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실리사이드 접합을 이용한 미소기계소자의 진공 실장방법

  • 기술번호 : KST2015159353
  • 담당센터 : 서울동부기술혁신센터
  • 전화번호 : 02-2155-3662
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요약, Int. CL, CPC, 출원번호/일자, 출원인, 등록번호/일자, 공개번호/일자, 공고번호/일자, 국제출원번호/일자, 국제공개번호/일자, 우선권정보, 법적상태, 심사진행상태, 심판사항, 구분, 원출원번호/일자, 관련 출원번호, 기술이전 희망, 심사청구여부/일자, 심사청구항수의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 서지정보 표입니다.
요약 상하부 기판 사이에 실리사이드 접합을 이용하여 진공상태에서 미소기계소자의 진공 실장방법이 개시된다. 본 발명의 미소기계소자의 진공 실장 방법은 실리콘, 산화막, 실리콘이 차례대로 적층된 하부 실리콘 기판 상에 하부 실리콘 기판 상에 금속층, 비정질 실리콘막, 및 접착층을 형성한다. 접착층, 비정질 실리콘막, 및 금속층을 선택적으로 식각하여 하부 실리콘 기판을 노출시키고, 하부 실리콘 기판 내에 미소기계소자를 형성한다. 미소기계소자가 형성된 하부 실리콘 기판 상에 동공이 형성된 상부 글라스 기판을 진공챔버 내에서 정렬하고, 상하부 기판을 열처리하여, 금속층과 하부 실리콘 기판과 반응하여 제1 실리사이드를 형성하고, 금속층과 비정질 실리콘막이 반응하여 제2 실리사이드를 형성하여 진공상태에서 상하부 기판이 접착한다.미소기계소자, 실리사이드, 진공챔버, 진공
Int. CL B81B 7/02 (2006.01) B81C 1/00 (2006.01)
CPC
출원번호/일자 1020060008320 (2006.01.26)
출원인 재단법인서울대학교산학협력재단
등록번호/일자
공개번호/일자 10-2007-0078239 (2007.07.31) 문서열기
공고번호/일자
국제출원번호/일자
국제공개번호/일자
우선권정보
법적상태 취하
심사진행상태 수리
심판사항
구분
원출원번호/일자
관련 출원번호
심사청구여부/일자 N
심사청구항수 4

출원인

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번호 이름 국적 주소
1 재단법인서울대학교산학협력재단 대한민국 서울특별시 관악구

발명자

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번호 이름 국적 주소
1 이호영 대한민국 서울특별시 관악구
2 조성우 대한민국 서울 성동구

대리인

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번호 이름 국적 주소
1 김진원 대한민국 경기도 군포시 고산로 ***, ***호 진성국제특허법률사무소 (당정동, 맥시움빌딩)

최종권리자

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번호 서류명 접수/발송일자 처리상태 접수/발송번호
1 특허출원서
Patent Application		 2006.01.26 수리 (Accepted) 1-1-2006-0063378-52
2 보정요구서
Request for Amendment		 2006.02.06 발송처리완료 (Completion of Transmission) 1-5-2006-0017265-72
3 서지사항보정서
Amendment to Bibliographic items		 2006.02.14 수리 (Accepted) 1-1-2006-0106646-36
4 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2008.01.29 수리 (Accepted) 4-1-2008-5015497-73
5 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2014.08.22 수리 (Accepted) 4-1-2014-5100909-62
6 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2015.03.20 수리 (Accepted) 4-1-2015-5036045-28
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번호 청구항
1 1
실리콘, 산화막, 실리콘이 차례대로 적층된 하부 실리콘 기판을 준비하는 단계;상기 하부 실리콘 기판 상에 금속층, 비정질 실리콘막, 및 접착층을 형성하는 단계;상기 접착층, 비정질 실리콘막, 및 금속층을 선택적으로 식각하여 상기 하부 실리콘 기판을 노출시키는 단계;상기 하부 실리콘 기판 내에 미소기계소자를 형성하는 단계;상기 미소기계소자가 형성된 하부 실리콘 기판 상에 동공이 형성된 상부 글라스 기판을 진공챔버 내에서 정렬하는 단계; 및상기 상하부 기판을 열처리하여, 상기 금속층과 하부 실리콘 기판과 반응하여 제1 실리사이드를 형성하고, 상기 금속층과 비정질 실리콘막이 반응하여 제2 실리사이드를 형성하여 진공상태에서 상기 상하부 기판이 접착하는 단계를 포함하는 미소기계소자의 진공 실장 방법
2 2
제 1 항에 있어서,상기 금속층은 구리(Cu), 니켈(Ni), 코발트(Co), 티타늄(Ti), 텅스텐(W), Pt(백금), Hf(하프늄), Pd(팔라듐)의 금속 중에서 선택된 어느 하나의 금속인 것을 특징으로 미소기계소자의 진공 실장 방법
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제 1 항에 있어서,상기 열처리는 180℃ 내지 300℃의 범위에서 실시하는 것을 특징으로 하는 미소기계소자의 진공 실장 방법
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제 1 항에 있어서,상기 미소기계 소자는 자이로스코프, 가속도계, 광스위치, RF 스위치, 압력 센서 중에서 선택된 어느 하나인 것을 특징으로 하는 미소기계소자의 진공 실장방법
지정국 정보가 없습니다
패밀리정보가 없습니다
국가 R&D 정보가 없습니다.