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그래핀 양자점 박막, 이의 제조 방법, 및 상기 그래핀 양자점 박막을 이용하는 박막 트랜지스터(GRAPHENE QUANTUM-DOT THIN FILM, PREPARING METHOD OF THE SAME, AND THIN FILM TRANSISTOR USING THE SAME)

  • 기술번호 : KST2016012295
  • 담당센터 : 경기기술혁신센터
  • 전화번호 : 031-8006-1570
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요약, Int. CL, CPC, 출원번호/일자, 출원인, 등록번호/일자, 공개번호/일자, 공고번호/일자, 국제출원번호/일자, 국제공개번호/일자, 우선권정보, 법적상태, 심사진행상태, 심판사항, 구분, 원출원번호/일자, 관련 출원번호, 기술이전 희망, 심사청구여부/일자, 심사청구항수의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 서지정보 표입니다.
요약 그래핀 양자점 박막의 제조 방법, 상기 방법에 의하여 제조되는 그래핀 양자점 박막, 상기 그래핀 양자점 박막을 채널층에 이용하는 박막 트랜지스터에 관한 것이다.
Int. CL H01L 29/786 (2006.01) H01L 29/66 (2006.01)
CPC H01L 29/78696(2013.01) H01L 29/78696(2013.01) H01L 29/78696(2013.01) H01L 29/78696(2013.01)
출원번호/일자 1020140183069 (2014.12.18)
출원인 성균관대학교산학협력단
등록번호/일자
공개번호/일자 10-2016-0074157 (2016.06.28) 문서열기
공고번호/일자 문서열기
국제출원번호/일자
국제공개번호/일자
우선권정보
법적상태 등록
심사진행상태 수리
심판사항
구분 신규
원출원번호/일자
관련 출원번호
심사청구여부/일자 Y (2015.12.04)
심사청구항수 11

출원인

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번호 이름 국적 주소
1 성균관대학교산학협력단 대한민국 경기도 수원시 장안구

발명자

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번호 이름 국적 주소
1 이효영 대한민국 경기도 수원시 장안구
2 서소현 대한민국 경기도 수원시 장안구
3 윤여흥 대한민국 경기도 수원시 장안구

대리인

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번호 이름 국적 주소
1 한선희 대한민국 서울시 강남구 논현로 *** 여산빌딩 *층 ***호(온유특허법률사무소)

최종권리자

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번호 이름 국적 주소
1 성균관대학교산학협력단 경기도 수원시 장안구
번호, 서류명, 접수/발송일자, 처리상태, 접수/발송일자의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 행정처리 표입니다.
번호 서류명 접수/발송일자 처리상태 접수/발송번호
1 [특허출원]특허출원서
[Patent Application] Patent Application		 2014.12.18 수리 (Accepted) 1-1-2014-1231632-07
2 [심사청구]심사청구(우선심사신청)서
[Request for Examination] Request for Examination (Request for Preferential Examination)		 2015.12.04 수리 (Accepted) 1-1-2015-1187599-44
3 선행기술조사의뢰서
Request for Prior Art Search		 2016.05.10 수리 (Accepted) 9-1-9999-9999999-89
4 선행기술조사보고서
Report of Prior Art Search		 2016.06.10 수리 (Accepted) 9-1-2016-0024620-58
5 [대리인선임]대리인(대표자)에 관한 신고서
[Appointment of Agent] Report on Agent (Representative)		 2017.01.04 수리 (Accepted) 1-1-2017-0010391-06
6 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2017.02.23 수리 (Accepted) 4-1-2017-5028829-43
7 의견제출통지서
Notification of reason for refusal		 2017.05.20 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2017-0352655-22
8 [거절이유 등 통지에 따른 의견]의견(답변, 소명)서
[Opinion according to the Notification of Reasons for Refusal] Written Opinion(Written Reply, Written Substantiation)		 2017.07.06 수리 (Accepted) 1-1-2017-0649104-28
9 [명세서등 보정]보정서
[Amendment to Description, etc.] Amendment		 2017.07.06 보정승인간주 (Regarded as an acceptance of amendment) 1-1-2017-0649105-74
10 거절결정서
Decision to Refuse a Patent		 2017.11.23 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2017-0821326-95
11 [거절이유 등 통지에 따른 의견]의견(답변, 소명)서
[Opinion according to the Notification of Reasons for Refusal] Written Opinion(Written Reply, Written Substantiation)		 2017.12.21 수리 (Accepted) 1-1-2017-1275918-83
12 [명세서등 보정]보정서(재심사)
Amendment to Description, etc(Reexamination)		 2017.12.21 보정승인 (Acceptance of amendment) 1-1-2017-1275919-28
13 등록결정서
Decision to Grant Registration		 2018.01.16 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2018-0035744-20
번호, 청구항의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 청구항 표입니다.
번호 청구항
1 1
그래핀 양자점-함유 용액을 증발시키는 단계; 및상기 증발된 그래핀 양자점-함유 용액이 상기 그래핀 양자점-함유 용액의 상부에 배치된 기재 상에 응축되어, 상기 기재 상에 그래핀 양자점 박막을 증착시키는 단계; 및상기 응축된 그래핀 양자점-함유 용액 중 용매가 하부 방향으로 떨어져 남은 상기 용매를 회수하는 단계 를 포함하는, 그래핀 양자점 박막의 제조 방법
2 2
제 1 항에 있어서, 상기 기재 상에 상기 그래핀 양자점이 자기조립에 의해 수직 방향으로 성장하여 상기 그래핀 양자점 박막을 형성하는 것인, 그래핀 양자점 박막의 제조 방법
3 3
제 1 항에 있어서,상기 그래핀 양자점은 1 nm 내지 100 nm의 크기를 가지는 것인, 그래핀 양자점 박막의 제조 방법
4 4
제 1 항에 있어서,상기 그래핀 양자점 박막은 그래핀 또는 산화 그래핀을 포함하는 것인, 그래핀 양자점 박막의 제조 방법
5 5
제 1 항 내지 제 4 항 중 어느 한 항에 따른 방법에 의해 제조되는, 그래핀 양자점 박막
6 6
기재에 서로 이격되어 형성된 소스 전극 및 드레인 전극;상기 소스 전극 및 상기 드레인 전극을 연결하며, 제 5항에 따른 그래핀 양자점 박막을 포함하는 채널층;상기 소스 전극, 상기 드레인 전극, 및 상기 채널층과 전기적으로 절연되어 있는 게이트 전극; 및상기 채널층과 상기 게이트 전극 사이에 위치하는 절연막을 포함하는,박막 트랜지스터
7 7
제 6 항에 있어서, 상기 기재는 유연하고 투명한 플라스틱 기재를 포함하는 것인, 박막 트랜지스터
8 8
제 7 항에 있어서, 상기 플라스틱 기재는 폴리에틸렌테레프탈레이트, 폴리부틸렌테레프탈레이트, 폴리에틸렌나프탈레이트, 폴리이미드, 폴리페닐렌옥사이드, 폴리디히드록시메틸사이클로헥실테레프탈레이트, 셀룰로오스에스테르, 폴리카보네이트, 폴리아미드, 및 이들의 조합들로 이루어진 군에서 선택되는 것을 포함하는 것인, 박막 트랜지스터
9 9
제 6 항에 있어서,상기 게이트 전극은 금, 백금, 크롬, 티타늄, 구리, 알루미늄, 탄탈륨, 몰리브데늄, 텅스텐, 니켈, 팔라듐, ITO, FTO, IZO, 은 나노와이어, 전도성 고분자, Si, 그래핀, 및 이들의 조합들로 이루어진 군에서 선택되는 것을 포함하는 것인, 박막 트랜지스터
10 10
제 6 항에 있어서,상기 소스 전극 및 드레인 전극은 각각 금, 백금, 크롬, 티타늄, 구리, 알루미늄, 탄탈륨, 몰리브데늄, 텅스텐, 니켈, 팔라듐, ITO, FTO, IZO, 은 나노와이어, 전도성 고분자, Si, 그래핀, 및 이들의 조합들로 이루어진 군에서 선택되는 것을 포함하는 것인, 박막 트랜지스터
11 11
제 6 항에 있어서, 상기 절연막은, Al2O3, ZrOx, Si3N4, 폴리이미드, 실리콘 산화막, 산화 그래핀, 및 이들의 조합들로 이루어진 군에서 선택되는 것을 포함하는 것인, 박막 트랜지스터
12 12
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