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유기 전자 소자 및 그 제조방법

  • 기술번호 : KST2015159797
  • 담당센터 : 서울동부기술혁신센터
  • 전화번호 : 02-2155-3662
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요약, Int. CL, CPC, 출원번호/일자, 출원인, 등록번호/일자, 공개번호/일자, 공고번호/일자, 국제출원번호/일자, 국제공개번호/일자, 우선권정보, 법적상태, 심사진행상태, 심판사항, 구분, 원출원번호/일자, 관련 출원번호, 기술이전 희망, 심사청구여부/일자, 심사청구항수의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 서지정보 표입니다.
요약 본 발명은 유기물 층과 무기물 층, 특히 금속 층 사이 계면에서의 전기적 특성, 특히 접촉 저항이나 전하의 이동도 등을 향상시키기 위한 것으로, 전기 전도성 또는 반도체성 유기 물질로 구비된 제1층과, 상기 제1층과 콘택되고 전기 전도성 또는 반도체성 무기 물질로 구비된 제2층과, 상기 제1층과 상기 제2층의 사이에 개재된 계면층을 포함하고, 상기 계면층은 전기 전도성 또는 반도체성 유기 물질과 전기 전도성 또는 반도체성 무기 물질이 혼합된 유기 전자 소자 및 그 제조방법을 제공한다.
Int. CL H01L 29/786 (2006.01) H01L 51/05 (2006.01)
CPC H01L 51/105(2013.01) H01L 51/105(2013.01)
출원번호/일자 1020060138900 (2006.12.29)
출원인 삼성에스디아이 주식회사, 재단법인서울대학교산학협력재단
등록번호/일자 10-0805700-0000 (2008.02.14)
공개번호/일자
공고번호/일자 (20080221) 문서열기
국제출원번호/일자
국제공개번호/일자
우선권정보
법적상태 등록
심사진행상태 수리
심판사항
구분
원출원번호/일자
관련 출원번호
심사청구여부/일자 Y (2006.12.29)
심사청구항수 21

출원인

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번호 이름 국적 주소
1 삼성에스디아이 주식회사 대한민국 경기도 용인시 기흥구
2 재단법인서울대학교산학협력재단 대한민국 서울특별시 관악구

발명자

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번호 이름 국적 주소
1 이신두 대한민국 서울 동작구
2 배진혁 대한민국 대구 동구

대리인

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번호 이름 국적 주소
1 리앤목특허법인 대한민국 서울 강남구 언주로 **길 **, *층, **층, **층, **층(도곡동, 대림아크로텔)

최종권리자

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번호 이름 국적 주소
1 재단법인서울대학교산학협력재단 대한민국 서울특별시 관악구
2 삼성디스플레이 주식회사 경기 용인시 기흥구
번호, 서류명, 접수/발송일자, 처리상태, 접수/발송일자의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 행정처리 표입니다.
번호 서류명 접수/발송일자 처리상태 접수/발송번호
1 특허출원서
Patent Application		 2006.12.29 수리 (Accepted) 1-1-2006-0985478-90
2 선행기술조사의뢰서
Request for Prior Art Search		 2007.10.05 수리 (Accepted) 9-1-9999-9999999-89
3 선행기술조사보고서
Report of Prior Art Search		 2007.11.08 수리 (Accepted) 9-1-2007-0064712-76
4 등록결정서
Decision to grant		 2007.11.26 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2007-0628214-17
5 [출원인변경]권리관계변경신고서
[Change of Applicant] Report on Change of Proprietary Status		 2007.12.18 수리 (Accepted) 1-1-2007-0911334-02
6 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2008.01.29 수리 (Accepted) 4-1-2008-5015497-73
7 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2009.03.13 수리 (Accepted) 4-1-2009-5048186-86
8 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2010.05.22 수리 (Accepted) 4-1-2010-5090730-68
9 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2014.02.10 수리 (Accepted) 4-1-2014-5017230-44
10 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2014.08.22 수리 (Accepted) 4-1-2014-5100909-62
11 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2015.03.20 수리 (Accepted) 4-1-2015-5036045-28
번호, 청구항의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 청구항 표입니다.
번호 청구항
1 1
전기 전도성 또는 반도체성 유기 물질로 구비된 제1층;상기 제1층과 콘택되고 전기 전도성 또는 반도체성 무기 물질로 구비된 제2층; 및상기 제1층과 상기 제2층의 사이에 개재된 계면층;을 포함하고,상기 계면층은 전기 전도성 또는 반도체성 유기 물질과 전기 전도성 또는 반도체성 무기 물질이 혼합된 유기 전자 소자
2 2
제1항에 있어서,상기 계면층을 형성하는 유기 물질은 상기 제1층을 형성하는 유기 물질이고, 상기 계면층을 형성하는 무기 물질은 상기 제2층을 형성하는 무기 물질인 유기 전자 소자
3 3
제1항에 있어서,상기 계면층은 상기 유기 물질과 상기 무기 물질이 그 두께에 대한 농도구배를 갖도록 구비된 유기 전자 소자
4 4
제3항에 있어서,상기 농도구배는, 상기 유기 물질은 상기 제1층에 근접할수록 그 함량이 증가하고, 상기 무기 물질은 상기 제2층에 근접할수록 그 함량이 증가하는 유기 전자 소자
5 5
제1항에 있어서,상기 계면층은 상기 유기 물질과 상기 무기 물질이 층을 갖도록 구비된 유기 전자 소자
6 6
제1항 내지 제5항 중 어느 한 항에 있어서,상기 계면층을 형성하는 무기 물질은 금속 또는 그 화합물인 유기 전자 소자
7 7
제1항 내지 제5항 중 어느 한 항에 있어서,상기 계면층을 형성하는 무기 물질은 Ag, Mg, Al, Pt, Pd, Au, Ni, Nd, Ir, Cr, Li, Ca 또는 이들의 화합물 중 적어도 어느 하나를 포함하는 유기 전자 소자
8 8
제1항 내지 제5항 중 어느 한 항에 있어서,상기 계면층을 형성하는 무기 물질은 ITO(Indium tin Oxide), IZO(Indium Zinc Oxide), ZnO, 및 In2O3 중 적어도 어느 하나를 포함하는 유기 전자 소자
9 9
제1항 내지 제5항 중 어느 한 항에 있어서,상기 제1층과 전기적으로 절연된 게이트 전극을 더 포함하고,상기 제1층은 반도체성 유기 물질이며, 상기 제2층은 상기 게이트 전극과 절연된 소스 및 드레인 전극인 유기 전자 소자
10 10
제9항에 있어서,상기 반도체성 유기 물질은, 펜타센(pentacene), 테트라센(tetracene), 안트라센(anthracene), 나프탈렌(naphthalene), 알파-6-티오펜, 알파-4-티오펜, 페릴렌(perylene) 및 그 유도체, 루브렌(rubrene) 및 그 유도체, 코로넨(coronene) 및 그 유도체, 페릴렌테트라카르복실릭디이미드(perylene tetracarboxylic diimide) 및 그 유도체, 페릴렌테트라카르복실릭디안하이드라이드(perylene tetracarboxylic dianhydride) 및 그 유도체, 나프탈렌의 올리고아센 및 이들의 유도체, 알파-5-티오펜의 올리고티오펜 및 이들의 유도체, 금속을 함유하거나 함유하지 않은 프탈로시아닌(phthalocyanine) 및 이들의 유도체, 나프탈렌테트라카르복실릭디이미드(naphthalene tetracarboxylic diimide) 및 그 유도체, 나프탈렌테트라카르복실릭디안하이드라이드(naphthalene tetracarboxylic dianhydride) 및 그 유도체, 파이로멜리틱 디안하이드라이드 및 그 유도체, 파이로멜리틱 디이미드 및 이들의 유도체, 티오펜을 포함하는 공액계 고분자 및 그 유도체, 및 플루오렌을 포함하는 고분자 및 그 유도체 중 적어도 하나를 포함하는 유기 전자 소자
11 11
제1항 내지 제5항 중 어느 한 항에 있어서,상기 제1층은 발광층을 포함하는 유기 전자 소자
12 12
제1항 내지 제5항 중 어느 한 항에 있어서,상기 제1층은 구리 프탈로시아닌(CuPc: copper phthalocyanine), N,N-디(나프탈렌-1-일)-N,N'-디페닐-벤지딘 (N,N'-Di(naphthalene-1-yl)-N,N'-diphenyl-benzidine: NPB), 및 트리스-8-하이드록시퀴놀린 알루미늄(tris-8-hydroxyquinoline aluminum)(Alq3) 중 적어도 하나를 포함하는 유기 전자 소자
13 13
베이스 상에 전기 전도성 또는 반도체성 유기 물질로 제1층을 성막하는 단계; 및상기 제1층 상에 전기 전도성 또는 반도체성 무기 물질로 제2층을 성막하는 단계;를 포함하고,상기 제1층을 성막하는 단계와 상기 제2층을 성막하는 단계의 사이에는 전기 전도성 또는 반도체성 유기 물질과 전기 전도성 또는 반도체성 무기 물질이 혼합된 계면층을 성막하는 단계가 더 포함된 유기 전자 소자의 제조방법
14 14
베이스 상에 전기 전도성 또는 반도체성 무기 물질로 제2층을 성막하는 단계; 및상기 제2층 상에 전기 전도성 또는 반도체성 유기 물질로 제1층을 성막하는 단계;를 포함하고,상기 제2층을 성막하는 단계와 상기 제1층을 성막하는 단계의 사이에는 전기 전도성 또는 반도체성 무기 물질과 전기 전도성 또는 반도체성 유기 물질이 혼합된 계면층을 성막하는 단계가 더 포함된 유기 전자 소자의 제조방법
15 15
제13항 또는 제14항에 있어서,상기 계면층을 성막하는 단계는 상기 유기 물질과 상기 무기 물질을 동시에 형성하는 유기 전자 소자의 제조방법
16 16
제13항 또는 제14항에 있어서,상기 계면층을 성막하는 단계는 상기 유기 물질과 상기 무기 물질을 순차적으로 형성하는 유기 전자 소자의 제조방법
17 17
제16항에 있어서,상기 계면층을 성막하는 단계는 상기 유기 물질과 상기 무기 물질이 그 두께에 대한 농도구배를 갖도록 형성하는 유기 전자 소자의 제조방법
18 18
제17항에 있어서,상기 농도구배는, 상기 유기 물질은 상기 제1층에 근접할수록 그 함량이 증가하고, 상기 무기 물질은 상기 제2층에 근접할수록 그 함량이 증가하는 유기 전자 소자의 제조방법
19 19
제13항 또는 제14항에 있어서,상기 계면층을 성막하는 단계는 상기 유기 물질과 상기 무기 물질을 증착하여 형성하는 유기 전자 소자의 제조방법
20 20
제13항 또는 제14항에 있어서,상기 계면층을 성막하는 단계는 상기 유기 물질과 상기 무기 물질을 스핀 코팅으로 형성하는 유기 전자 소자의 제조방법
21 21
제13항 또는 제14항에 있어서,상기 계면층을 성막하는 단계는 상기 유기 물질과 상기 무기 물질을 졸-겔 법으로 형성하는 유기 전자 소자의 제조방법
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순번 패밀리번호 국가코드 국가명 종류
1 US08269211 US 미국 FAMILY
2 US20080157068 US 미국 FAMILY

DOCDB 패밀리 정보

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순번 패밀리번호 국가코드 국가명 종류
1 US2008157068 US 미국 DOCDBFAMILY
2 US8269211 US 미국 DOCDBFAMILY
국가 R&D 정보가 없습니다.