맞춤기술찾기

이전대상기술

발광소자의 P―형 반도체층의 제조방법

  • 기술번호 : KST2015174227
  • 담당센터 : 광주기술혁신센터
  • 전화번호 : 062-360-4654
요약, Int. CL, CPC, 출원번호/일자, 출원인, 등록번호/일자, 공개번호/일자, 공고번호/일자, 국제출원번호/일자, 국제공개번호/일자, 우선권정보, 법적상태, 심사진행상태, 심판사항, 구분, 원출원번호/일자, 관련 출원번호, 기술이전 희망, 심사청구여부/일자, 심사청구항수의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 서지정보 표입니다.
요약 발광소자의 p-형 반도체층의 제조방법이 개시된다. 발광소자의 p-형 반도체층에 대한 선택적 재성장을 통해 p-형 반도체층 상에는 광결정 구조가 형성된다. 형성된 p-형 반도체층 상부에 마스크 패턴을 형성하고, 마스크 패턴이 형성된 p-형 반도체층에 대해 증착 등의 방법을 통해 결정의 재성장을 수행한다. 또한, 재성장이 완료된 후, 마스크 패턴의 제거를 통해 규칙적인 배열을 가지는 p-형 반도체층의 광결정 구조를 획득할 수 있다. 발광소자, 광결정(photonic crystal), 선택적 재성장, 식각손상
Int. CL H01L 33/16 (2014.01)
CPC H01L 33/007(2013.01) H01L 33/007(2013.01) H01L 33/007(2013.01) H01L 33/007(2013.01)
출원번호/일자 1020090081049 (2009.08.31)
출원인 광주과학기술원
등록번호/일자
공개번호/일자 10-2011-0023280 (2011.03.08) 문서열기
공고번호/일자
국제출원번호/일자
국제공개번호/일자
우선권정보
법적상태 거절
심사진행상태 수리
심판사항
구분 신규
원출원번호/일자
관련 출원번호
심사청구여부/일자 Y (2009.08.31)
심사청구항수 6

출원인

번호, 이름, 국적, 주소의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 인명정보 - 출원인 표입니다.
번호 이름 국적 주소
1 광주과학기술원 대한민국 광주광역시 북구

발명자

번호, 이름, 국적, 주소의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 인명정보 - 발명자 표입니다.
번호 이름 국적 주소
1 조주영 대한민국 광주광역시 북구
2 박성주 대한민국 광주광역시 북구
3 이상준 대한민국 광주광역시 북구
4 한상헌 대한민국 광주광역시 북구

대리인

번호, 이름, 국적, 주소의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 인명정보 - 대리인 표입니다.
번호 이름 국적 주소
1 특허법인이상 대한민국 서울특별시 서초구 바우뫼로 ***(양재동, 우도빌딩 *층)

최종권리자

번호, 이름, 국적, 주소의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 인명정보 - 최종권리자 표입니다.
번호 이름 국적 주소
최종권리자 정보가 없습니다
번호, 서류명, 접수/발송일자, 처리상태, 접수/발송일자의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 행정처리 표입니다.
번호 서류명 접수/발송일자 처리상태 접수/발송번호
1 [특허출원]특허출원서
[Patent Application] Patent Application
2009.08.31 수리 (Accepted) 1-1-2009-0533114-77
2 의견제출통지서
Notification of reason for refusal
2011.03.16 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2011-0146498-11
3 [지정기간연장]기간연장(단축, 경과구제)신청서
[Designated Period Extension] Application of Period Extension(Reduction, Progress relief)
2011.05.16 수리 (Accepted) 1-1-2011-0359908-22
4 [거절이유 등 통지에 따른 의견]의견(답변, 소명)서
[Opinion according to the Notification of Reasons for Refusal] Written Opinion(Written Reply, Written Substantiation)
2011.06.16 수리 (Accepted) 1-1-2011-0457251-11
5 [명세서등 보정]보정서
[Amendment to Description, etc.] Amendment
2011.06.16 보정승인간주 (Regarded as an acceptance of amendment) 1-1-2011-0457267-30
6 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information
2011.09.15 수리 (Accepted) 4-1-2011-5187089-85
7 거절결정서
Decision to Refuse a Patent
2011.12.22 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2011-0760841-15
번호, 청구항의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 청구항 표입니다.
번호 청구항
1 1
기판 상에 n-형 반도체층, 활성층 및 p-형 반도체층이 순차적으로 적층된 발광소자의 p-형 반도체층의 제조방법에 있어서, 상기 p-형 반도체층 상부에 광결정 구조를 가지는 나노 마스크를 형성하는 단계; 및 상기 나노 마스크가 형성된 상기 발광소자의 p-형 반도체층을 선택적으로 재성장시키는 단계를 포함하는 p-형 반도체층의 제조방법
2 2
제 1 항에 있어서, 잔류하는 나노 마스크를 제거하는 단계를 더 포함하는 p-형 반도체층의 제조방법
3 3
제 1 항 또는 제 2 항에 있어서, 상기 광결정 구조를 가지는 나노 마스크는 나노 임프린트 리소그래피, 홀로그램 리소그래피 및 전자빔(E-beam) 중 선택된 적어도 하나에 의해 이루어지는 것을 특징으로 하는 p-형 반도체층의 제조방법
4 4
제 1 항 또는 제 2 항에 있어서, 상기 나노 마스크는 SiO2 또는 SiNx로 이루어지는 것을 특징으로 하는 p-형 반도체층의 제조방법
5 5
제 2 항에 있어서, 상기 나노 마스크의 제거는 BOE(Buffered Oxide Etchant)에 의해 이루어지는 것을 특징으로 하는 p-형 반도체층의 제조방법
6 6
제 1 항 또는 제 2 항에 있어서, 선택적으로 재성장된 상기 p-형 반도체층의 광결정 구조는 나노 사이즈의 홀(hole) 또는 라드(rod) 형태인 것을 특징으로 하는 p-형 반도체층의 제조방법
지정국 정보가 없습니다
패밀리정보가 없습니다
국가 R&D 정보가 없습니다.