맞춤기술찾기

홈으로 가기
맞춤기술찾기
이전대상기술
프린트하기

이전대상기술

박막트랜지스터 및 그 제조방법

  • 기술번호 : KST2015214414
  • 담당센터 : 경기기술혁신센터
  • 전화번호 : 031-8006-1570
상담신청 PDF 받기
요약, Int. CL, CPC, 출원번호/일자, 출원인, 등록번호/일자, 공개번호/일자, 공고번호/일자, 국제출원번호/일자, 국제공개번호/일자, 우선권정보, 법적상태, 심사진행상태, 심판사항, 구분, 원출원번호/일자, 관련 출원번호, 기술이전 희망, 심사청구여부/일자, 심사청구항수의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 서지정보 표입니다.
요약 본 발명은 박막트랜지스터 및 그 제조방법에 관한 것으로, 제조방법은, 아르곤 가스 분위기에서 플렉시블한 플라스틱 기판상에 Ce 금속을 연속적으로 증착하는 Ce 증착단계와; 상기 Ce 금속에 산소를 주입하여 Ce 금속 표면을 산화시켜 CeO2 를 형성하는 CeO2 증착단계와; 상기 CeO2 층에 아르곤 가스와 산소를 주입하면서 스퍼터링법으로 CeO2 층을 성장시키는 CeO2 성장단계와; 상기 CeO2 층 위에 ICPCVD(Inductive Coupled Plasma Chemical Vapor Deposition)법으로 비정질 실리콘을 증착시키는 비정질 실리콘 증착단계; 및 상기 비정질 실리콘 층에 엑시머 레이저를 조사하여 비정질 실리콘이 폴리실리콘으로 결정화되는 폴리실리콘 결정화단계;를 포함하여 구성되고, 이 제조방법에 의해서 제조된 박막트랜지스터를 특징으로 하여, 플라스틱 기판의 기계적, 화학적 성질에 대한 신뢰감으로 인해 제품의 질이 향상되고, 우수한 성능을 갖는 박막트랜지스터를 생산할 수 있는 효과가 있다. 박막, 트랜지스터, 비정질 규소, 다결정 규소, 엑시머 레이저
Int. CL H01L 29/786 (2006.01)
CPC H01L 29/6675(2013.01) H01L 29/6675(2013.01) H01L 29/6675(2013.01) H01L 29/6675(2013.01) H01L 29/6675(2013.01)
출원번호/일자 1020030057488 (2003.08.20)
출원인 학교법인 성균관대학
등록번호/일자 10-0514000-0000 (2005.09.02)
공개번호/일자 10-2005-0019607 (2005.03.03) 문서열기
공고번호/일자 (20050913) 문서열기
국제출원번호/일자
국제공개번호/일자
우선권정보
법적상태 소멸
심사진행상태 수리
심판사항
구분
원출원번호/일자
관련 출원번호
심사청구여부/일자 Y (2003.08.20)
심사청구항수 6

출원인

번호, 이름, 국적, 주소의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 인명정보 - 출원인 표입니다.
번호 이름 국적 주소
1 학교법인 성균관대학 대한민국 서울 종로구

발명자

번호, 이름, 국적, 주소의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 인명정보 - 발명자 표입니다.
번호 이름 국적 주소
1 이 준 신 대한민국 경기 안양시 동안구
2 심명석 대한민국 대구광역시남구
3 김도영 대한민국 경기도수원시장안구
4 서창기 대한민국 경기도수원시장안구

대리인

번호, 이름, 국적, 주소의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 인명정보 - 대리인 표입니다.
번호 이름 국적 주소
1 특허법인정직과특허 대한민국 서울 강남구 선릉로 ***(논현동, 썬라이더빌딩 *층)
2 윤여표 대한민국 서울특별시 서초구 방배로**길 *, ***호(방배동,정암빌딩)(웰컨설팅(분사무소))

최종권리자

번호, 이름, 국적, 주소의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 인명정보 - 최종권리자 표입니다.
번호 이름 국적 주소
1 성균관대학교 산학협력단 경기 수원시 장안구
번호, 서류명, 접수/발송일자, 처리상태, 접수/발송일자의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 행정처리 표입니다.
번호 서류명 접수/발송일자 처리상태 접수/발송번호
1 특허출원서
Patent Application		 2003.08.20 수리 (Accepted) 1-1-2003-0306408-19
2 대리인사임신고서
Notification of resignation of agent		 2004.02.05 수리 (Accepted) 1-1-2004-5019717-20
3 의견제출통지서
Notification of reason for refusal		 2005.03.25 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2005-0132489-20
4 의견서
Written Opinion		 2005.05.25 수리 (Accepted) 1-1-2005-0275068-30
5 명세서등보정서
Amendment to Description, etc.		 2005.05.25 보정승인간주 (Regarded as an acceptance of amendment) 1-1-2005-0275074-15
6 등록결정서
Decision to grant		 2005.08.29 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2005-0417183-16
번호, 청구항의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 청구항 표입니다.
번호 청구항
1 1
아르곤 가스 분위기에서 플라즈마 온/오프 처리를 1분30초∼2분30초 간격으로 반복하면서 플렉시블한 플라스틱 기판상에 Ce 금속을 연속적으로 증착하는 Ce 증착단계와; 상기 Ce 금속에 산소를 주입하여 Ce 금속 표면을 산화시켜 CeO2 를 형성하는 CeO2 증착단계와; 상기 CeO2 층에 아르곤 가스와 산소의 혼합기를 주입하고, 플라즈마 온/오프 처리를 1분30초∼2분30초 간격으로 반복하면서 스퍼터링법으로 CeO2 층을 성장시키는 CeO2 성장단계와; 상기 CeO2 층 위에 ICPCVD(Inductive Coupled Plasma Chemical Vapor Deposition)법으로 비정질 실리콘을 증착시키는 비정질 실리콘 증착단계; 및 상기 비정질 실리콘 층에 엑시머 레이저를 조사하여 비정질 실리콘이 폴리실리콘으로 결정화되는 폴리실리콘 결정화단계; 를 포함하여 구성된 것을 특징으로 하는 박막트랜지스터의 제조방법
2 2
삭제
3 3
삭제
4 4
삭제
5 5
삭제
6 6
제 1 항에 있어서, 상기 CeO2 성장단계에서 아르곤 가스와 산소를 주입하면서 스퍼터링법으로 CeO2 층을 1차 성장시킨 후, 이 CeO2 층을 플라즈마 오프한 상태에서 산소를 재차 주입하여 산화시켜 CeO2 층을 완전히 성장시키는 CeO2 2차 성장단계를 더 포함하여 구성된 것을 특징으로 하는 박막트랜지스터의 제조방법
7 7
제 6 항에 있어서, 상기 Ce 증착단계에서 Ce 금속을 증착시키기 전에, Ce 금속 타겟의 불순물과 산화막을 제거하기 위해 아르곤 가스 분위기에서 플라스틱 기판의 상면을 셔터로 막고 전스퍼터링을 행하는 전처리단계를 더 포함하여 구성된 것을 특징으로 하는 박막트랜지스터의 제조방법
8 8
제 1 항에 있어서, 상기 CeO2 성장단계에서 아르곤 가스와 산소는 14:6의 비율로 공급되는 것을 특징으로 하는 박막트랜지스터의 제조방법
9 9
제 1 항에 있어서, 상기 결정화단계에서 비정질 실리콘 층에 조사되는 엑시머 레이저의 에너지 밀도는 50∼108 mJ/㎠인 것을 특징으로 하는 박막트랜지스터의 제조방법
10 10
삭제
11 11
삭제
12 12
삭제
13 13
제 1 항 내지 제 9 항 중 어느 한항의 제조방법에 의해서 제조된 Ce 금속층과 CeO2 층을 포함하여 구성된 것을 특징으로 하는 박막트랜지스터
14 13
제 1 항 내지 제 9 항 중 어느 한항의 제조방법에 의해서 제조된 Ce 금속층과 CeO2 층을 포함하여 구성된 것을 특징으로 하는 박막트랜지스터
지정국 정보가 없습니다
패밀리정보가 없습니다
국가 R&D 정보가 없습니다.