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박막트랜지스터 및 그 제조방법

  • 기술번호 : KST2015160563
  • 담당센터 : 서울동부기술혁신센터
  • 전화번호 : 02-2155-3662
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요약, Int. CL, CPC, 출원번호/일자, 출원인, 등록번호/일자, 공개번호/일자, 공고번호/일자, 국제출원번호/일자, 국제공개번호/일자, 우선권정보, 법적상태, 심사진행상태, 심판사항, 구분, 원출원번호/일자, 관련 출원번호, 기술이전 희망, 심사청구여부/일자, 심사청구항수의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 서지정보 표입니다.
요약 본 발명은 박막트랜지스터 및 그 제조방법에 관한 것으로, 결정립을 형성하고자 하는 채널영역의 반도체층 하부에 열전도도가 낮은 물질로 이루어진 열차단층을 형성하여 결정화를 위한 어닐링 공정시 수직으로의 열 전달을 억제하고 수평으로 열 전달이 이루어지도록 함으로써 커다란 측면 성장 결정립을 형성하는 기술이 개시되어 있다. 박막트랜지스터, 결정립, 엑시머 레이저, 열차단, 이중 게이트 전극
Int. CL H01L 29/786 (2006.01)
CPC
출원번호/일자 1020020065467 (2002.10.25)
출원인 재단법인서울대학교산학협력재단
등록번호/일자
공개번호/일자 10-2003-0069779 (2003.08.27) 문서열기
공고번호/일자
국제출원번호/일자
국제공개번호/일자
우선권정보 대한민국  |   1020020008777   |   2002.02.19
법적상태 거절
심사진행상태 수리
심판사항
구분
원출원번호/일자
관련 출원번호
심사청구여부/일자 Y (2002.10.25)
심사청구항수 13

출원인

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번호 이름 국적 주소
1 재단법인서울대학교산학협력재단 대한민국 서울특별시 관악구

발명자

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번호 이름 국적 주소
1 송인혁 대한민국 부산광역시사상구
2 한민구 대한민국 서울 강남구
3 김천홍 대한민국 서울특별시 관악구

대리인

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번호 이름 국적 주소
1 이건주 대한민국 서울 종로구 명륜동*가 ***-* 미화빌딩 이건주특허법률사무소

최종권리자

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번호 이름 국적 주소
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번호 서류명 접수/발송일자 처리상태 접수/발송번호
1 특허출원서
Patent Application		 2002.10.25 수리 (Accepted) 1-1-2002-0351400-54
2 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2004.07.13 수리 (Accepted) 4-1-2004-0029428-28
3 선행기술조사의뢰서
Request for Prior Art Search		 2004.08.12 수리 (Accepted) 9-1-9999-9999999-89
4 출원인변경신고서
Applicant change Notification		 2004.08.27 수리 (Accepted) 1-1-2004-5140075-22
5 선행기술조사보고서
Report of Prior Art Search		 2004.09.17 수리 (Accepted) 9-1-2004-0056306-06
6 의견제출통지서
Notification of reason for refusal		 2004.09.23 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2004-0398245-23
7 대리인 선임 신고서
Notification of assignment of agent		 2004.10.06 수리 (Accepted) 1-1-2004-0453393-50
8 거절결정서
Decision to Refuse a Patent		 2004.11.30 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2004-0510105-46
9 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2008.01.29 수리 (Accepted) 4-1-2008-5015497-73
10 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2014.08.22 수리 (Accepted) 4-1-2014-5100909-62
11 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2015.03.20 수리 (Accepted) 4-1-2015-5036045-28
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번호 청구항
1 1

절연기판;

예정된 채널 형성 영역의 상기 절연기판 상에 배치되고, 이후 어닐링 공정시 수직으로의 열 전달을 억제할 수 있을 정도로 열전도도가 낮은 물질로 이루어진 열차단층;

상기 절연기판 및 상기 열차단층 상에 형성되고 소스 영역, 드레인 영역 및 상기 소스 영역과 드레인 영역 사이에 상기 열차단층과 중첩되어 개재된 채널 영역을 갖는 반도체층;

채널 영역의 상기 반도체층 상에 형성된 절연층; 및

상기 절연층 상에 형성되고 상기 채널 영역과 중첩되는 게이트 전극을 포함하는 것을 특징으로 하는 박막트랜지스터

2 2

제 1항에 있어서, 상기 열차단층은 공기층으로 이루어진 것을 특징으로 하는 박막트랜지스터

3 3

제 1항에 있어서, 상기 게이트 전극은 이중 게이트 전극 구조로 이루어진 것을 특징으로 하는 박막트랜지스터

4 4

제 1항에 있어서, 채널 영역의 상기 반도체층은 3㎛ 이상의 측면성장 다결정 실리콘 결정립으로 이루어진 것을 특징으로 하는 박막트랜지스터

5 5

제 1항에 있어서, 상기 열차단층과 상기 반도체층간에 배치된 절연막을 더 포함하는 것을 특징으로 하는 박막트랜지스터

6 6

제 1항에 있어서, 상기 절연기판은

버퍼 절연층이 형성된 유리 또는 수정 웨이퍼인 것을 특징으로 하는 박막트랜지스터

7 7

절연기판을 형성하는 단계;

예정된 채널 형성 영역의 상기 절연기판 상에 희생패턴-상기 희생패턴에 의해 이후에 형성되는 층들은 채널 형성 영역에서 단차를 갖게 됨-을 형성하는 단계;

상기 구조 전체 상부에 절연층, 비정질 실리콘층, 보호막을 차례로 형성한 다음, 식각하여 활성층 패턴을 형성하는 단계;

상기 희생패턴을 제거하는 단계;

어닐링 공정을 진행하여 채널 형성 영역의 상기 비정질 실리콘을 결정화하여 다결정 실리콘 결정립을 형성하는 단계;

상기 보호막을 제거하는 단계;

상기 다결정 실리콘 결정립 상부에 게이트 절연층, 게이트를 형성하는 단계; 및

상기 게이트 절연층, 게이트를 마스크로 한 이온주입 및 열처리 공정을 진행하여 소스, 드레인을 형성하는 단계를 포함하여 이루어지는 것을 특징으로 하는 박막트랜지스터 제조방법

8 8

제 7항에 있어서, 상기 희생패턴은 습식식각법에 의해 선택적으로 제거될 수 있는 물질로 이루어진 것을 특징으로 하는 박막트랜지스터 제조방법

9 9

제 8항에 있어서, 상기 희생패턴은 금속패턴인 것을 특징으로 하는 박막트랜지스터 제조방법

10 10

제 7항에 있어서, 채널 형성 영역의 상기 비정질 실리콘을 결정화하여 다결정 실리콘 결정립을 형성하는 단계는

엑시머 레이저를 조사함으로써 이루어지는 것을 특징으로 하는 박막트랜지스터 제조방법

11 11

제 7항에 있어서, 상기 게이트는 이중 게이트 전극 구조로 이루어진 것을 특징으로 하는 박막트랜지스터 제조방법

12 12

절연기판을 형성하는 단계;

예정된 채널 형성 영역의 상기 절연기판 상에 이후 어닐링 공정시 수직으로의 열 전달을 억제할 수 있을 정도로 열전도도가 낮은 물질로 이루어진 열차단층을 형성하는 단계;

상기 구조 전체 상부에 절연층, 비정질 실리콘층, 보호막을 차례로 형성한 다음, 식각하여 활성층 패턴을 형성하는 단계;

어닐링 공정을 진행하여 채널 형성 영역의 상기 비정질 실리콘을 결정화하여 다결정 실리콘 결정립을 형성하는 단계;

상기 보호막을 제거하는 단계;

상기 다결정 실리콘 결정립 상부에 게이트 절연층, 게이트를 형성하는 단계; 및

상기 게이트 절연층, 게이트를 마스크로 한 이온주입 및 열처리 공정을 진행하여 소스, 드레인을 형성하는 단계를 포함하여 이루어지는 것을 특징으로 하는 박막트랜지스터 제조방법

13 13

제 12항에 있어서, 상기 열차단층은 절연층인 것을 특징으로 하는 박막트랜지스터 제조방법

지정국 정보가 없습니다
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1 US20030155572 US 미국 FAMILY

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1 US2003155572 US 미국 DOCDBFAMILY
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