벤조트리아졸, 티오유레아, 은 박막, 전해도금, 첨가제
Int. CL C25D 3/46 (2006.01.01) H01L 21/288 (2006.01.01) C25D 7/12 (2006.01.01) C25D 5/50 (2006.01.01)
CPC C25D 3/46(2013.01) C25D 3/46(2013.01) C25D 3/46(2013.01) C25D 3/46(2013.01)
출원번호/일자 1020040106237 (2004.12.15)
출원인 주식회사 엘지화학, 재단법인서울대학교산학협력재단
등록번호/일자 10-0772320-0000 (2007.10.25)
공개번호/일자 10-2006-0067452 (2006.06.20) 문서열기
공고번호/일자 (20071031) 문서열기
국제출원번호/일자
국제공개번호/일자
우선권정보
법적상태 소멸
심사진행상태 수리
심판사항
구분 신규
원출원번호/일자
관련 출원번호
심사청구여부/일자 Y (2006.01.06)
심사청구항수 9

출원인

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번호 이름 국적 주소
1 주식회사 엘지화학 대한민국 서울특별시 영등포구
2 재단법인서울대학교산학협력재단 대한민국 서울특별시 관악구

발명자

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번호 이름 국적 주소
1 김재정 대한민국 서울 관악구
2 안응진 대한민국 서울 강북구

대리인

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번호 이름 국적 주소
1 조인제 대한민국 서울특별시 강남구 테헤란로**길**, *층(역삼동)(특허법인뉴코리아)

최종권리자

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번호 이름 국적 주소
1 주식회사 엘지화학 대한민국 서울특별시 영등포구
2 재단법인서울대학교산학협력재단 대한민국 서울특별시 관악구
번호, 서류명, 접수/발송일자, 처리상태, 접수/발송일자의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 행정처리 표입니다.
번호 서류명 접수/발송일자 처리상태 접수/발송번호
1 특허출원서
Patent Application		 2004.12.15 수리 (Accepted) 1-1-2004-0591310-85
2 출원심사청구서
Request for Examination		 2006.01.06 수리 (Accepted) 1-1-2006-0011082-91
3 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2006.08.25 수리 (Accepted) 4-1-2006-0019818-11
4 선행기술조사의뢰서
Request for Prior Art Search		 2006.09.07 수리 (Accepted) 9-1-9999-9999999-89
5 선행기술조사보고서
Report of Prior Art Search		 2006.10.17 수리 (Accepted) 9-1-2006-0067947-78
6 의견제출통지서
Notification of reason for refusal		 2006.11.28 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2006-0707026-71
7 명세서등보정서
Amendment to Description, etc.		 2007.01.26 보정승인간주 (Regarded as an acceptance of amendment) 1-1-2007-0082028-12
8 의견서
Written Opinion		 2007.01.26 수리 (Accepted) 1-1-2007-0082022-49
9 최후의견제출통지서
Notification of reason for final refusal		 2007.05.17 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2007-0267837-17
10 [명세서등 보정]보정서
[Amendment to Description, etc.] Amendment		 2007.07.13 보정승인 (Acceptance of amendment) 1-1-2007-0511802-97
11 [거절이유 등 통지에 따른 의견]의견(답변, 소명)서
[Opinion according to the Notification of Reasons for Refusal] Written Opinion(Written Reply, Written Substantiation)		 2007.07.13 수리 (Accepted) 1-1-2007-0511796-00
12 등록결정서
Decision to grant		 2007.10.12 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2007-0546169-48
13 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2008.01.29 수리 (Accepted) 4-1-2008-5015497-73
14 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2014.08.22 수리 (Accepted) 4-1-2014-5100909-62
15 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2015.01.02 수리 (Accepted) 4-1-2015-5000389-31
16 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2015.03.20 수리 (Accepted) 4-1-2015-5036045-28
17 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2015.12.02 수리 (Accepted) 4-1-2015-5161532-51
18 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2018.11.12 수리 (Accepted) 4-1-2018-5227604-80
19 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2018.12.19 수리 (Accepted) 4-1-2018-5261818-30
20 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2019.08.19 수리 (Accepted) 4-1-2019-5164284-96
번호, 청구항의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 청구항 표입니다.
번호 청구항
1 1
은 전해도금용액에 첨가제로서 6-벤질아미노퓨린을 포함하여 이루어지는 것을 특징으로 하는 은 박막 형성용 전해도금용액
2 2
삭제
3 3
제1항에 있어서,티오유레아, 티오카바닐라이드, 티오카보하이드라자이드, 티오니코틴아마이드, 티오세미카바자이드 및 알킬티오유레아로 이루어진 군으로부터 1종 이상 선택되는 티오유레아 유도체를 더 포함하는 것을 특징으로 하는 은 박막 형성용 전해도금용액
4 4
제1항에 있어서, 상기 전해도금용액이 pH 7 내지 14이고, 시안화은칼륨 및 시안화칼륨을 포함하여 이루어지는 것을 특징으로 하는 은 박막 형성용 전해도금용액
5 5
제4항에 있어서,상기 전해도금용액이 1 : 0
6 6
(a) 은 박막을 형성하고자 하는 기판을 준비하는 단계;(b) 준비된 기판을 은 이온, 6-벤질아미노퓨린 및 티오유레아 유도체를 포함하는 은 전해도금용액에 침지하는 단계; 및(c) 기판을 침지한 은 전해도금용액에 환원전위를 인가하여 은 박막을 형성하는 단계를 포함하여 이루어지는 것을 특징으로 하는 은 박막 형성방법
7 7
제6항에 있어서, 상기 (c)의 은 박막을 형성하는 단계 이후에 은 박막이 형성된 기판을 열처리하여 비저항을 낮추는 단계를 더 포함하여 이루어지는 것을 특징으로 하는 은 박막 형성방법
8 8
제6항에 있어서, 상기 (a)의 은 박막을 형성하고자 하는 기판은 은 시드층이 형성된 기판인 것을 특징으로 하는 은 박막 형성방법
9 9
제6항에 있어서, 상기 인가된 환원전위가 표준 칼로멜 전극 기준으로 0 내지 -1500mV인 것을 특징으로 하는 은 박막 형성방법
10 10
제7항에 있어서, 상기 열처리가 질소, 수소 또는 아르곤 분위기와 100 내지 350℃의 온도에서 10분 내지 60분 동안 수행되는 것을 특징으로 하는 은 박막 형성방법
11 10
제7항에 있어서, 상기 열처리가 질소, 수소 또는 아르곤 분위기와 100 내지 350℃의 온도에서 10분 내지 60분 동안 수행되는 것을 특징으로 하는 은 박막 형성방법
지정국 정보가 없습니다
패밀리정보가 없습니다
국가 R&D 정보가 없습니다.