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폴리머 패턴, 금속 스탬퍼 및 마이크로렌즈 어레이 형성방법

  • 기술번호 : KST2016003639
  • 담당센터 : 대전기술혁신센터
  • 전화번호 : 042-610-2279
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요약, Int. CL, CPC, 출원번호/일자, 출원인, 등록번호/일자, 공개번호/일자, 공고번호/일자, 국제출원번호/일자, 국제공개번호/일자, 우선권정보, 법적상태, 심사진행상태, 심판사항, 구분, 원출원번호/일자, 관련 출원번호, 기술이전 희망, 심사청구여부/일자, 심사청구항수의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 서지정보 표입니다.
요약 본 발명은 마이크로렌즈 어레이의 형성방법 등에 관한 것이다.이러한 본 발명에 따른 마이크로렌즈 어레이 형성방법은 임의의 방향으로 진행하는 광을 마스크를 통하여 양성 감광성 폴리머 막에 조사하는 단계와, 상기 마스크를 제거하고, 평행한 방향으로 진행하는 광을 상기 양성 감광성 폴리머 막에 조사하는 단계와, 상기 양성 감광성 폴리머 막을 현상하여 폴리머 패턴을 형성하는 단계 및 상기 폴리머 패턴을 마이크로렌즈 어레이 형성용 제1 고분자물질에 전사하는 단계를 포함한다.이러한 본 발명에 따르면, 실질적으로 2차 포물선 모양의 단면과 다양한 종횡비를 갖는 마이크로렌즈 어레이를 형성할 수 있는 등의 효과가 있다. 마이크로렌즈, 디퓨저, 2차 포물선, 폴리머 패턴, 금속 스탬퍼
Int. CL G02B 3/00 (2006.01)
CPC G02B 3/0056(2013.01) G02B 3/0056(2013.01) G02B 3/0056(2013.01) G02B 3/0056(2013.01) G02B 3/0056(2013.01) G02B 3/0056(2013.01)
출원번호/일자 1020060073854 (2006.08.04)
출원인 한국과학기술원
등록번호/일자 10-0797778-0000 (2008.01.18)
공개번호/일자
공고번호/일자 (20080124) 문서열기
국제출원번호/일자
국제공개번호/일자
우선권정보
법적상태 등록
심사진행상태 수리
심판사항
구분 신규
원출원번호/일자
관련 출원번호
심사청구여부/일자 Y (2006.08.04)
심사청구항수 14

출원인

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번호 이름 국적 주소
1 한국과학기술원 대한민국 대전광역시 유성구

발명자

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번호 이름 국적 주소
1 윤준보 대한민국 대전 유성구
2 장성일 대한민국 대전 유성구

대리인

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번호 이름 국적 주소
1 김성호 대한민국 서울특별시 강남구 도곡로 *** (역삼동,미진빌딩 *층)(KNP 특허법률사무소)

최종권리자

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번호 이름 국적 주소
1 한국과학기술원 대한민국 대전광역시 유성구
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번호 서류명 접수/발송일자 처리상태 접수/발송번호
1 특허출원서
Patent Application		 2006.08.04 수리 (Accepted) 1-1-2006-0561748-90
2 선행기술조사의뢰서
Request for Prior Art Search		 2007.06.08 수리 (Accepted) 9-1-9999-9999999-89
3 선행기술조사보고서
Report of Prior Art Search		 2007.07.12 수리 (Accepted) 9-1-2007-0042023-11
4 의견제출통지서
Notification of reason for refusal		 2007.07.18 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2007-0386978-59
5 [거절이유 등 통지에 따른 의견]의견(답변, 소명)서
[Opinion according to the Notification of Reasons for Refusal] Written Opinion(Written Reply, Written Substantiation)		 2007.08.13 수리 (Accepted) 1-1-2007-0584042-93
6 등록결정서
Decision to grant		 2008.01.17 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2008-0022657-17
7 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2013.02.01 수리 (Accepted) 4-1-2013-5019983-17
8 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2014.12.24 수리 (Accepted) 4-1-2014-5157993-01
9 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2014.12.24 수리 (Accepted) 4-1-2014-5157968-69
10 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2014.12.24 수리 (Accepted) 4-1-2014-5158129-58
11 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2019.04.24 수리 (Accepted) 4-1-2019-5081392-49
12 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2020.05.15 수리 (Accepted) 4-1-2020-5108396-12
13 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2020.06.12 수리 (Accepted) 4-1-2020-5131486-63
번호, 청구항의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 청구항 표입니다.
번호 청구항
1 1
임의의 방향으로 진행하는 광을 마스크를 통하여 양성 감광성 폴리머 막에 조사하는 단계; 및상기 마스크를 제거하고, 평행한 방향으로 진행하는 광을 상기 양성 감광성 폴리머 막에 조사하는 단계;를 포함하는 폴리머 패턴 형성방법
2 2
임의의 방향으로 진행하는 광을 마스크를 통하여 양성 감광성 폴리머 막에 조사하는 단계;상기 마스크를 제거하고, 평행한 방향으로 진행하는 광을 상기 양성 감광성 폴리머 막에 조사하는 단계;상기 양성 감광성 폴리머 막을 현상하여 폴리머 패턴을 형성하는 단계;상기 폴리머 패턴 상에 금속 몰드를 형성하는 단계;상기 금속 몰드와 상기 폴리머 패턴을 분리하는 단계; 및상기 분리된 금속 몰드 상에 금속 물질을 형성하는 단계;를 포함하는 금속 스탬퍼 형성방법
3 3
임의의 방향으로 진행하는 광을 마스크를 통하여 양성 감광성 폴리머 막에 조사하는 단계;상기 마스크를 제거하고, 평행한 방향으로 진행하는 광을 상기 양성 감광성 폴리머 막에 조사하는 단계;상기 양성 감광성 폴리머 막을 현상하여 폴리머 패턴을 형성하는 단계; 및상기 폴리머 패턴을 마이크로렌즈 어레이 형성용 제1 고분자물질에 전사하는 단계;를 포함하는 마이크로렌즈 어레이 형성방법
4 4
임의의 방향으로 진행하는 광을 마스크를 통하여 양성 감광성 폴리머 막에 조사하는 단계;상기 마스크를 제거하고, 평행한 방향으로 진행하는 광을 상기 양성 감광성 폴리머 막에 조사하는 단계;상기 양성 감광성 폴리머 막을 현상하여 폴리머 패턴을 형성하는 단계;상기 폴리머 패턴 상에 금속 몰드를 형성하는 단계;상기 금속 몰드와 상기 폴리머 패턴을 분리하는 단계;상기 분리된 금속 몰드 상에 금속 스탬퍼를 형성하는 단계; 및상기 금속 스탬퍼를 마이크로렌즈 어레이 형성용 제2 고분자물질에 전사하는 단계;를 포함하는 마이크로 렌즈 어레이 형성방법
5 5
제3 항 또는 제4 항에 있어서,상기 임의의 방향으로 진행하는 광의 세기를 조절하여, 상기 폴리머 패턴에 포함된 단위 패턴들이 서로 만나게 하는 마이크로렌즈 어레이 형성방법
6 6
제3 항 또는 제4 항에 있어서,상기 마이크로렌즈 어레이에 포함된 마이크로렌즈의 종횡비는 0
7 7
제3 항 또는 제4 항에 있어서,상기 마이크로렌즈 어레이에 포함된 마이크로렌즈들 중 인접한 마이크로렌즈들간의 거리는 0
8 8
제3 항에 있어서,상기 제1 고분자물질은 폴리디메틸실옥산(polydimethylsiloxane, PDMS), 자외선에 의해 큐어링(curing)되는 폴리머, 열에 의해 큐어링(curing)되는 폴리머, 스핀-온-글래스(spin-on-glass) 중 하나인 마이크로렌즈 어레이 형성방법
9 9
제4 항에 있어서,상기 금속 몰드를 형성하는 단계는상기 폴리머 패턴 상에 금속 시드층을 증착하는 단계; 및상기 금속 시드층 상에 금속층을 형성하는 단계;를 포함하는 마이크로렌즈 어레이 형성방법
10 10
제9 항에 있어서,상기 금속 시드층은 이베퍼레이션 (evaporation) 또는 스퍼터링 (sputtering)으로 박막 증착되는 마이크로렌즈 어레이 형성방법
11 11
제9 항에 있어서,상기 금속 시드층은 구리(Cu) 또는 금(Au)을 포함하는 마이크로렌즈 어레이 형성방법
12 12
제4 항에 있어서,상기 금속 스탬퍼는 니켈(Ni)을 포함하는 마이크로렌즈 어레이 형성방법
13 13
제4 항에 있어서,상기 금속 스탬퍼는 사출성형(Injection Molding) 또는 핫 엠보싱(Hot Embossing)에 의해 상기 제2 고분자물질에 전사되는 마이크로렌즈 어레이 형성방법
14 14
제4 항에 있어서,상기 제2 고분자물질은 폴리디메틸실옥산(polydimethylsiloxane, PDMS), 자외선에 의해 큐어링(curing)되는 폴리머, 열에 의해 큐어링(curing)되는 폴리머, 스핀-온-글래스 (spin-on-glass), 폴리메틸메타아크릴레이트(polymethylmetaacrylate, PMMA), 폴리카보네이트 (polycarbonate) 중 하나인 마이크로렌즈 어레이 형성방법
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패밀리정보가 없습니다
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