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광을 형성하는 발광 구조체; 및상기 발광 구조체로부터 상기 광이 진행하는 방향에 형성된 산화아연 재질의 트리를 포함하고, 상기 트리는,상기 발광 구조체 상에 형성된 씨드층;상기 씨드층을 근거로 형성되고 규칙적인 배열을 가지고,상기 발광 구조체 표면으로부터 수직인 방향으로 성장된 결정성 막대; 및상기 결정성 막대의 측면에 석출되고, 아연 원자가 상기 결정성 막대의 측면에 나타나는 O2-와의 이온성 결합에 의해 석출되는 가지 씨드를 근거로 형성되는 결정성 가지를 포함하는 발광 다이오드
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제1항에 있어서, 상기 트리는 상기 발광 구조체의 전류 확산층 상부에 형성되는 것을 특징으로 하는 발광 다이오드
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제1항에 있어서, 상기 트리는 상기 발광 구조체의 p형 반도체층 상부에 형성되고, 전류 확산층에 의해 매립되는 것을 특징으로 하는 발광 다이오드
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제1항에 있어서, 상기 트리는 광이 추출되는 방향에 배치된 상기 발광 구조체의 n형 반도체층 상부에 형성되는 것을 특징으로 하는 발광 다이오드
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제1항에 있어서, 상기 산화아연 재질의 트리는 상기 발광 구조체에서 형성된 광의 도파로인 것을 특징으로 하는 발광 다이오드
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제1항에 있어서, 상기 가지 씨드는 양이온성 폴리머에 흡착된 아연염에 대한 가열을 통해 상기 결정성 막대의 측면에 석출되는 것을 특징으로 하는 발광 다이오드
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제1항에 있어서, 상기 씨드층은 졸-겔 합성법에 의해 형성된 것을 특징으로 하는 발광 다이오드
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아연염을 포함하는 수화물을 용매에 용해하여 제1 용액을 형성하는 단계;상기 제1 용액을 가열하여 졸 상태로 형성하는 단계;상기 졸 상태의 용액에 계면활성제를 투입하여 제2 용액을 형성하는 단계;상기 제2 용액을 발광 구조체 상에 코팅한 후, 가열하여 겔 상태로 형성하여 씨드층을 형성하는 단계;상기 씨드층 상에 결정성 막대를 형성하는 단계; 및상기 결정성 막대의 측면에 석출되는 산화아연 가지 씨드를 이용하여 결정성 가지를 형성하는 단계를 포함하는 발광 다이오드의 제조방법
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제11항에 있어서, 상기 아연염은, 아연 아세테이트(Zinc acetate), 아연 나이트레이트(Zinc nitrate), 아연 설페이트(Zinc sulfate) 또는 아연 클로라이드(Zinc chloride)인 것을 특징으로 하는 발광 다이오드의 제조방법
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제11항에 있어서, 상기 결정성 막대를 형성하는 단계는,제2 아연염 및 제2 침전제를 포함하는 막대 배양용액을 준비하는 단계; 및상기 발광 구조체를 상기 막대 배양용액에 침지시키고 열에너지를 인가하여 상기 씨드층을 근거로 상기 결정성 막대를 성장시키는 단계를 포함하는 것을 특징으로 하는 발광 다이오드의 제조방법
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제15항에 있어서, 상기 제2 아연염은 아연 아세테이트(Zinc acetate), 아연 나이트레이트(Zinc nitrate), 아연 설페이트(Zinc sulfate) 또는 아연 클로라이드(Zinc chloride)인 것을 특징으로 하는 발광 다이오드의 제조방법
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제15항에 있어서, 상기 제2 침전제는 NaOH, Na2CO3, LiOH, H2O2, KOH, HMTA(hexamethylenetetramine) 또는 NH4OH를 포함하는 것을 특징으로 하는 발광 다이오드의 제조방법
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제11항에 있어서, 상기 결정성 막대를 형성하는 단계 이전에, 규칙적인 패턴을 가지는 성장 유도층을 상기 씨드층 상부에 형성하는 것을 특징으로 하는 발광 다이오드의 제조방법
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제18항에 있어서, 상기 성장 유도층에 의해 노출되는 씨드층 표면을 통해 상기 결정성 막대는 성장하는 것을 특징으로 하는 발광 다이오드의 제조방법
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제11항에 있어서, 상기 결정성 가지를 형성하는 단계는,상기 결정성 막대의 측면에 산화아연 재질의 상기 가지 씨드를 석출하는 단계; 및상기 가지 씨드를 근거로 상기 결정성 가지를 형성하는 단계를 포함하는 것을 특징으로 하는 발광 다이오드의 제조방법
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제20항에 있어서, 상기 가지 씨드를 석출하는 단계는,상기 발광 구조체에 아연염 및 양이온성 폴리머를 포함하는 씨드 형성용액을 도입하는 단계; 및상기 발광 구조체를 가열하여 상기 결정성 막대의 측면에 상기 가지 씨드를 석출하는 것을 특징으로 하는 발광 다이오드의 제조방법
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제20항에 있어서, 상기 가지 씨드를 석출하는 단계는 등전점 이상에서 수행되는 것을 특징으로 하는 발광 다이오드의 제조방법
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