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고품위 유연 투명 전극 제작 방법 및 이를 이용하여 제작된 고품위 유연 투명 전극

  • 기술번호 : KST2015166701
  • 담당센터 : 서울동부기술혁신센터
  • 전화번호 : 02-2155-3662
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요약, Int. CL, CPC, 출원번호/일자, 출원인, 등록번호/일자, 공개번호/일자, 공고번호/일자, 국제출원번호/일자, 국제공개번호/일자, 우선권정보, 법적상태, 심사진행상태, 심판사항, 구분, 원출원번호/일자, 관련 출원번호, 기술이전 희망, 심사청구여부/일자, 심사청구항수의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 서지정보 표입니다.
요약 본 발명은 고품위 유연 투명 전극 제작 방법 및 이를 이용하여 제작된 고품위 유연 투명 전극에 관한 것으로, 별도의 모재 기판과 희생층을 이용하여 투명 전극을 형성한 후, 투명 전극에 유연 기판을 형성하고 희생층을 에칭 작업을 통해 제거하는 방식으로 제작 과정을 구성함으로써, 유연 기판 및 투명 전극의 균열이나 손상 없이 투명 전극에 대한 고온의 열처리 공정을 수행할 수 있어 전기적 특성 및 투과율이 향상되는 고품위의 유연 투명 전극을 제작할 수 있고, 제작 비용이 저렴하고 제작 시설 규모를 소규모화할 수 있으며 신속하고 편리한 제작 공정이 가능한 고품위 유연 투명 전극 제작 방법 및 이를 이용하여 제작된 고품위 유연 투명 전극을 제공한다.
Int. CL H01B 13/00 (2006.01) H01B 5/14 (2006.01)
CPC H01L 31/022466(2013.01) H01L 31/022466(2013.01) H01L 31/022466(2013.01) H01L 31/022466(2013.01)
출원번호/일자 1020120105934 (2012.09.24)
출원인 경희대학교 산학협력단, 공주대학교 산학협력단
등록번호/일자 10-1383488-0000 (2014.04.02)
공개번호/일자 10-2014-0039595 (2014.04.02) 문서열기
공고번호/일자 (20140408) 문서열기
국제출원번호/일자
국제공개번호/일자
우선권정보
법적상태 소멸
심사진행상태 수리
심판사항
구분 신규
원출원번호/일자
관련 출원번호
심사청구여부/일자 Y (2012.09.24)
심사청구항수 9

출원인

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번호 이름 국적 주소
1 경희대학교 산학협력단 대한민국 경기도 용인시 기흥구
2 공주대학교 산학협력단 대한민국 충청남도 공주시

발명자

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번호 이름 국적 주소
1 김한기 대한민국 경기 수원시 영통구
2 강신비 대한민국 서울 서대문구
3 김지훈 대한민국 서울 서초구

대리인

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번호 이름 국적 주소
1 서재승 대한민국 서울특별시 강남구 봉은사로 ***-*(논현동) ***호(스카이국제특허사무소)

최종권리자

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번호 이름 국적 주소
1 경희대학교 산학협력단 경기도 용인시 기흥구
2 공주대학교 산학협력단 충청남도 공주시
번호, 서류명, 접수/발송일자, 처리상태, 접수/발송일자의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 행정처리 표입니다.
번호 서류명 접수/발송일자 처리상태 접수/발송번호
1 [특허출원]특허출원서
[Patent Application] Patent Application		 2012.09.24 수리 (Accepted) 1-1-2012-0774395-13
2 선행기술조사의뢰서
Request for Prior Art Search		 2013.05.03 수리 (Accepted) 9-1-9999-9999999-89
3 선행기술조사보고서
Report of Prior Art Search		 2013.06.05 수리 (Accepted) 9-1-2013-0041501-63
4 의견제출통지서
Notification of reason for refusal		 2013.08.07 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2013-0546464-10
5 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2013.09.06 수리 (Accepted) 4-1-2013-5121903-91
6 [명세서등 보정]보정서
[Amendment to Description, etc.] Amendment		 2013.10.07 보정승인간주 (Regarded as an acceptance of amendment) 1-1-2013-0904966-79
7 [거절이유 등 통지에 따른 의견]의견(답변, 소명)서
[Opinion according to the Notification of Reasons for Refusal] Written Opinion(Written Reply, Written Substantiation)		 2013.10.07 수리 (Accepted) 1-1-2013-0904967-14
8 [출원서등 보정]보정서
[Amendment to Patent Application, etc.] Amendment		 2013.10.10 수리 (Accepted) 1-1-2013-0916269-90
9 등록결정서
Decision to grant		 2014.01.17 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2014-0038783-77
10 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2014.03.04 수리 (Accepted) 4-1-2014-5027196-68
11 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2015.03.09 수리 (Accepted) 4-1-2015-5029677-09
12 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2019.08.19 수리 (Accepted) 4-1-2019-5164254-26
13 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2020.02.18 수리 (Accepted) 4-1-2020-5036312-87
14 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2020.06.23 수리 (Accepted) 4-1-2020-5136814-18
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번호 청구항
1 1
모재 기판을 준비하는 준비 단계;상기 모재 기판 표면에 금속 성분을 성막하여 희생층을 형성하는 희생층 형성 단계;상기 희생층 표면에 투명 전극을 형성하는 투명 전극 형성 단계;상기 투명 전극 표면에 유연 기판 소재를 코팅한 후 건조하여 유연 기판을 형성하는 유연 기판 형성 단계; 및상기 희생층을 에칭 작업을 통해 제거하는 희생층 제거 단계를 포함하고, 상기 희생층 제거 단계를 통해 상기 희생층이 제거됨으로써, 상기 유연 기판 및 투명 전극이 상호 결합된 상태에서 상기 모재 기판과 분리되어 유연 투명 전극이 형성되는 것을 특징으로 하는 고품위 유연 투명 전극 제작 방법
2 2
제 1 항에 있어서,상기 투명 전극 형성 단계는상기 희생층 표면에 상기 투명 전극을 성막하는 성막 단계; 및상기 성막 단계를 통해 성막된 투명 전극에 열처리 공정을 수행하는 열처리 단계를 포함하는 것을 특징으로 하는 고품위 유연 투명 전극 제작 방법
3 3
제 2 항에 있어서,상기 모재 기판은 고온의 열처리 공정이 가능한 재질로 적용되는 것을 특징으로 하는 고품위 유연 투명 전극 제작 방법
4 4
삭제
5 5
제 1 항에 있어서,상기 희생층을 형성하는 금속은 상기 투명 전극과 반응하지 않는 금속 물질로 적용되는 것을 특징으로 하는 고품위 유연 투명 전극 제작 방법
6 6
제 5 항에 있어서,상기 금속 물질은 은(Ag)을 포함하는 것을 특징으로 하는 고품위 유연 투명 전극 제작 방법
7 7
제 2 항에 있어서,상기 유연 기판 소재는 수지액 형태로 상기 투명 전극에 코팅되며, CPI, PET, PEN, PES, PC, PI 중 어느 하나의 고분자 물질로 적용되는 것을 특징으로 하는 고품위 유연 투명 전극 제작 방법
8 8
제 1 항 내지 제 3 항 및 제 5 항 내지 제 7 항 중 어느 한 항에 있어서,상기 희생층 제거 단계는상기 모재 기판에 상기 희생층, 투명 전극 및 유연 기판이 형성된 상태에서 상기 모재 기판을 별도의 에칭 용액에 함침시켜 상기 희생층을 제거하는 방식으로 수행되는 것을 특징으로 하는 고품위 유연 투명 전극 제작 방법
9 9
제 8 항에 있어서,상기 희생층은 은(Ag)을 포함하는 금속층으로 형성되고, 상기 에칭 용액은 상기 금속층을 에칭할 수 있는 요오드 용액으로 적용되는 것을 특징으로 하는 고품위 유연 투명 전극 제작 방법
10 10
제 1 항 내지 제 3 항 및 제 5 항 내지 제 7 항 중 어느 하나의 제작 방법에 의해 제작된 고품위 유연 투명 전극
지정국 정보가 없습니다
패밀리정보가 없습니다
국가 R&D 정보가 없습니다.