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박막 트랜지스터, 그의 제조 방법 및 박막 트랜지스터를구비하는 평판 표시 장치
- 기술번호 : KST2015160840
- 담당센터 : 서울동부기술혁신센터
- 전화번호 : 02-2155-3662
| 요약 | 본 발명은 LDD(Lightly Doped Drain) 구조를 갖는 폴리실리콘 박막 트랜지스터, 그의 제조 방법 및 박막 트랜지스터를 구비하는 평판 표시 장치에 관한 것으로, 기판 상에 반도체층을 형성하는 단계, 반도체층을 포함하는 전체 면에 게이트 절연막을 형성하는 단계, 반도체층 상부의 게이트 절연막 상에 양측부에 일정 간격으로 개구부가 형성된 게이트 전극을 형성하는 단계, 개구부를 통해 노출되는 반도체층의 일부에 제 1 불순물 영역을 형성하고, 게이트 전극 양측부의 반도체층에 제 2 불순물 영역을 형성하는 단계, 제 1 불순물 영역에 주입된 불순물을 확산시키는 단계를 포함한다.박막 트랜지스터, 게이트, 자기 정렬, LDD, 경사이온주입 |
|---|---|
| Int. CL | H01L 29/786 (2006.01) |
| CPC | H01L 29/42384(2013.01) H01L 29/42384(2013.01) H01L 29/42384(2013.01) |
| 출원번호/일자 | 1020060121695 (2006.12.04) |
| 출원인 | 삼성에스디아이 주식회사, 재단법인서울대학교산학협력재단, 한민구 |
| 등록번호/일자 | 10-0769433-0000 (2007.10.16) |
| 공개번호/일자 | |
| 공고번호/일자 | (20071022) 문서열기 |
| 국제출원번호/일자 | |
| 국제공개번호/일자 | |
| 우선권정보 | |
| 법적상태 | 등록 |
| 심사진행상태 | 수리 |
| 심판사항 | |
| 구분 | |
| 원출원번호/일자 | |
| 관련 출원번호 | |
| 심사청구여부/일자 | Y (2006.12.04) |
| 심사청구항수 | 33 |
출원인
| 번호 | 이름 | 국적 | 주소 |
|---|---|---|---|
| 1 | 삼성에스디아이 주식회사 | 대한민국 | 경기도 용인시 기흥구 |
| 2 | 재단법인서울대학교산학협력재단 | 대한민국 | 서울특별시 관악구 |
| 3 | 한민구 | 대한민국 | 서울특별시 강남구 |
발명자
| 번호 | 이름 | 국적 | 주소 |
|---|---|---|---|
| 1 | 한민구 | 대한민국 | 서울 강남구 |
| 2 | 한상면 | 대한민국 | 서울시 동작구 |
대리인
| 번호 | 이름 | 국적 | 주소 |
|---|---|---|---|
| 1 | 신영무 | 대한민국 | 서울특별시 강남구 영동대로 ***(대치동) KT&G타워 *층(에스앤엘파트너스) |
최종권리자
| 번호 | 이름 | 국적 | 주소 |
|---|---|---|---|
| 1 | 재단법인서울대학교산학협력재단 | 대한민국 | 서울특별시 관악구 |
| 2 | 삼성디스플레이 주식회사 | 경기 용인시 기흥구 |
| 번호 | 서류명 | 접수/발송일자 | 처리상태 | 접수/발송번호 |
|---|---|---|---|---|
| 1 | 특허출원서 Patent Application |
2006.12.04 | 수리 (Accepted) | 1-1-2006-0898845-24 |
| 2 | 등록결정서 Decision to grant |
2007.09.22 | 발송처리완료 (Completion of Transmission) | 9-5-2007-0518185-78 |
| 3 | 출원인정보변경(경정)신고서 Notification of change of applicant's information |
2008.01.29 | 수리 (Accepted) | 4-1-2008-5015497-73 |
| 4 | 출원인정보변경(경정)신고서 Notification of change of applicant's information |
2009.03.13 | 수리 (Accepted) | 4-1-2009-5048186-86 |
| 5 | 출원인정보변경(경정)신고서 Notification of change of applicant's information |
2010.05.22 | 수리 (Accepted) | 4-1-2010-5090730-68 |
| 6 | 출원인정보변경(경정)신고서 Notification of change of applicant's information |
2014.02.10 | 수리 (Accepted) | 4-1-2014-5017230-44 |
| 7 | 출원인정보변경(경정)신고서 Notification of change of applicant's information |
2014.08.22 | 수리 (Accepted) | 4-1-2014-5100909-62 |
| 8 | 출원인정보변경(경정)신고서 Notification of change of applicant's information |
2015.03.20 | 수리 (Accepted) | 4-1-2015-5036045-28 |
| 번호 | 청구항 |
|---|---|
| 1 |
1 기판 상에 형성된 반도체층,게이트 절연막에 의해 상기 반도체층과 절연되며, 양측부에 일정 간격으로 개구부가 형성된 게이트 전극,상기 개구부를 통해 노출되는 상기 반도체층에 형성된 제 1 불순물 영역,상기 게이트 전극 양측의 상기 반도체층에 각각 형성된 제 2 불순물 영역을 포함하는 박막 트랜지스터 |
| 2 |
2 제 1 항에 있어서, 상기 기판과 상기 반도체층 사이에 형성된 버퍼층을 더 포함하는 박막 트랜지스터 |
| 3 |
3 제 1 항에 있어서, 상기 개구부가 대칭 구조로 형성된 박막 트랜지스터 |
| 4 |
4 제 1 항에 있어서, 상기 개구부가 비대칭 구조로 형성된 박막 트랜지스터 |
| 5 |
5 제 1 항에 있어서, 상기 제 2 불순물 영역의 불순물 농도가 상기 제 1 불순물 영역보다 높은 박막 트랜지스터 |
| 6 |
6 기판 상에 반도체층을 형성하는 단계,상기 반도체층을 포함하는 전체 면에 게이트 절연막을 형성하는 단계,상기 반도체층 상부의 게이트 절연막 상에 양측부에 일정 간격으로 개구부가 형성된 게이트 전극을 형성하는 단계,상기 개구부를 통해 노출되는 반도체층의 일부에 제 1 불순물 영역을 형성하고, 상기 게이트 전극 양측부의 반도체층에 제 2 불순물 영역을 형성하는 단계,상기 제 1 불순물 영역에 주입된 불순물을 확산시키는 단계를 포함하는 박막 트랜지스터의 제조 방법 |
| 7 |
7 제 6 항에 있어서, 상기 개구부가 대칭 구조로 형성된 박막 트랜지스터의 제조 방법 |
| 8 |
8 제 6 항에 있어서, 상기 개구부가 비대칭 구조로 형성된 박막 트랜지스터의 제조 방법 |
| 9 |
9 제 6 항에 있어서, 상기 제 1 및 제 2 불순물 영역을 상기 게이트 전극을 자기 정렬 마스크로 이용한 경사이온주입 공정으로 형성하는 박막 트랜지스터의 제조 방법 |
| 10 |
10 제 6 항에 있어서, 상기 제 1 불순물 영역의 불순물을 확산시키기 위해 레이저 열처리를 이용하는 박막 트랜지스터의 제조 방법 |
| 11 |
11 기판 상에 반도체층을 형성하는 단계,상기 반도체층을 포함하는 전체 면에 게이트 절연막을 형성하는 단계,상기 반도체층 상부의 게이트 절연막 상에 양측부에 일정 간격으로 개구부가 형성된 게이트 전극을 형성하는 단계,상기 게이트 전극 양측부의 반도체층에 제 1 불순물 영역을 형성하는 단계,상기 개구부를 통해 노출되는 반도체층에 제 2 불순물 영역을 형성하는 단계를 포함하는 박막 트랜지스터의 제조 방법 |
| 12 |
12 제 11 항에 있어서, 상기 개구부가 대칭 구조로 형성된 박막 트랜지스터의 제조 방법 |
| 13 |
13 제 11 항에 있어서, 상기 개구부가 비대칭 구조로 형성된 박막 트랜지스터의 제조 방법 |
| 14 |
14 제 11 항에 있어서, 상기 제 1 불순물 영역을 상기 게이트 전극을 자기 정렬 마스크로 이용한 경사이온주입 공정으로 형성하는 박막 트랜지스터의 제조 방법 |
| 15 |
15 제 11 항에 있어서, 상기 제 1 불순물 영역의 불순물 농도가 상기 제 2 불순물 영역보다 높은 박막 트랜지스터의 제조 방법 |
| 16 |
16 제 11 항에 있어서, 상기 제 2 불순물 영역에 주입된 불순물을 확산시키는 단계를 더 포함하는 박막 트랜지스터의 제조 방법 |
| 17 |
17 제 16 항에 있어서, 상기 제 1 불순물 영역의 불순물을 확산시키기 위해 레이저 열처리 또는 반응로 열처리를 이용하는 박막 트랜지스터의 제조 방법 |
| 18 |
18 기판 상에 반도체층을 형성하는 단계,상기 반도체층을 포함하는 전체 면에 게이트 절연막을 형성하는 단계,상기 반도체층 상부의 게이트 절연막 상에 양측부에 일정 간격으로 개구부가 형성된 게이트 전극을 형성하는 단계,상기 게이트 전극 양측부의 반도체층에 제 1 불순물 영역을 형성하는 단계,상기 개구부가 제거되도록 상기 게이트 전극의 측면을 식각하는 단계,상기 게이트 전극 양측의 상기 반도체층에 제 2 불순물 영역을 형성하는 단계를 포함하는 박막 트랜지스터의 제조 방법 |
| 19 |
19 제 18 항에 있어서, 상기 제 1 불순물 영역을 상기 게이트 전극을 자기 정렬 마스크로 이용한 경사이온주입 공정으로 형성하는 박막 트랜지스터의 제조 방법 |
| 20 |
20 제 18 항에 있어서, 상기 제 1 불순물 영역의 불순물 농도가 상기 제 2 불순물 영역보다 높은 박막 트랜지스터의 제조 방법 |
| 21 |
21 제 18 항에 있어서, 상기 제 2 불순물 영역을 이온 주입 공정으로 형성하는 박막 트랜지스터의 제조 방법 |
| 22 |
22 제 18 항에 있어서, 상기 제 2 불순물 영역이 상기 제 1 불순물 영역에 주입된 불순물의 수평(측면) 확산에 의해 형성되도록 하는 박막 트랜지스터의 제조 방법 |
| 23 |
23 제 22 항에 있어서, 상기 제 1 불순물 영역의 불순물을 확산시키기 위해 레이저 열처리 또는 반응로 열처리를 이용하는 박막 트랜지스터의 제조 방법 |
| 24 |
24 다수의 제 1 도전선과 제 2 도전선에 의해 다수의 화소가 정의되고, 각 화소로 공급되는 신호를 제어하는 박막 트랜지스터 및 박막 트랜지스터와 연결된 제 1 전극이 형성된 제 1 기판,제 2 전극이 형성된 제 2 기판,상기 제 1 전극과 제 2 전극 사이의 밀봉된 공간에 주입된 액정층을 포함하며, 상기 박막 트랜지스터는 상기 제 1 기판 상에 형성된 반도체층,게이트 절연막에 의해 상기 반도체층과 절연되며, 양측부에 일정 간격으로 개구부가 형성된 게이트 전극,상기 개구부를 통해 노출되는 상기 반도체층에 형성된 제 1 불순물 영역,상기 게이트 전극 양측의 상기 반도체층에 각각 형성된 제 2 불순물 영역을 포함하는 박막 트랜지스터를 구비하는 평판 표시 장치 |
| 25 |
25 제 24 항에 있어서, 상기 개구부가 대칭 구조로 형성된 박막 트랜지스터를 구비하는 평판 표시 장치 |
| 26 |
26 제 24 항에 있어서, 상기 개구부가 비대칭 구조로 형성된 박막 트랜지스터를 구비하는 평판 표시 장치 |
| 27 |
27 제 24 항에 있어서, 상기 제 2 불순물 영역의 불순물 농도가 상기 제 1 불순물 영역보다 높은 박막 트랜지스터를 구비하는 평판 표시 장치 |
| 28 |
28 제 24 항의 평판 표시 장치를 포함하는 휴대용 전자 기기 |
| 29 |
29 제 1 전극, 유기 박막층 및 제 2 전극으로 이루어진 유기전계발광 소자와, 상기 유기전계발광 소자의 동작을 제어하기 위한 박막 트랜지스터가 형성된 제 1 기판, 상기 제 1 기판에 대향되도록 배치된 제 2 기판을 포함하며,상기 박막 트랜지스터는 상기 제 1 기판 상에 형성된 반도체층,게이트 절연막에 의해 상기 반도체층과 절연되며, 양측부에 일정 간격으로 개구부가 형성된 게이트 전극,상기 개구부를 통해 노출되는 상기 반도체층에 형성된 제 1 불순물 영역,상기 게이트 전극 양측의 상기 반도체층에 각각 형성된 제 2 불순물 영역을 포함하는 박막 트랜지스터를 구비하는 평판 표시 장치 |
| 30 |
30 제 29 항에 있어서, 상기 개구부가 대칭 구조로 형성된 박막 트랜지스터를 구비하는 평판 표시 장치 |
| 31 |
31 제 29 항에 있어서, 상기 개구부가 비대칭 구조로 형성된 박막 트랜지스터를 구비하는 평판 표시 장치 |
| 32 |
32 제 29 항에 있어서, 상기 제 2 불순물 영역의 불순물 농도가 상기 제 1 불순물 영역보다 높은 박막 트랜지스터를 구비하는 평판 표시 장치 |
| 33 |
33 제 29 항의 평판 표시 장치를 포함하는 휴대용 전자 기기 |
| 지정국 정보가 없습니다 |
|---|
| 패밀리정보가 없습니다 |
|---|
| 국가 R&D 정보가 없습니다. |
|---|
| 공개전문 정보가 없습니다 |
|---|
- 본 등록정보는 참고용으로 법적증빙자료로 사용할 수 없습니다.
- 데이터 이관에 따른 소요기간(1일)으로 인하여 등록원부와 일부 차이가 발생할 수 있으며, 일부 정보(부기, 상세 주소 등)를 제공하지 않고 있습니다.
- 법적증빙자료로 활용하시거나 더 자세한 정보를 보시려면 등록원부를 발급받아 사용하시기 바랍니다.
| 특허 등록번호 | 10-0769433-0000 |
|---|
권리란
| 표시번호 | 사항 |
|---|---|
| 1 |
출원 연월일 : 20061204 출원 번호 : 1020060121695 공고 연월일 : 20071022 공고 번호 : 특허결정(심결)연월일 : 20070922 청구범위의 항수 : 33 유별 : H01L 29/786 발명의 명칭 : 박막 트랜지스터, 그의 제조 방법 및 박막 트랜지스터를구비하는 평판 표시 장치 존속기간(예정)만료일 : |
특허권자란
| 순위번호 | 사항 |
|---|---|
| 1 |
(권리자) 재단법인서울대학교산학협력재단 서울특별시 관악구... |
| 1 |
(권리자) 한민구 서울 강남구... |
| 1 |
(권리자) 삼성에스디아이 주식회사 경기 수원시 영통구... |
| 2 |
(말소권자) 한민구 서울특별시 강남구... |
| 3 |
(권리자) 삼성모바일디스플레이 주식회사 경기도 용인시 기흥구... |
| 3 |
(의무자) 삼성에스디아이 주식회사 경기 수원시 영통구... |
| 4 |
(의무자) 삼성모바일디스플레이 주식회사 경기도 용인시 기흥구... |
| 4 |
(권리자) 삼성디스플레이 주식회사 경기 용인시 기흥구... |
등록료란
| 제 1 - 3 년분 | 금 액 | 1,863,000 원 | 2007년 10월 16일 | 납입 |
| 제 4 년분 | 금 액 | 766,000 원 | 2010년 09월 27일 | 납입 |
| 제 5 년분 | 금 액 | 766,000 원 | 2011년 09월 29일 | 납입 |
| 제 6 년분 | 금 액 | 766,000 원 | 2012년 10월 08일 | 납입 |
| 제 7 년분 | 금 액 | 1,354,000 원 | 2013년 09월 30일 | 납입 |
| 제 8 년분 | 금 액 | 1,354,000 원 | 2014년 10월 01일 | 납입 |
| 제 9 년분 | 금 액 | 1,354,000 원 | 2015년 09월 30일 | 납입 |
| 제 10 년분 | 금 액 | 2,055,000 원 | 2016년 09월 30일 | 납입 |
| 제 11 년분 | 금 액 | 2,055,000 원 | 2017년 09월 28일 | 납입 |
| 제 12 년분 | 금 액 | 2,055,000 원 | 2018년 10월 01일 | 납입 |
| 제 13 년분 | 금 액 | 2,175,000 원 | 2019년 10월 01일 | 납입 |
| 제 14 년분 | 금 액 | 2,175,000 원 | 2020년 10월 05일 | 납입 |
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| 번호 | 서류명 | 접수/발송일자 | 처리상태 | 접수/발송번호 |
|---|---|---|---|---|
| 1 | 특허출원서 | 2006.12.04 | 수리 (Accepted) | 1-1-2006-0898845-24 |
| 2 | 등록결정서 | 2007.09.22 | 발송처리완료 (Completion of Transmission) | 9-5-2007-0518185-78 |
| 3 | 출원인정보변경(경정)신고서 | 2008.01.29 | 수리 (Accepted) | 4-1-2008-5015497-73 |
| 4 | 출원인정보변경(경정)신고서 | 2009.03.13 | 수리 (Accepted) | 4-1-2009-5048186-86 |
| 5 | 출원인정보변경(경정)신고서 | 2010.05.22 | 수리 (Accepted) | 4-1-2010-5090730-68 |
| 6 | 출원인정보변경(경정)신고서 | 2014.02.10 | 수리 (Accepted) | 4-1-2014-5017230-44 |
| 7 | 출원인정보변경(경정)신고서 | 2014.08.22 | 수리 (Accepted) | 4-1-2014-5100909-62 |
| 8 | 출원인정보변경(경정)신고서 | 2015.03.20 | 수리 (Accepted) | 4-1-2015-5036045-28 |
| 기술정보가 없습니다 |
|---|
| 과제고유번호 | 1410056527 |
|---|---|
| 세부과제번호 | F0004100-2006-22 |
| 연구과제명 | 유리기판상에Single-Crystal-Likepoly-SiTFT제작및Sensor내장한ASD제품기술개발 |
| 성과구분 | 출원 |
| 부처명 | 지식경제부 |
| 연구관리전문기관명 | 한국산업기술평가원 |
| 연구주관기관명 | 삼성SDI |
| 성과제출연도 | 2006 |
| 연구기간 | 200504~200803 |
| 기여율 | 1 |
| 연구개발단계명 | 개발연구 |
| 6T분류명 | IT(정보기술) |
| 과제고유번호 | 1415079520 |
|---|---|
| 세부과제번호 | F0004100-2007-23 |
| 연구과제명 | 유리기판상에Single-Crystal-Likepoly-SiTFT제작및Sensor내장한ASD제품기술개발 |
| 성과구분 | 등록 |
| 부처명 | 지식경제부 |
| 연구관리전문기관명 | 한국산업기술평가원 |
| 연구주관기관명 | 삼성SDI |
| 성과제출연도 | 2007 |
| 연구기간 | 200506~200803 |
| 기여율 | 1 |
| 연구개발단계명 | 응용연구 |
| 6T분류명 | IT(정보기술) |
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