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우수한 내식성을 가지는 발광다이오드 소자 및 그 제조방법

  • 기술번호 : KST2015170242
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요약, Int. CL, CPC, 출원번호/일자, 출원인, 등록번호/일자, 공개번호/일자, 공고번호/일자, 국제출원번호/일자, 국제공개번호/일자, 우선권정보, 법적상태, 심사진행상태, 심판사항, 구분, 원출원번호/일자, 관련 출원번호, 기술이전 희망, 심사청구여부/일자, 심사청구항수의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 서지정보 표입니다.
요약 본 발명은 우수한 내식성을 가지는 발광다이오드 소자 및 그 제조방법에 관한 것으로서, 보다 상세하게는 발광다이오드의 광추출 효율을 향상시키기 위한 습식 식각 공정에서 견딜 수 있도록 우수한 내식성을 가지는 발광다이오드 소자 및 그 제조방법에 관한 것이다.본 발명의 일측면에 다른 발광다이오드 소자의 제조방법은 평탄화 기판과 발광다이오드를 준비하는 단계; 상기 평탄화 기판과 상기 발광다이오드를 접합하여 발광다이오드 소자를 얻는 단계; 및 상기 발광다이오드가 접합된 상기 평탄화 기판의 외부에 노출된 표면에 보호막을 형성하는 단계를 포함할 수 있다.
Int. CL H01L 33/44 (2010.01)
CPC H01L 33/44(2013.01) H01L 33/44(2013.01)
출원번호/일자 1020130025068 (2013.03.08)
출원인 주식회사 포스코, 포항공과대학교 산학협력단
등록번호/일자 10-1439749-0000 (2014.09.02)
공개번호/일자
공고번호/일자 (20140917) 문서열기
국제출원번호/일자
국제공개번호/일자
우선권정보
법적상태 등록
심사진행상태 수리
심판사항
구분 신규
원출원번호/일자
관련 출원번호
심사청구여부/일자 Y (2013.03.08)
심사청구항수 9

출원인

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번호 이름 국적 주소
1 주식회사 포스코 대한민국 경상북도 포항시 남구
2 포항공과대학교 산학협력단 대한민국 경상북도 포항시 남구

발명자

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번호 이름 국적 주소
1 이종람 대한민국 경상북도 포항시 남구
2 송양희 대한민국 경기 광명시 광덕산로 **, *
3 김진유 대한민국 경북 포항시 남구
4 김경준 대한민국 경상북도 포항시 남구

대리인

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번호 이름 국적 주소
1 특허법인씨엔에스 대한민국 서울 강남구 언주로 **길 **, 대림아크로텔 *층(도곡동)

최종권리자

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번호 이름 국적 주소
1 주식회사 포스코 경상북도 포항시 남구
2 포항공과대학교 산학협력단 경상북도 포항시 남구
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번호 서류명 접수/발송일자 처리상태 접수/발송번호
1 [특허출원]특허출원서
[Patent Application] Patent Application		 2013.03.08 수리 (Accepted) 1-1-2013-0205079-34
2 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2013.06.13 수리 (Accepted) 4-1-2013-0025573-58
3 의견제출통지서
Notification of reason for refusal		 2014.01.28 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2014-0072010-01
4 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2014.02.25 수리 (Accepted) 4-1-2014-5024386-11
5 [거절이유 등 통지에 따른 의견]의견(답변, 소명)서
[Opinion according to the Notification of Reasons for Refusal] Written Opinion(Written Reply, Written Substantiation)		 2014.03.28 수리 (Accepted) 1-1-2014-0302095-08
6 [명세서등 보정]보정서
[Amendment to Description, etc.] Amendment		 2014.03.28 보정승인간주 (Regarded as an acceptance of amendment) 1-1-2014-0302096-43
7 의견제출통지서
Notification of reason for refusal		 2014.05.14 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2014-0326270-90
8 [명세서등 보정]보정서
[Amendment to Description, etc.] Amendment		 2014.07.14 보정승인간주 (Regarded as an acceptance of amendment) 1-1-2014-0657747-94
9 [거절이유 등 통지에 따른 의견]의견(답변, 소명)서
[Opinion according to the Notification of Reasons for Refusal] Written Opinion(Written Reply, Written Substantiation)		 2014.07.14 수리 (Accepted) 1-1-2014-0657746-48
10 등록결정서
Decision to grant		 2014.07.28 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2014-0511147-77
11 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2018.04.30 수리 (Accepted) 4-1-2018-5077322-80
12 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2019.09.25 수리 (Accepted) 4-1-2019-5200802-82
13 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2019.09.30 수리 (Accepted) 4-1-2019-5204006-48
14 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2019.11.20 수리 (Accepted) 4-1-2019-5243581-27
15 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2019.11.22 수리 (Accepted) 4-1-2019-5245997-53
16 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2019.11.25 수리 (Accepted) 4-1-2019-5247115-68
번호, 청구항의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 청구항 표입니다.
번호 청구항
1 1
평탄화 기판과 발광다이오드를 준비하는 단계;상기 평탄화 기판과 상기 발광다이오드를 접합하여 발광다이오드 소자를 얻는 단계; 및상기 발광다이오드가 접합된 상기 평탄화 기판의 외부에 노출된 표면에 보호막을 형성하는 단계를 포함하고,상기 평탄화 기판은 평탄화된 표면으로부터 제1 결합층, 배리어 층, 제2 결합층 및 접합층을 순차적으로 포함하는 발광다이오드 소자의 제조방법
2 2
제 1 항에 있어서, 상기 보호막을 형성하는 단계 이전에 상기 평탄화 기판의 외부에 노출된 표면에 결합층을 형성하는 단계를 더 포함하는 발광다이오드 소자의 제조방법
3 3
제 1 항 또는 제 2 항에 있어서, 상기 보호막은 금(Au), 백금(Pt), 팔라듐(Pd), 몰리브데늄(Mo) 또는 이들을 포함하는 합금인 발광다이오드 소자의 제조방법
4 4
제 3 항에 있어서, 상기 보호막의 두께는 50~500nm인 발광다이오드 소자의 제조방법
5 5
제 2 항에 있어서, 상기 보호막 형성 단계 이전에 형성된 결합층은 Ti, Cr, Ni의 금속 또는 TiOx, CrOx, NiOx의 산화층, 이들을 포함하는 물질 또는 그 조합인 발광다이오드 소자의 제조방법
6 6
제 2 항에 있어서, 상기 보호막 형성 단계 이전에 형성된 결합층의 두께는 1~100nm인 발광다이오드 소자의 제조방법
7 7
삭제
8 8
제 1 항 또는 제 2 항에 있어서, 상기 발광다이오드는 광출사면의 반대쪽 면으로부터 제1 결합층, 배리어 층, 제2 결합층 및 접합층을 순차적으로 포함하는 발광다이오드 소자의 제조방법
9 9
제 1 항 또는 제 2 항에 있어서, 상기 평탄화 기판과 상기 발광다이오드를 접합하는 단계는 상기 평탄화 기판과 상기 발광다이오드의 접합층 형성면이 상호 대향하도록 배치한 후, 상기 평탄화 기판과 상기 발광다이오드를 가열함으로써 이루어지는 발광다이오드 소자의 제조방법
10 10
제 1 항 또는 제 2 항에 있어서, 상기 평탄화 기판은 전기주조에 의해 제조되는 발광다이오드 소자의 제조방법
11 11
삭제
12 12
삭제
13 13
삭제
14 14
삭제
지정국 정보가 없습니다
패밀리정보가 없습니다
국가 R&D 정보가 없습니다.