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주기적 결함을 포함하는 광자 결정 구조를 이용한 고직진,고휘도 ＬＥＤ

  • 기술번호 : KST2015174012
  • 담당센터 : 광주기술혁신센터
  • 전화번호 : 062-360-4654
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요약, Int. CL, CPC, 출원번호/일자, 출원인, 등록번호/일자, 공개번호/일자, 공고번호/일자, 국제출원번호/일자, 국제공개번호/일자, 우선권정보, 법적상태, 심사진행상태, 심판사항, 구분, 원출원번호/일자, 관련 출원번호, 기술이전 희망, 심사청구여부/일자, 심사청구항수의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 서지정보 표입니다.
요약 본 발명은 발광다이오드에 관한 것으로써, 주기적인 결함을 포함시킴으로써 장향성을 향상시킨 발광다이오드에 관한 것이다. 본 발명의 광자결정구조의 발광다이오드는 에피구조의 주기적인 결함(defect)을 포함한다. 본 발명에 따르면 고직진 LED의 제작 비용이 감소와 외부 광학 소자의 최소화를 통한 원가의 절감이 이루어 질 수 있을 것이다. 또한 고직진 LED의 응용 분야인 디스플레이 및 조명 산업에의 발전에 기여할 수 있다. 광자 결정(photonic crystal), LED, 고휘도, 직진성
Int. CL H01L 33/16 (2014.01)
CPC H01L 33/16(2013.01) H01L 33/16(2013.01) H01L 33/16(2013.01) H01L 33/16(2013.01) H01L 33/16(2013.01)
출원번호/일자 1020060048571 (2006.05.30)
출원인 광주과학기술원
등록번호/일자
공개번호/일자 10-2007-0114924 (2007.12.05) 문서열기
공고번호/일자
국제출원번호/일자
국제공개번호/일자
우선권정보
법적상태 거절
심사진행상태 수리
심판사항
구분
원출원번호/일자
관련 출원번호
심사청구여부/일자 Y (2006.05.30)
심사청구항수 3

출원인

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번호 이름 국적 주소
1 광주과학기술원 대한민국 광주광역시 북구

발명자

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번호 이름 국적 주소
1 송계휴 대한민국 서울 서초구
2 임찬묵 대한민국 서울 동작구

대리인

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번호 이름 국적 주소
1 황이남 대한민국 서울시 송파구 법원로 ***, ****호 (문정동, 대명벨리온지식산업센터)(아시아나국제특허법률사무소)

최종권리자

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번호 이름 국적 주소
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번호, 서류명, 접수/발송일자, 처리상태, 접수/발송일자의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 행정처리 표입니다.
번호 서류명 접수/발송일자 처리상태 접수/발송번호
1 특허출원서
Patent Application		 2006.05.30 수리 (Accepted) 1-1-2006-0382880-10
2 의견제출통지서
Notification of reason for refusal		 2007.06.01 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2007-0309481-31
3 [명세서등 보정]보정서
[Amendment to Description, etc.] Amendment		 2007.07.31 보정승인간주 (Regarded as an acceptance of amendment) 1-1-2007-0559563-82
4 [거절이유 등 통지에 따른 의견]의견(답변, 소명)서
[Opinion according to the Notification of Reasons for Refusal] Written Opinion(Written Reply, Written Substantiation)		 2007.07.31 수리 (Accepted) 1-1-2007-0559564-27
5 최후의견제출통지서
Notification of reason for final refusal		 2007.11.29 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2007-0645166-56
6 [지정기간연장]기간연장(단축, 경과구제)신청서
[Designated Period Extension] Application of Period Extension(Reduction, Progress relief)		 2008.01.29 수리 (Accepted) 1-1-2008-0074261-46
7 [지정기간연장]기간연장(단축, 경과구제)신청서
[Designated Period Extension] Application of Period Extension(Reduction, Progress relief)		 2008.02.29 수리 (Accepted) 1-1-2008-0152925-62
8 거절결정서
Decision to Refuse a Patent		 2008.04.11 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2008-0196632-56
9 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2011.09.15 수리 (Accepted) 4-1-2011-5187089-85
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번호 청구항
1 1
발광다이오드에 있어서,에피구조의 주기적인 결함(defect)을 포함하는 광자결정구조의 발광다이오드
2 2
제 1항에 있어서, 상기 결함은 식각에 의해 형성되는 것을 특징으로 하는 발광다이오드
3 3
제 2항에 있어서, 상기 식각의 범위는 도핑층 또는 양자 우물층 중 선택되는 하나의 깊이까지 이루어지는 것을 특징으로 하는 발광다이오드
지정국 정보가 없습니다
패밀리정보가 없습니다
국가 R&D 정보가 없습니다.