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발광 다이오드

  • 기술번호 : KST2014014414
  • 담당센터 : 광주기술혁신센터
  • 전화번호 : 062-360-4654
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요약, Int. CL, CPC, 출원번호/일자, 출원인, 등록번호/일자, 공개번호/일자, 공고번호/일자, 국제출원번호/일자, 국제공개번호/일자, 우선권정보, 법적상태, 심사진행상태, 심판사항, 구분, 원출원번호/일자, 관련 출원번호, 기술이전 희망, 심사청구여부/일자, 심사청구항수의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 서지정보 표입니다.
요약 발광 다이오드에 관하여 개시한다. 본 발명의 장치는, n형 화합물 반도체층과, n형 화합물 반도체층 상의 소정영역에 형성된 활성층과, n형 화합물 반도체층에 있어서 활성층이 형성되지 않아 노출된 영역에 형성되는 n형 전극과, 활성층 상에 형성되는 p형 화합물 반도체층과, p형 화합물 반도체상의 소정영역에 형성되는 p형 전극을 포함하여 이루어지며, 상기 구성요소들로 이루어진 결과물의 평면도가 삼각형 형태인 것을 특징으로 한다. 본 발명에 의하면, 각각의 구성요소들로 이루어진 결과물의 평면도가 삼각형 형태를 이루게 함으로써 적어도 하나의 면각은 필수적으로 90도 이내 되므로 빛이 발광 다이오드 내부에 갇히지 않고 외부로 추출되어 발광 다이오드 측면에서의 광추출효율이 향상되게 되며, 제공된 n형 전극과 p형 전극의 형상 및 배치에 의하여 전류 밀집 현상이 방지되어 균일한 발광 및 소자의 신뢰성이 향상된다.발광 다이오드, 평면도, 삼각형, 면각, 전류 밀집 현상
Int. CL H01L 33/20 (2014.01)
CPC H01L 33/20(2013.01) H01L 33/20(2013.01) H01L 33/20(2013.01) H01L 33/20(2013.01) H01L 33/20(2013.01)
출원번호/일자 1020060009693 (2006.02.01)
출원인 광주과학기술원
등록번호/일자 10-0787361-0000 (2007.12.12)
공개번호/일자 10-2007-0079180 (2007.08.06) 문서열기
공고번호/일자 (20071218) 문서열기
국제출원번호/일자
국제공개번호/일자
우선권정보
법적상태 등록
심사진행상태 수리
심판사항
구분 신규
원출원번호/일자
관련 출원번호
심사청구여부/일자 Y (2006.02.01)
심사청구항수 7

출원인

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번호 이름 국적 주소
1 광주과학기술원 대한민국 광주광역시 북구

발명자

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번호 이름 국적 주소
1 박성주 대한민국 광주 북구
2 김자연 대한민국 광주 북구
3 권민기 대한민국 광주 북구
4 임재홍 대한민국 광주광역시 북구

대리인

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번호 이름 국적 주소
1 김삼용 대한민국 서울특별시 강남구 테헤란로 **길**, *층(대치동, 동산빌딩) (인비전 특허법인)
2 이재관 대한민국 서울특별시 서초구 바우뫼로 ***(양재동, 우도빌딩 *층)(특허법인이상)
3 김상철 대한민국 서울특별시 서초구 바우뫼로 ***(양재동, 우도빌딩 *층)(특허법인이상)

최종권리자

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번호 이름 국적 주소
1 에이치씨 세미테크 코퍼레이션 중국 ****** 우한 이스트 레이크 하이 테크놀러지 디벨롭먼트 존 빈후 로드 넘
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번호 서류명 접수/발송일자 처리상태 접수/발송번호
1 특허출원서
Patent Application		 2006.02.01 수리 (Accepted) 1-1-2006-0076707-85
2 의견제출통지서
Notification of reason for refusal		 2006.12.08 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2006-0733607-42
3 명세서등보정서
Amendment to Description, etc.		 2006.12.22 보정승인간주 (Regarded as an acceptance of amendment) 1-1-2006-0954870-69
4 의견서
Written Opinion		 2006.12.22 수리 (Accepted) 1-1-2006-0954848-64
5 의견제출통지서
Notification of reason for refusal		 2007.06.04 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2007-0310950-78
6 대리인변경신고서
Agent change Notification		 2007.06.21 수리 (Accepted) 1-1-2007-0448738-05
7 [명세서등 보정]보정서
[Amendment to Description, etc.] Amendment		 2007.07.31 보정승인간주 (Regarded as an acceptance of amendment) 1-1-2007-0557540-96
8 [거절이유 등 통지에 따른 의견]의견(답변, 소명)서
[Opinion according to the Notification of Reasons for Refusal] Written Opinion(Written Reply, Written Substantiation)		 2007.07.31 수리 (Accepted) 1-1-2007-0557537-58
9 등록결정서
Decision to grant		 2007.12.03 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2007-0656569-00
10 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2011.09.15 수리 (Accepted) 4-1-2011-5187089-85
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번호 청구항
1 1
n형 화합물 반도체층과, 상기 n형 화합물 반도체층 상의 소정영역에 형성된 활성층과, 상기 n형 화합물 반도체층에 있어서 상기 활성층이 형성되지 않아 노출된 영역에 형성되는 n형 전극과, 상기 활성층 상에 형성되는 p형 화합물 반도체층과, 상기 p형 화합물 반도체상의 소정영역에 형성되는 p형 전극을 포함하여 이루어지며,상기 구성요소들로 이루어진 결과물의 평면도가 삼각형 형태이며, 상기 n형 전극의 전류주입영역은 상기 삼각형의 꼭지점 중에서 선택된 어느 하나의 꼭지점에 위치되는 것을 특징으로 하는 발광 다이오드
2 2
삭제
3 3
제 1항에 있어서, 상기 n형 전극은 상기 삼각형의 최외곽을 담당하도록 형성되는 것을 특징으로 하는 발광 다이오드
4 4
제 1항에 있어서, 상기 n형 전극은 상기 삼각형을 이루는 변들 중에서 선택된 적어도 어느 하나의 변의 소정영역을 담당하도록 형성되는 것을 특징으로 하는 발광 다이오드
5 5
제 1항에 있어서, 상기 p형 전극의 전류주입영역은 상기 삼각형의 중심 또는 상기 삼각형의 꼭지점 중에서 어느 하나의 꼭지점에 위치되는 것을 특징으로 하는 발광 다이오드
6 6
제 1항에 있어서, 상기 p형 전극의 평면도에 의한 형상은 원형, 타원형, 복수개의 꼭지점을 가진 다각형, 방사형 또는 나선형인 것을 특징으로 하는 발광 다이오드
7 7
제 1항에 있어서, 상기 p형 화합물 반도체와 상기 p형 전극 사이에는 투명전극층이 개재되는 것을 특징으로 하는 발광 다이오드
8 8
제 7 항에 있어서, 상기 투명전극층의 소정영역이 노출되도록 상기 p형 전극이 형성되는 것을 특징으로 하는 발광 다이오드
지정국 정보가 없습니다
패밀리정보가 없습니다
국가 R&D 정보가 없습니다.